專利名稱：晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及ー種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，晶硅電池的生產(chǎn)主要流程為制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)。其中，利用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)エ藝沉積形成氮化硅減反射層，在減少太陽(yáng)光的反射損失的同時(shí)起到鈍化的作用，提高載流子的少子壽命。利用絲網(wǎng)將金屬漿料印刷在硅片表面，通過(guò)燒結(jié)エ藝使金屬漿料刻蝕透氮化硅膜后與硅表面接觸形成太陽(yáng)能電池的正負(fù)極，完成太陽(yáng)能電池片的制備。
目前，為了使金屬漿料直接與硅片表面接觸降低串聯(lián)電阻，通常是通過(guò)印刷腐蝕漿料將電極柵線位置的氮化硅膜腐蝕掉，然后再清洗掉殘留的腐蝕漿料，這樣處理后與電極相對(duì)應(yīng)的主柵線和細(xì)柵線位置將露出硅片表面。再通過(guò)印刷金屬漿料則將可以直接與硅片表面接觸，從而降低了柵線電阻及燒結(jié)后的接觸電阻。但是，該方法増加了印刷腐蝕漿料以及再清洗的過(guò)程，既增加了エ藝流程又増加了新漿料的使用以及增加了人工，無(wú)形中增加了太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明g在提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中降低晶體硅太陽(yáng)能電池串聯(lián)電阻エ藝步驟復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法。該方法包括制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)，減反射膜的沉積步驟包括遮擋硅片上的主柵線位置；以及沉積氮化硅形成減反射膜。進(jìn)ー步地，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅。進(jìn)ー步地，遮擋硅片上的主柵線位置是通過(guò)將遮擋體放置在硅片上的主柵線位置進(jìn)行物理遮擋而實(shí)現(xiàn)的。進(jìn)ー步地，遮擋體的材質(zhì)是石墨。進(jìn)ー步地，遮擋體包括多條遮擋條，與硅片的主柵線位置相適配。進(jìn)ー步地，遮擋體包括固定遮擋條的框架。 進(jìn)ー步地，框架與硅片的外周相適配。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，減反射膜的沉積步驟中，首先遮擋硅片上的主柵線位置，然后沉積氮化硅形成減反射膜。這樣，通過(guò)阻止主柵線位置沉積氮化硅減反射膜，使絲網(wǎng)印刷時(shí)漿料可以直接沉積在硅表面，避免了漿料刻蝕氮化硅膜后再與硅表面接觸，降低了串聯(lián)電阻，提高了太陽(yáng)能電池的電路電流，從而提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率；而且該方法不需要増加新的エ藝流程，也無(wú)需腐蝕和刻蝕處理，降低了太陽(yáng)能電池的加工成本。


說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)ー步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中圖I示出了硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的遮擋體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明ー種典型的實(shí)施方式，晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法包括制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)，其中，減反射膜的沉積步驟包括遮擋硅片上 的主柵線位置；以及沉積氮化硅形成減反射膜。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，減反射膜的沉積步驟中，首先遮擋硅片上的主柵線位置，然后沉積氮化硅形成減反射膜。這樣，通過(guò)阻止主柵線位置沉積氮化硅減反射膜，使絲網(wǎng)印刷時(shí)漿料可以直接沉積在硅表面，避免了漿料刻蝕氮化硅膜后再與硅表面接觸，降低了串聯(lián)電阻，提高了太陽(yáng)能電池的電路電流，從而提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率；而且該方法不需要増加新的エ藝流程，也無(wú)需腐蝕和刻蝕處理，降低了太陽(yáng)能電池的加工成本。根據(jù)本發(fā)明ー種典型的實(shí)施方式，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅。優(yōu)選地，遮擋硅片上的主柵線位置是通過(guò)遮擋體放置在硅片上的主柵線位置進(jìn)行物理遮擋，物理遮擋具有才做方便，遮擋體可重復(fù)使用。遮擋體的材質(zhì)應(yīng)該是導(dǎo)熱性良好，且耐高溫的材質(zhì)，優(yōu)選地，采用石墨。根據(jù)本發(fā)明ー種典型的實(shí)施方式，遮擋體包括多條遮擋條，該遮擋條與硅片的主柵線位置相適配，即遮擋條剛剛能夠完成覆蓋在主柵線位置上。優(yōu)選地，遮擋體進(jìn)一歩包括固定遮擋條的框架，便于在進(jìn)行噴涂過(guò)程中遮擋條位置的確定，不容易移位。優(yōu)選地，框架與硅片的外周相適配，且多條遮擋條分別與硅片的主柵線位置相適配。根據(jù)本發(fā)明一典型實(shí)施例，如圖I和2所示，遮擋體的框架22與硅片10的外周相適配，遮擋條21與主柵線11相適配，使用時(shí)，只需將遮擋體直接罩設(shè)在硅片上即可，待氮化硅沉積完成后，將遮擋體從硅片上取下即可，然后進(jìn)行后續(xù)的絲網(wǎng)印刷步驟。綜上，應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，減反射膜的沉積步驟中，首先遮擋硅片上的主柵線位置，然后沉積氮化硅形成減反射膜。這樣，通過(guò)阻止主柵線位置沉積氮化硅減反射膜，使絲網(wǎng)印刷時(shí)漿料可以直接沉積在硅表面，避免了漿料刻蝕氮化硅膜后再與硅表面接觸，降低了串聯(lián)電阻，提高了太陽(yáng)能電池的電路電流，從而提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率；而且該方法不需要増加新的エ藝流程，也無(wú)需腐蝕和刻蝕處理，降低了太陽(yáng)能電池的加工成本。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法，包括制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)，其特征在于，所述減反射膜的沉積步驟包括 遮擋硅片上的主柵線位置；以及 沉積氮化硅形成所述減反射膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋硅片上的主柵線位置是通過(guò)將遮擋體放置在所述硅片上的主柵線位置進(jìn)行物理遮擋而實(shí)現(xiàn)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋體的材質(zhì)是石墨。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋體包括 多條遮擋條，與所述硅片的主柵線位置相適配。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述遮擋體進(jìn)一步包括固定所述遮擋條的框架。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述框架與所述硅片的外周相適配。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制備方法。該方法包括制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)，減反射膜的沉積步驟包括遮擋硅片上的主柵線位置；以及沉積氮化硅形成減反射膜。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，減反射膜的沉積步驟中，首先遮擋硅片上的主柵線位置，然后沉積氮化硅形成減反射膜。這樣，通過(guò)阻止主柵線位置沉積氮化硅減反射膜，使絲網(wǎng)印刷時(shí)漿料可以直接沉積在硅表面，避免了漿料刻蝕氮化硅膜后再與硅表面接觸，降低了串聯(lián)電阻，提高了太陽(yáng)能電池的電路電流，從而提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率；而且該方法不需要增加新的工藝流程，也無(wú)需腐蝕和刻蝕處理，降低了太陽(yáng)能電池的加工成本。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK102810600SQ20121029349
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月16日
發(fā)明者范志東, 張小盼, 孔默, 趙學(xué)玲, 郭延嶺 申請(qǐng)人:英利能源(中國(guó))有限公司