本發(fā)明的實施方式大體上關(guān)于用于處理基板的設(shè)備的部件，具體地關(guān)于對于用于處理基板的設(shè)備的部件的保護涂層。
背景技術(shù)：
1、在半導(dǎo)體裝置中利用的基板以若干不同方式在各種狀態(tài)下被處理。發(fā)明人已經(jīng)觀察到某些較高溫度等離子體處理造成對于使用以處理基板的設(shè)備的部件的加速磨耗與其他損害。尤其，各種金屬硅化物(例如，硅化鈦)的等離子體系沉積涉及使用相對地高溫、包括鹵素(例如，氯與氟)的等離子體，形成腐蝕環(huán)境，其已經(jīng)被觀察到需要頻繁的移除、恢復(fù)、及/或替換。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在一實施方式中，用于處理基板的設(shè)備的部件包含安置在部件的表面的至少一部分上的包含氟化鋁的涂層。
2、在實施方式中，一種涂覆用于處理基板的設(shè)備的部件的方法包含在部件的外表面上安置包含金屬鋁的涂層；及在足以在部件的至少一部分上方形成氟化鋁涂層的狀態(tài)下，使金屬鋁接觸氟化劑。
3、在實施方式中，一種修復(fù)部件的涂層的方法包含從部件移除現(xiàn)存涂層的至少一部分；在部件的外表面上安置包含金屬鋁的涂層；及在足以在部件的至少一部分上方形成氟化鋁涂層的狀態(tài)下，使金屬鋁接觸氟化劑。
4、在實施方式中，一種處理基板的方法包含在用于處理基板的設(shè)備的處理腔室的處理體積內(nèi)安置基板，其中用于處理基板的設(shè)備的至少一部分包含安置在部件的表面的至少一部分上的包含氟化鋁的涂層，使得表面安置在處理體積內(nèi)或面向處理體積；及處理基板。
5、本發(fā)明的其他與進一步實施方式在之后說明。
1.一種用于處理基板的設(shè)備的部件，所述部件包含：
2.如權(quán)利要求1所述的部件，其中所述涂層包含內(nèi)部分與外部分，所述內(nèi)部分接觸所述部件的所述表面且包含金屬鋁，所述外部分形成包含氟化鋁的外表面。
3.如權(quán)利要求2所述的部件，其中所述內(nèi)部分具有大于或等于約1μm的厚度，而所述外部分具有小于或等于約2μm的厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的部件，其中所述內(nèi)部分包含具有大于或等于約95wt％鋁的純度的金屬鋁。
5.如權(quán)利要求1所述的用于處理基板的設(shè)備的部件，其中所述涂層包含三氟化鋁。
6.如權(quán)利要求1所述的部件，其中所述部件包含鎳及/或含鐵合金。
7.如權(quán)利要求1所述的部件，其中所述部件包含不銹鋼。
8.如權(quán)利要求1所述的部件，其中所述部件包含沃斯田鋼。
9.如權(quán)利要求1所述的部件，其中所述部件為用于處理基板及/或半導(dǎo)體裝置的設(shè)備的部件。
10.一種涂覆用于處理基板的設(shè)備的部件的方法，所述方法包含：
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述氟化鋁涂層包含三氟化鋁。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述部件的所述外表面上安置包含金屬鋁的所述涂層包含：電鍍所述部件。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述部件的所述外表面上安置包含金屬鋁的所述涂層包含無電浸漬。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述部件的所述外表面上安置包含金屬鋁的所述涂層包含等離子體噴涂。
15.如權(quán)利要求10至14所述的方法，所述方法進一步包含：在所述部件的外表面上安置包含金屬鋁的涂層之前，從所述部件移除存在于所述部件的外表面上的現(xiàn)存涂層的至少一部分；及
16.一種處理基板的方法，所述方法包含：
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中處理所述基板包含硅化鈦的等離子體沉積。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中包含涂層的所述部件是外殼組件、噴淋頭、基板支撐結(jié)構(gòu)、加熱器的機殼、存在于真空腔室內(nèi)的氣體輸送系統(tǒng)的一部分、或環(huán)形泵送通道，所述涂層包含氟化鋁且安置在所述部件的表面的至少一部分上。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中包含涂層的所述部件是噴淋頭，所述涂層包含氟化鋁且安置在所述部件的表面的至少一部分上。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中包含涂層的所述部件是基板支撐結(jié)構(gòu)，所述涂層包含氟化鋁且安置在所述部件的表面的至少一部分上。