本公開涉及發(fā)光元件、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、在發(fā)光元件中，為了提高對發(fā)光層的電子注入效率，優(yōu)選使用功函數(shù)小的金屬電極作為電極。然而，金屬電極的光透射率、即光提取效率差。因此，例如在專利文獻1中，公開了通過設(shè)置貫通金屬電極層的多個開口部，以高水平兼顧金屬電極層的透光性和導(dǎo)電性的顯示裝置。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻1：日本國特開2009-230960號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、然而，在專利文獻1的顯示裝置中，形成于金屬電極層的開口部的內(nèi)徑為10nm~780nm，因此如果在金屬電極層形成多個，則金屬電極層的表面（上表面以及下表面）上的凹凸變大。如果金屬電極層的表面的凹凸較大，則在金屬電極層的表面形成膜時，發(fā)生斷膜的可能性較高。如果金屬電極層上的膜為切斷的狀態(tài)，則不能充分發(fā)揮該膜的功能，因此作為發(fā)光元件的發(fā)光效率也變差。這樣，在現(xiàn)有技術(shù)中，不足以同時實現(xiàn)提高向發(fā)光層的電子注入效率和提高光提取效率，并且，不足以在不發(fā)生斷膜的情況下進行向電極層的成膜。

3、本公開的目的在于，提供能夠同時實現(xiàn)向發(fā)光層的電子注入效率的提高以及光提取效率的提高、且能夠在不發(fā)生斷膜的情況下進行向電極層的成膜的發(fā)光元件。

4、用于解決課題的手段

5、本公開的一個方式所涉及的發(fā)光元件具備：第一電極；第二電極，其由具有貫通層內(nèi)的間隙的含金屬層構(gòu)成；發(fā)光層，其位于所述第一電極和所述第二電極之間；以及粒子層，其包含多個粒子且與所述第二電極接觸。

6、發(fā)明效果

7、根據(jù)本發(fā)明，可以同時實現(xiàn)提高向發(fā)光層的電子注入效率和提高光提取效率，并且，可以在不產(chǎn)生斷膜的情況下進行向電極層的成膜。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，通過所述間隙的貫通而形成于所述含金屬層的表面的開口的開口面的平均寬度為20nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，通過所述間隙的貫通而形成于所述含金屬層的表面的開口的開口面的平均寬度為所述粒子的粒徑以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一電極是位于比所述第二電極靠上層的光反射電極，所述粒子層與所述第二電極的下表面接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子為金屬氧化物，且具有導(dǎo)電性。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鈦。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一電極是位于比所述第二電極靠上層的光反射電極，所述粒子層與所述第二電極的上表面接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子為金屬氧化物，且具有空穴輸送功能。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鎳。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一電極為位于比所述第二電極靠上層的透光性電極，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子為金屬氧化物，具有空穴輸送功能。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鎳。

13.根據(jù)權(quán)利要求4至12的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第二電極為陽極。

14.根據(jù)權(quán)利要求4至13的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第二電極包括鋁或者銀。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一電極是位于比所述第二電極靠下層的光反射電極，所述粒子層與所述第二電極的下表面接觸。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子是金屬氧化物，且具有電子傳輸功能。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鋅。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鈦。

19.根據(jù)權(quán)利要求15至18的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第二電極為陰極。

20.根據(jù)權(quán)利要求1至19的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子的粒徑在60nm以下。

21.根據(jù)權(quán)利要求1至19的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子的粒徑為所述發(fā)光層的發(fā)光峰波長的1/10以下。

22.根據(jù)權(quán)利要求1至21的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述間隙的間隙寬度與所述第二電極的厚度的比為1.0以下。

23.根據(jù)權(quán)利要求1至22的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子的至少一部分位于所述間隙上。

24.根據(jù)權(quán)利要求1至23的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述間隙為沿所述第二電極的層厚方向的形狀。

25.根據(jù)權(quán)利要求1至24的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述間隙中面向所述粒子層的開口的寬度，位于所述第二電極的另一面，且比不面向所述粒子層的開口的寬度小。

26.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，具有與所述第二電極的上表面和下表面中的一方接觸的所述粒子層和與所述第二電極的上表面和下表面中的另一方接觸的另一粒子層。

27.根據(jù)權(quán)利要求1至26的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述粒子散射由在所述間隙產(chǎn)生的等離子體放大的光。

28.根據(jù)權(quán)利要求1至27的任一項所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層為有機發(fā)光層或者量子點發(fā)光層。

29.一種顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1至28的任一項所述的發(fā)光元件。

技術(shù)總結(jié)
本公開的發(fā)光元件（10）具備：第一電極（E1）；第二電極（E2），其由具有貫通層內(nèi)的間隙（G）的含金屬層構(gòu)成；發(fā)光層（Em），其位于上述第一電極（E1）與上述第二電極（E2）之間；以及粒子層（P1），其包含多個粒子（P），與所述第二電極（E2）接觸。由此，能夠兼顧提高向發(fā)光層（Em）的電子注入效率及提高光提取效率，且不發(fā)生斷膜地進行向電極層的成膜。

技術(shù)研發(fā)人員：北澤田鶴子,上田吉裕
受保護的技術(shù)使用者：夏普顯示科技株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/8/4