1.用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：包括光電離/光誘導(dǎo)締合電離離子化及離子傳輸機(jī)構(gòu)、氣體進(jìn)樣機(jī)構(gòu)、高通量射頻真空紫外光源機(jī)構(gòu)和離子源與質(zhì)譜接口機(jī)構(gòu)，氣體進(jìn)樣機(jī)構(gòu)與光電離/光誘導(dǎo)締合電離離子化及離子傳輸機(jī)構(gòu)固定連接，高通量射頻真空紫外光源機(jī)構(gòu)與光電離/光誘導(dǎo)締合電離離子化及離子傳輸機(jī)構(gòu)固定連接，離子源與質(zhì)譜接口機(jī)構(gòu)與光電離/光誘導(dǎo)締合電離離子化及離子傳輸機(jī)構(gòu)固定連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：光電離/光誘導(dǎo)締合電離離子化及離子傳輸機(jī)構(gòu)包括離子源腔體外殼、金屬柵網(wǎng)、電離器、離子聚焦引入電極、離子源抽氣管，電離器與氣體進(jìn)樣機(jī)構(gòu)密封連接，連接處設(shè)金屬柵網(wǎng)，電離器、離子聚焦引入電極位于離子源腔體外殼內(nèi)，離子源腔體外殼上部和下部對稱設(shè)置有離子源抽氣管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：氣體進(jìn)樣機(jī)構(gòu)包括樣品氣進(jìn)樣管和鞘氣進(jìn)樣管，樣品氣進(jìn)樣管和鞘氣進(jìn)樣管均為不銹鋼管，鞘氣進(jìn)樣管的徑向兩側(cè)對稱引入鞘氣，樣品氣進(jìn)樣管位于鞘氣進(jìn)樣管內(nèi)部，且與鞘氣進(jìn)樣管同軸設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：鞘氣進(jìn)樣管內(nèi)通入的氣體為0.01%~10%的ch2cl2，輔助氣體為n2或he。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：高通量射頻真空紫外光源機(jī)構(gòu)包括放電氣體流動腔、放電氣體進(jìn)氣管、放電氣體出氣管、射頻激發(fā)線圈、射頻電源、密封圈、氟化鎂透鏡、放電氣體流動腔密封蓋和氟化鎂透鏡密封蓋，放電氣體進(jìn)氣管和放電氣體出氣管位于放電氣體流動腔的上端，呈t型分布，放電氣體流動腔外壁下方纏繞有射頻激發(fā)線圈，射頻激發(fā)線圈一端連接射頻電源，其另一端接地，放電氣體流動腔底端通過同軸安裝的密封圈與氟化鎂透鏡出光口密封連接，密封圈外固定設(shè)有密封蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：放電氣體流動腔為圓筒形石英燈管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：氟化鎂透鏡出光口與電離器密封連接，其出光方向與樣品氣進(jìn)樣管方向垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：離子源與質(zhì)譜接口機(jī)構(gòu)包括質(zhì)譜采樣錐、軌道阱質(zhì)譜進(jìn)樣口和電路接口，質(zhì)譜采樣錐與離子源腔體外殼密封連接，質(zhì)譜采樣錐處設(shè)有軌道阱質(zhì)譜進(jìn)樣口，且軌道阱質(zhì)譜進(jìn)樣口與質(zhì)譜采樣錐之間留有通道，通道內(nèi)有采樣保護(hù)氣通過，電路接口內(nèi)嵌于軌道阱質(zhì)譜進(jìn)樣口上方的腔體外殼。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：離子聚焦引入電極為中空的圓形不銹鋼板，其與電離器出口的圓孔、質(zhì)譜采樣錐同軸絕緣安裝。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于耦合大氣壓接口軌道阱質(zhì)譜的復(fù)合離子源裝置，其特征在于：質(zhì)譜采樣錐與樣品氣進(jìn)樣管同軸安裝。