本說明書公開的技術(shù)涉及開關(guān)元件。
背景技術(shù)：
1、在日本專利公開2015-167208號公報中公開了具有溝槽型的柵極電極的開關(guān)元件。當開關(guān)元件斷開時，漂移區(qū)域被耗盡化，在漂移區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電場。在這種開關(guān)元件中，電場容易集中于溝槽的下端。為了抑制溝槽的下端的電場集中，已知有設(shè)置p型的電場緩和區(qū)域的技術(shù)。電場緩和區(qū)域被配置在包含溝槽的下端的深度范圍、或者比溝槽的下端靠下側(cè)的深度范圍。如果設(shè)置電場緩和區(qū)域，則耗盡層容易向溝槽的下端的周邊擴展，溝槽的下端的電場集中被緩和。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、可知即使是設(shè)置有電場緩和區(qū)域的開關(guān)元件，在元件部(即，設(shè)置有溝槽的部分)的外周部中電場也容易集中于溝槽的下端。在本說明書中，提出了緩和元件部的外周部中的電場集中的技術(shù)。
2、本說明書所公開的開關(guān)元件具有：半導體襯底，在上表面設(shè)置有多個溝槽；柵極絕緣膜，覆蓋所述溝槽的內(nèi)表面；柵極電極，配置在所述溝槽內(nèi)，并且被所述柵極絕緣膜從所述半導體襯底絕緣。所述半導體襯底中的設(shè)置有所述多個溝槽的部分是元件部。所述元件部具有中央部和外周部。所述元件部具有在各所述溝槽的側(cè)面與所述柵極絕緣膜相接的n型的源極區(qū)域。所述元件部和所述外周部具有體區(qū)域、漂移區(qū)域以及電場緩和區(qū)域。所述體區(qū)域是在各所述溝槽的所述側(cè)面與所述柵極絕緣膜相接的p型區(qū)域。所述漂移區(qū)域為n型區(qū)域，被配置在所述體區(qū)域的下側(cè)，通過所述體區(qū)域而與所述源極區(qū)域分離，在各所述溝槽的所述側(cè)面與所述柵極絕緣膜相接。所述電場緩和區(qū)域為多個p型區(qū)域，被配置在包含各所述溝槽的下端的深度范圍或比各所述溝槽的下端靠下側(cè)的深度范圍，與所述體區(qū)域相連，在所述半導體襯底的橫向上隔開間隔地配置。所述漂移區(qū)域分布在所述電場緩和區(qū)域之間的所述間隔內(nèi)。所述各電場緩和區(qū)域的所述橫向上的寬度wp除以各所述電場緩和區(qū)域之間的所述間隔的寬度wn而得到的值wp/wn在所述外周部比在所述中央部大。
3、在該開關(guān)元件中，通過電場緩和區(qū)域來緩和各溝槽的下端的電場。另外，電場緩和區(qū)域被配置為值wp/wn在外周部比中央部大。即，在電場緩和區(qū)域的深度范圍內(nèi)，在外周部p型區(qū)域的比率比在元件部大。因此，在外周部，與元件部相比，耗盡層容易從電場緩和區(qū)域向其周圍擴展。因此，外周部的溝槽的下端的電場集中被有效地緩和。這樣，根據(jù)該開關(guān)元件，能夠緩和元件部的外周部的電場集中。
1.一種開關(guān)元件，
2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)元件，
3.如權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)元件，所述外周部不具有所述源極區(qū)域。