一種串聯(lián)白色有機發(fā)光器件的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及串聯(lián)白色有機發(fā)光器件技術領域，特別是一種磷光發(fā)光單元的空穴傳 輸層材料采用線性蒸發(fā)源蒸鍍形成濃度梯度連續(xù)結構。
【背景技術】
[0002] 串聯(lián)白色有機發(fā)光器件包括夾在兩個發(fā)光單元之間的電荷生成層。該電荷生成層 將電子或者空穴運輸到相鄰的發(fā)光單元。然而，在該串聯(lián)白色有機發(fā)光器件中，電荷生成層 的空穴或者電子可能無法被運輸到相鄰的發(fā)光單元。在這種情況下，在相鄰的磷光發(fā)光單 元或熒光發(fā)光單元中可能無法進行正常的光發(fā)射。為了克服這樣的問題，已經采用了一種 與電荷生成層相鄰的、具有雙層結構（包括激子或者電子阻隔層）空穴傳輸層。然而，這種 雙層結構增大了接觸面，使制造過程復雜并且增大了空穴運輸的障礙。
[0003] CN103367646A公開了一種串聯(lián)白色有機發(fā)光器件，其通過調整與由p型電荷生成 層和η型電荷生成層構成的電荷生成層相鄰的空穴傳輸層的特性而具有高效率和長壽命， 所述Ρ型電荷生成層僅僅由有機材料形成，并且所述Ρ型電荷生成層中包含的至少一種有 機材料具有-6.OeV至-4. 5eV的LUM0能級。此結構的空穴傳輸層為30~70nm的單一有 機材料，對空穴傳輸層的材料要求較高，且需要將P型材料摻雜到該空穴傳輸層HTL中才能 起到良好的電荷生成效果。

【發(fā)明內容】

[0004] 為此，本發(fā)明所要解決的技術問題在于現有技術中電壓高且制備困難的問題，進 而提供一種串聯(lián)白色有機發(fā)光器件，由于第一空穴傳輸層采用線性蒸發(fā)源蒸鍍形成濃度梯 度連續(xù)結構，減少蒸鍍腔室蒸發(fā)源數量，使空穴注入勢皇大大降低，從而可以顯著降低器件 的電壓，提高效率。
[0005] 為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：
[0006] -種串聯(lián)白色有機發(fā)光器件，包括基板，以及堆疊設置的第一電極層、若干藍光焚 光發(fā)光單元、若干電荷產生層、若干發(fā)光波長大于500nm的磷光發(fā)光單元和第二電極層，相 鄰的藍光熒光發(fā)光單元和磷光發(fā)光單元之間設置有η型材料構成的η型電荷生成層；
[0007] 所述的磷光發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層、磷光發(fā)光層和第一電子傳輸層；所述 的第一空穴傳輸層包括第一空穴材料層，由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料構成的 過渡層和第二空穴材料層；所述第一空穴材料層與所述η型電荷生成層接觸；
[0008] 所述的過渡層中所述的第二空穴傳輸材料的摻雜濃度沿遠離所述第一空穴材料 層的方向逐漸升高；
[0009] 所述第一空穴傳輸材料HTL1的HOMO能級與η型材料的LUM0相差在0. 3eV以內， 即HTLlH0MCI_NLUMCI^i0· 3eV;
[0010] 所述第二空穴傳輸材料HTL2的三線態(tài)能級T1大于2. 5eV，HOMO與磷光發(fā)光層的 主體材料的Η0Μ0能級差小于0. 3eV，即HTL2_-H0ST_< 0. 3eV。
[0011] 在所述過渡層中，沿遠離所述第一空穴材料層的方向，所述第二空穴傳輸材料的 分布濃度由〇 %逐漸升高至100%。
[0012] 所述的第一空穴傳輸材料為HOMO低于4.OeV的芳胺類空穴傳輸材料，第二空穴傳 輸材料為三苯胺類衍生物或TADF材料。
[0013] 所述芳胺類空穴傳輸材料為NPB、B-NPB、TPD、BPD中的一種或其中幾種的混合物； 所述的三苯胺類衍生物為TCTA;所述的TADF為PICTRZ。
[0014] 所述η型材料為電子親和勢EA滿足4.OeV<EA<6. 5eV的有機材料。
[0015] 所述η型材料選自HAT-CN、PTCBI和PTCDA中的一種或任意組合。
[0016] 所述的藍光熒光發(fā)光單元為1-5層，和所述磷光發(fā)光單元為1-5層。
[0017] 所述過渡層是由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料線性蒸發(fā)源蒸鍍制備而 成，其中蒸鍍過程中第一空穴傳輸材料所占比例由100%逐漸將至〇%，所述第二空穴傳輸 材料所占比例由〇 %逐漸將至1〇〇 %。
[0018] 所述的第一空穴材料層的厚度5-20nm，過渡層厚度為20~50nm，第二空穴材料層 的厚度為5-20nm。
[0019] 本發(fā)明的上述技術方案相比現有技術具有以下優(yōu)點：
[0020] 本發(fā)明的藍光熒光發(fā)光單元和磷光發(fā)光單元之間設置有η型電荷生成層；所述磷 光發(fā)光單元的空穴傳輸層包括第一空穴材料層，由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料 構成的過渡層和第二空穴材料層；所述的第一空穴材料層和η型電荷生成層共同構成電荷 生成層，其中所述的第一空穴材料層兼做電荷生成層的Ρ型電荷生成層。所述第一空穴傳 輸材料HTL1的HOMO能級與η型材料的LUM0相差在0· 3eV以內，即HTL1h_-N_< 0· 3eV， 所述第二空穴傳輸材料HTL2的三線態(tài)能級T1大于2. 5eV，HOMO與磷光發(fā)光層的主體材料 的Η0Μ0能級差小于0· 3eV，即ΗΤΙΛΜ(]-Η03ΤΗυΜ。彡0· 3eV。制備時采用線源蒸鍍，形成濃度 梯度連續(xù)的摻雜空穴傳輸層HTL，可以減少蒸鍍腔室蒸發(fā)源數量，降低設備成本。采用梯度 變化的HTL結構，使空穴注入勢皇大大降低，從而可以顯著降低器件的電壓，提高效率。
【附圖說明】
[0021] 為了使本發(fā)明的內容更容易被清楚地理解，下面根據本發(fā)明的具體實施例并結合 附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中
[0022] 圖1為本發(fā)明的串聯(lián)白色有機發(fā)光器件的結構示意圖；
[0023] 圖2為串聯(lián)白色有機發(fā)光器件的能級結構示意圖；
[0024] 圖3為第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料摻雜濃度示意圖；
[0025]圖4為串聯(lián)白色有機發(fā)光器件的第二實施方式的結構示意圖；
[0026] 圖5為串聯(lián)白色有機發(fā)光器件的壽命曲線；
[0027] 圖6為第一空穴傳輸層的制備過程示意圖。
[0028] 其中：1_第一電極層，2-第二空穴傳輸層，3-藍光熒光發(fā)光層，4-第二電子傳輸 層，5-n型電荷生成層，6-第一空穴傳輸層，61-第一空穴材料層，62-過渡層，63-第二空穴 材料層，7-磷光發(fā)光層，8-第一電子傳輸層，9-第二電極層，10-空穴注入層。
【具體實施方式】
[0029] 本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應該被理解為限于在此闡述的實施例。 相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構思充分傳達給 本領域技術人員，本發(fā)明將僅由權利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū) 域的尺寸和相對尺寸。應當理解的是，當元件例如層、區(qū)域或基板被稱作"形成在"或"設置 在"另一元件"上"時，該元件可以直接設置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。 相反，當元件被稱作"直接形成在"或"直接設置在"另一元件上時，不存在中間元件。
[0030] 實施例1
[0031] 如圖1所示，本發(fā)明的一種串聯(lián)白色有機發(fā)光器件，包括基板，以，以及堆疊設置 第一電極層1、若干藍光焚光發(fā)光單元、若干電荷生成層、若干發(fā)光波長大于500nm的磷光 發(fā)光單元和第二電極層9 ;圖1所示的串聯(lián)白色有機發(fā)光器件的藍光熒光發(fā)光單元和磷光 發(fā)光單元分別為1層。
[0032] 相鄰的藍光熒光發(fā)光單元和磷光發(fā)光單元之間設置有η型材料構成的η型電荷生 成層5 ;所述的磷光發(fā)光層可以為紅光染料和綠光染料共摻的磷光發(fā)光層或黃光磷光發(fā)光 層。
[0033] 所述的磷光發(fā)光單元包括第一空穴傳輸層6、磷光發(fā)光層7和第一電子傳輸層8 ; 所述的第一空穴傳輸層6包括第一空穴材料層61，由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材 料構成的過渡層62和第二空穴材料層63 ;所述第一空穴材料層61與所述η型電荷生成層 5接觸；所述的第一空穴材料層61和η型電荷生成層5共同構成電荷生成層，其中所述的 第一空穴材料層61兼做電荷生成層的ρ型電荷生成層。
[0034] 所述的過渡層中所述的第二空穴傳輸材料的摻雜濃度沿遠離所述第一空穴材料 層61的方向逐漸升高；
[0035] 所述第一空穴傳輸材料HTL1的HOMO能級與η型材料的LUM0相差在0