專利名稱：：從無機(jī)硅烷中去除含雜質(zhì)的金屬的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于處理含有無機(jī)硅烷和至少一種含雜質(zhì)的金屬(Fremdmetall)和/或含有含雜持的金屬的化合物的組合物的方法，其中使組合物與至少一種吸附劑接觸并獲得其中含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物含量降低的組合物，以及涉及相應(yīng)的具有減少的含雜質(zhì)的金屬含量的組合物，以及還有有機(jī)樹脂、活性炭、硅酸鹽和/或沸石用于減少無機(jī)硅烷組合物中含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的用途。
背景技術(shù)：
：用于微電子的，例如用于借助外延生長(zhǎng)法或利用氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)、碳氧化硅(SiOC)或碳化硅(SiC)制備高純硅的硅化合物必須在其純度方面滿足特別高的要求。這一點(diǎn)特別在制備這些材料的薄層時(shí)也是如此。在芯片制造中，含有金屬雜質(zhì)的硅化合物的摻雜會(huì)導(dǎo)致不理想地?fù)诫sepitaktischen層，例如epitaktische硅層。例如，四氯化硅(SiCU)還可用于制備光波導(dǎo)。為此應(yīng)用，SiCU需要很高的純度。在此，特別的是，金屬和/或基于金屬的雜質(zhì)有著顯著缺陷，即使它們只是以檢測(cè)極限的范圍或幾個(gè)^ig/kg^ppb)的量含有時(shí)。囟代硅烷中的金屬雜質(zhì)通過提高衰減值并由此降低信號(hào)傳遞而對(duì)光波導(dǎo)的衰減性有著消極影響。另夕卜，高純度的HSiCl3在制備太陽(yáng)能電池硅中是一種重要的加入物。通常，高純度的卣代硅烷和/或氳卣代硅烷是電子業(yè)，半導(dǎo)體業(yè)以及制藥工業(yè)中所追求的原料化合物。由于從硅制備例如四氯硅烷的方法的條件所限，存在于硅中的雜質(zhì)多數(shù)情況下同樣會(huì)被氯化并部分地會(huì)拖延到后面的合成步驟中。特別地，這類氯化的金屬雜質(zhì)在制備電子業(yè)中的零件時(shí)同樣會(huì)起到不利影響。EP0684245A2中已知通過在吸附劑上的吸附來減小卣代硅烷中的烴含量的方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種減少無機(jī)硅烷中的含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量的方法。另外，本方法應(yīng)成本低廉且簡(jiǎn)單可操作。此外，本發(fā)明目的也在于提供具有最小含雜質(zhì)的金屬含量和/或最小含有含雜質(zhì)的金屬的化合物含量的無機(jī)硅烷。該目的可根據(jù)權(quán)利要求書中的描述方案來解決?，F(xiàn)已驚奇地發(fā)現(xiàn)，通過與至少一種吸附劑，特別是干燥的吸附劑接觸而處理包括無機(jī)硅烷和至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的組合物，并獲得含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量顯著減少的組合物。因此，本發(fā)明的主題在于一種用于處理含有無機(jī)硅烷和至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的組合物的方法，其中，使組合物與至少一種吸附劑，特別是干燥的吸附劑接觸并且獲得其含雜質(zhì)的金屬和/或至少一種含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量減少的組合物。其中特別有益的是，含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物含量——通常涉及的是含雜質(zhì)的金屬或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的殘余含量，該余量通過蒸鎦^^艮難或者不能進(jìn)一步被除去——特別可相互獨(dú)立地分別降低到低于100jag/kg、特別是低于25pg/kg、優(yōu)選低于15pg/kg、特別優(yōu)選低于10)ag/kg的范圍內(nèi)的含量。通常可通過定量分析法，例如技術(shù)人員所熟知的那些確定含雜質(zhì)的金屬或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物，例如利用原子吸收光譜(AAS)或光度計(jì)，特別通過電感-耦合-等離子質(zhì)譜儀(ICP-MS)以及電感-耦合-等離子、發(fā)射光譜儀(ICP-OES)_—這些只是提及的一些可能方式。作為無機(jī)硅烷，要理解為特別是卣代硅烷，氬卣代硅烷(Hydrogenhalogensilane),以至少一個(gè)有機(jī)基團(tuán)取代的囟代石圭烷和/或以至少一個(gè)有機(jī)基團(tuán)取代的氫卣代硅烷，以及這些硅烷的混合物。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，也可以包括純的氳硅烷(Hydrogensilane)。在含卣素的無機(jī)硅烷中，各個(gè)卣素可以相互獨(dú)立于其他卣素原子地選自氟、氯、溴或碘，從而使得也可以例如含有混合的卣代硅烷如SiBrCl2F或SiBr2ClF。優(yōu)選屬于無機(jī)硅烷的是氯取代的、主要是單體硅烷，例如四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷、曱基三氯硅烷、三氯曱基硅烷、三曱基氯硅烷、二曱基二氯硅烷、苯基曱基二氯硅烷、苯基三氯硅烷、乙烯基三氯硅烷、二氫二氯硅烷。但根據(jù)本發(fā)明方法，也可以減少單體硅烷的含雜質(zhì)的金屬含量，單體硅烷如四曱基硅烷、三曱基硅烷、二甲基硅烷、甲基硅烷、甲硅烷或有機(jī)氫硅烷或者也可以是乙硅烷、丙硅烷、四硅烷和/或五硅烷以及更高級(jí)的同系硅烷。但是除了這些優(yōu)選的、主要是單體的化合物之外，也可以是相應(yīng)地在其含雜質(zhì)的金屬含量方面減少的其他二聚的化合物，例如六氯乙硅烷、低聚化合物，如八氯代丙硅烷、十氯代四硅烷，和更高級(jí)的同系卣代聚硅烷以及混合氫化的卣代聚硅烷，如五氯代氫乙硅烷或四氯代二氬乙硅烷，以及這些物質(zhì)與單體的、直鏈的、分支的和/或環(huán)狀的低聚和/或高聚的無機(jī)硅烷的混合物。屬于環(huán)狀低聚化合物的有SlnX2n型的化合物，其中11〉3,如Si5Cho，屬于聚合無機(jī)化合物的有例如卣代聚硅烷，即聚卣化硅SinX^+2,其中11>5和/或聚硅氫鹵化物SinHaX[(2n+2)-a]，其中11>2,且0《a《(2n+2),其中的X均表示卣素，如F、Cl、Br、I,特別是C1。其中金屬不對(duì)應(yīng)于硅的各物質(zhì)都視作為含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物。特別優(yōu)選選擇性地從含無機(jī)硅烷的組合物中吸附至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物，并且所述吸附既可以在溶液中也可以在氣相中進(jìn)行。作為含雜質(zhì)的金屬或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物也可理解為是半金屬或含有半金屬的化合物，例如硼和三氯化硼。特別的，待減少的含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物涉及的是金屬卣化物，金屬氫卣化物和/或金屬氳化物以及這些化合物的混合物。但也可以以非常好的效果將以有機(jī)基團(tuán)，如烷基或芳基官能化的金屬卣化物，金屬氫囟化物或金屬氬化物從無機(jī)硅烷中除去。這些例子可以是三氯化鋁或還有氯化鐵(ni)以及還有攜帶的顆粒金屬，它們可以來自于連續(xù)進(jìn)行的工藝。優(yōu)選可以降低硼、鋁、鉀、鋰、鈉、鎂、4丐和/或鐵的含量，特別是除去基于這些金屬的化合物。本發(fā)明的方法特別適于分離或減少含有含雜質(zhì)的金屬的化合物，且所述化合物的沸點(diǎn)在無機(jī)硅烷的沸點(diǎn)范圍內(nèi)或者會(huì)與其轉(zhuǎn)化為共沸物。所述含有含雜質(zhì)的金屬的化合物部分地僅難以通過蒸餾除去或者根本不可能除去。作為在無機(jī)硅烷化合物的沸點(diǎn)范圍內(nèi)的沸點(diǎn)值，可以是在常壓下在無機(jī)硅烷沸點(diǎn)的±20。C范圍內(nèi)的沸點(diǎn)值(約1013,25hPa或1013,25mbar)。通常，可以將含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物減少50至99重量％。優(yōu)選將含雜質(zhì)的金屬含量減少70至99重量％,特別優(yōu)選減少85至99重量％。對(duì)于含4^的組合物，該方法能實(shí)現(xiàn)將殘余含量減少95至99重量％。通常，例如無積J圭烷組合物的鋁含量可以下降50至99重量%,優(yōu)選85至99重量％,而硼含量減少至少70重量％,優(yōu)選減少95至99.5重量％。組合物中含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量，以金屬化合物計(jì)，特別優(yōu)選相互獨(dú)立地均降低到低于100fxg/kg，特別是低于25嗎/kg,更優(yōu)選低于15嗎/kg,特別優(yōu)選0.1至10ing/kg直至各自可檢測(cè)極限值的范圍內(nèi)的含量。吸附劑(與Adsorbentien同義)，并且其還可以是親水和/或疏水的。根據(jù)所要分離的何種含雜質(zhì)的金屬或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物，可以合乎目的地采用親水和疏水吸附劑的混合物或也可以采用具有兩種功能的吸附劑。吸附劑可以選自有機(jī)樹脂、活性炭、硅酸鹽，特別是選自硅膠(Silicagelen)或硅膠(Kieselgelen),和/或沸石。優(yōu)選的吸附劑是R6hmHaas公司的AmberliteTMXAD-4樹脂，活性炭，特別是蘇長(zhǎng)巖活性炭，蒙脫石，特別是蒙脫石KIO,沸石，如WessalithF20,以及珪膠，如、煅燒石圭酸或沉淀石圭酸，特別優(yōu)選SilicaGelGraceType432(在550。C下擠出)或Aerosi1⑧200。通常，根據(jù)本發(fā)明對(duì)含有無機(jī)硅烷的組合物作如下處理首先小心地千燥吸附劑，以防止待提純的硅烷水解。接著在保護(hù)氣體氣氛下使干燥的吸附劑與組合物相接觸，任選進(jìn)行攪拌。較為合適地，在室溫和常壓下處理若干小時(shí)。通常，使組合物與吸附劑接觸1分鐘直至10小時(shí)，一般最高達(dá)5小時(shí)。通常通過過濾、離心或沉降而獲得或分離經(jīng)提純的組合物。根據(jù)需要可以不連續(xù)或連續(xù)地進(jìn)行方法過程。所得的基于無機(jī)硅烷的組合物具有減少50至99重量％的含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量。同樣，本發(fā)明的主題還在于一種用于處理含無機(jī)硅烷和至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的組合物的方法，根據(jù)上述的方法，其中至少一種無機(jī)硅烷對(duì)應(yīng)于通式I,SinHaRbX((2n+2)-a-b)(I)其中l(wèi)《n《5,0<a<12,0《b<12,且硅烷內(nèi)各X相互獨(dú)立地為卣素，選自氟、氯、溴或碘，并且硅烷中每個(gè)基團(tuán)R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的具有1至16個(gè)C原子的烷基或芳基。其中所謂芳基也可理解為具有直鏈、分支或環(huán)狀并有1至8個(gè)C原子的烷基的烷基取代的芳基。特別優(yōu)選，至少一個(gè)珪烷對(duì)應(yīng)于通式I,其中11=1，又=氯，0《a《3,0《b《3且a+b《3,而R對(duì)應(yīng)于直鏈、分支和/或環(huán)狀的并具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基。屬于特別優(yōu)選的無機(jī)硅烷的是氯取代的單體硅烷，其中n-l而X二Cl,例如四氯硅烷、三氯硅烷、三氯甲基硅烷、三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷、乙烯基三氯硅烷、二氳二氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷、甲基三氯硅烷。優(yōu)選本發(fā)明方法也適于處理含有通式I類型的化合物的組合物，SinHaRbX((2n+2)-a-b)(I)其中11=1,a^4或0《a《3,0《b《3且a+b《3,或者是所述組合物含二聚化合物其中『2，0《a《4,0《b《4并且其中硅烷中的每個(gè)X相互獨(dú)立地為鹵素，選自氟、氯、溴或碘，并且硅烷中每個(gè)基團(tuán)R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基。其中所謂芳基也可理解為具有直鏈、分支或環(huán)狀并有1至8個(gè)C原子的烷基的烷基取代的芳基。在三聚的直鏈化合物中r^3,0<a《8,0《b《8,其中X和R的取^才莫式可以如上所述。相應(yīng)地，在11=4,0《a《10,0《b《10的四聚化合物中的取代模式和在n-5,0<a《12,0《b《12的五聚直鏈化合物中的取代才莫式，其中X和R的取代;f莫式也可如上所述，其中以卣素取代的化合物為優(yōu)選。該組合物的含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量以金屬化合物為基準(zhǔn)計(jì)，特別優(yōu)選相互獨(dú)立地均可減少到低于100pg/kg,特別是低于25嗎/kg,更優(yōu)選低于15嗎/kg,特別優(yōu)選低于10)Llg/kg的范圍內(nèi)的含量。為進(jìn)行本發(fā)明的方法，既可采用已經(jīng)提及的無機(jī)的也可采用有機(jī)的親水和/或疏水的吸附劑。另外，本發(fā)明也涉及一種含有至少一種通式I的無機(jī)硅烷的組合物，Sl'nHaRbX((2n+2)-a-b)(0其中l(wèi)《n《5，0<a《12,0《b《12而珪烷中每個(gè)X相互獨(dú)立地為卣素且硅烷中每個(gè)基團(tuán)R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的且具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基，其中含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量，特別相互獨(dú)立地均為低于100iug/kg,特別是低于25iug/kg,優(yōu)選低于15)iig/kg,特別優(yōu)選低于10iag/kg。作為含雜質(zhì)的金屬，特別有硼、鋁、4^、鈣、^:、鉀和/或鋰。特別優(yōu)選的組合物含有至少一種其中n=l、X二氯、0《a《3、0<b<3且a+b《3的無機(jī)石圭烷，其中的R特別相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基。本發(fā)明主題也在于有機(jī)樹脂，活性炭，硅酸鹽，特別是硅膠和/或沸金屬和/或至少一種含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量，SinHaRbX((2n+2)-a-b)(I)其中l(wèi)《n《5,0《a《12,0《b《12,而石圭烷中每個(gè)X相互獨(dú)立地為卣素且硅烷中每個(gè)基團(tuán)R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的且具有1至16個(gè)C原子的烷基或芳基。優(yōu)選組合物含有選自通式I的化合物的無機(jī)硅烷，其中11=1、乂=氯、0《a《3、CKb<3JLa+b《3,其中R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的具有1至16個(gè)C原子的烷基或芳基。通過以下實(shí)施例來進(jìn)一步闡述本發(fā)明。具體實(shí)施例方式實(shí)施例實(shí)施例l.l吸附劑的預(yù)處理在應(yīng)用于本方法之前謹(jǐn)慎地干燥吸附劑，以避免待提純的硅烷水解。實(shí)施例1.2處理被含雜質(zhì)的金屬和/或金屬化合物污染的硅烷的一般工藝步驟將定義量的吸附劑預(yù)置入500ml的攪拌設(shè)備中，所述攪拌設(shè)備包括帶有冷卻劑(水，干水)的四頸玻璃燒瓶、滴液漏斗、攪拌器、溫度計(jì)和氮?dú)饨涌?，并在真空?<lmbar)和約170。C下干燥超過5小時(shí)，其后緩慢通入干燥的氮?dú)獠⒗鋮s。接著經(jīng)由滴液漏斗添加250ml待提純的硅烷。經(jīng)過5個(gè)小時(shí)的時(shí)間，在常壓和室溫下并于保護(hù)氣體氣氛中進(jìn)行吸附過程。從硅烷中分離吸附劑，方法是使其在帶有排出裝置的抽真空的500ml玻璃瓶中通過玻璃料(Por.4)。然后將氮?dú)馔ㄈ氩Ａ坎⑴湃胍缘獨(dú)鉀_洗的Schott玻璃瓶中。實(shí)施例1.3根據(jù)采用這里所述量按照一般工藝步驟來進(jìn)行以下實(shí)施例。根據(jù)如實(shí)施例1.2中所述的一4殳規(guī)定預(yù)處理119.97gAmberliteXAD4，并添加250ml的三氯硅烷。金屬含量在處理之前和之后利用ICP-MS確定。表1.3處理之前和之后的含雜質(zhì)的金屬含量<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>實(shí)施例1.4根據(jù)采用這里所述量按照一般工藝步驟來進(jìn)行以下實(shí)施例。根據(jù)如實(shí)施例1.2中所述的一般規(guī)定預(yù)處理40.01g蒙脫石KIO,并添加250ml的三氯硅烷。金屬含量在處理之前和之后利用ICP-MS確定。表1.4處理之前和之后的含雜質(zhì)的金屬含量<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實(shí)施例1.5根據(jù)采用這里所述量按照一般工藝步驟來進(jìn)行以下實(shí)施例。根據(jù)如實(shí)施例1.2中所述的一般規(guī)定預(yù)處理20.17gWessalithF20,并添加250ml的三氯硅烷。金屬含量在處理之前和之后利用ICP-MS確定。表1.5處理之前和之后的含雜質(zhì)的金屬含量<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>權(quán)利要求1、用于處理含有無機(jī)硅烷和至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的組合物的方法，其特征在于，使組合物與至少一種吸附劑接觸并獲得其中含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量降低的組合物。2、如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，無機(jī)硅烷選自卣代硅烷，氫卣代硅烷，有機(jī)氬硅烷，氫硅烷，其選自被至少一個(gè)有機(jī)基團(tuán)取代的卣代硅烷和/或選自被至少一個(gè)有機(jī)基團(tuán)取代的氬卣代硅烷和/或這些硅烷的混合物。3、如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，鹵素是氯。4、如權(quán)利要求1至3之一所述的方法，其特征在于，無機(jī)硅烷以單體、二聚體、低聚體和/或聚合物的形式存在。5、如權(quán)利要求1至4之一所述的方法，其特征在于，含有含雜質(zhì)的金屬的化合物選自金屬卣化物、金屬氫化物、以有機(jī)基團(tuán)取代的金屬卣化物和/或以有機(jī)基團(tuán)取代的金屬氬化物。6、如權(quán)利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，在常壓下含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的沸點(diǎn)在無機(jī)硅烷的沸點(diǎn)的±20°C的范圍內(nèi)。7、如權(quán)利要求1至6之一所述的方法，其特征在于，含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物包括硼、鋁、鈉、鉀、鋰、鎂、鈣和/或鐵。8、如權(quán)利要求1至7之一所述的方法，其特征在于，含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量減少50至99重量％。9、如權(quán)利要求1至8之一所述的方法，其特征在于，含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量均降低到小于100ng/kg。10、如權(quán)利要求1至9之一所述的方法，其特征在于，吸附劑是親水和/或疏水的。11、如權(quán)利要求1至10之一所述的方法，其特征在于，吸附劑選自有機(jī)樹脂、活性炭、硅酸鹽和/或沸石。12、如權(quán)利要求l至ll之一所述的方法，其特征在于，所述方法非連續(xù)或連續(xù)地進(jìn)行。13、用于制備含有無機(jī)硅烷和至少一種如權(quán)利要求1至12之一所述的含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的組合物的方法，其特4正在于，至少一種無才幾;圭烷對(duì)應(yīng)于通式I,SinHaRbX((2n+2)-a-b)(I)其中l(wèi)《n《5,0《a《12,0《b《12,且珪烷內(nèi)各X相互獨(dú)立地為卣素，并且硅烷中每個(gè)基團(tuán)R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的具有1至16個(gè)C原子的烷基或芳基。14、如;K利要求13所述的方法，其特4正在于，具有n-l,乂=氯，0《a《3,0《b《3且a+b《3的無才幾石圭;t克對(duì)應(yīng)于通式I,SinHaRbX((2n+2)>a-b>(I)而R對(duì)應(yīng)于直鏈、分支和/或環(huán)狀的并具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基。15、如權(quán)利要求13或14之一所述的方法，其特征在于，硅烷為甲硅烷，一氯硅烷，二氯硅烷，三氯硅烷，四氯硅烷，甲基三氯硅烷，二甲基二氯硅烷和/或三曱基氯硅烷。16、組合物，其含有至少一種通式I的無機(jī)硅烷，SinHaRbX((2n+2》a-b)(I)其中l(wèi)《n《5,0《a<12，0《b<12，而；圭烷中每個(gè)X相互獨(dú)立地為卣素且硅烷中每個(gè)基團(tuán)R相互獨(dú)立地為直鏈、分支和/或環(huán)狀的具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基，其特征在于，含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量各自低于100^ig/kg。17、如權(quán)利要求16所述的組合物，其特征在于，具有11=1,乂=氯，0<a《3,(KbK3且a+b《3的無機(jī)珪烷對(duì)應(yīng)于通式I,SinHaRbX((2n+2)-a-b)(I)而R對(duì)應(yīng)于直鏈、分支和/或環(huán)狀的并具有l(wèi)至16個(gè)C原子的烷基或芳基。18、如權(quán)利要求16或17之一所述的組合物，其特征在于，含雜質(zhì)的金屬含量和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量均低于25pg/kg。19、有機(jī)樹脂、活性炭、硅酸鹽和/或沸石用于從含無機(jī)硅烷的組合物中減少至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或至少一種含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量的用途。20、如權(quán)利要求19所述的用途，用于從如權(quán)利要求16至18之一所述的含無機(jī)硅烷的組合物中減少至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或至少一種含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的含量。全文摘要本發(fā)明涉及從無機(jī)硅烷中去除含雜質(zhì)的金屬。本發(fā)明涉及一種用于處理含有無機(jī)硅烷和至少一種含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的組合物的方法，其中使組合物與至少一種吸附劑接觸并獲得其中含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物含量降低的組合物，以及具有減少的含雜質(zhì)的金屬含量的相應(yīng)組合物，以及有機(jī)樹脂、活性炭、硅酸鹽和/或沸石用于減少無機(jī)硅烷的組合物中含雜質(zhì)的金屬和/或含有含雜質(zhì)的金屬的化合物的用途。文檔編號(hào)C01B33/107GK101412513SQ20081017144公開日2009年4月22日申請(qǐng)日期2008年10月17日優(yōu)先權(quán)日2007年10月20日發(fā)明者E·穆,H·J·霍恩,H·勞爾德,J·蒙基維奇,R·索南謝恩申請(qǐng)人:贏創(chuàng)德固賽有限責(zé)任公司