1.一種磁共振成像(mri)設(shè)備(1)，所述mri設(shè)備被布置為執(zhí)行對(duì)基本上金屬的部件的成像，所述mri設(shè)備包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mri成像設(shè)備(1)，其特征在于，所述極化裝置(b”)、所述射頻裝置(g)和所述拾取線圈(h)被封閉在屏蔽室(n)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mri成像設(shè)備(1)，其特征在于，所述squid檢測(cè)器(4)和處理裝置(i)的至少一部分被布置在低溫恒溫器(j)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備(1)，其特征在于，所述極化裝置(b”)包括梯度線圈。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備，其特征在于，所述拾取線圈(2’)具有體積梯度幾何形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備，其特征在于，所述拾取線圈具有表面幾何形狀，特別是二階梯度表面幾何形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備，其特征在于，所述拾取線圈(h)包括用于接納電化學(xué)電池單元(a)的裝置，所述電化學(xué)電池單元特別是鋰離子電池單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備，其特征在于，所述拾取線圈包括用于接納電子芯片或部件的裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備，其特征在于，所述拾取線圈包括用于接納工業(yè)機(jī)械結(jié)構(gòu)的裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的mri成像設(shè)備，其特征在于，所述mri成像設(shè)備適于對(duì)發(fā)電廠結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像。
11.一種用于對(duì)包含至少一個(gè)金屬零件的基本上金屬的部件主體(a)進(jìn)行磁共振成像的方法，所述方法在根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的成像設(shè)備中實(shí)現(xiàn)，所述方法包括以下步驟：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的mri成像方法，所述mri成像方法被實(shí)現(xiàn)用于表征電化學(xué)電池單元(a)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的mri成像方法，所述mri成像方法被實(shí)現(xiàn)用于表征包括多個(gè)鋰核的鋰離子電池單元，所述多個(gè)鋰核包括7li同位素核，其特征在于，所述mri成像方法包括用于制備所述7li同位素核的空間分辨圖像的步驟，以及用于估計(jì)所述空間分辨圖像中的7li核的密度的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的mri成像方法，所述mri成像方法被布置為提供所述鋰離子電池單元的映射，所述映射表示來(lái)自7li核密度估計(jì)的所述電池單元的充電狀態(tài)(soc)，其特征在于，所述mri成像方法還包括：當(dāng)所述鋰離子電池單元被插入到所述拾取線圈中以在其中被成像時(shí)，用于向所述電池單元的端子施加預(yù)定分布的電壓波的步驟，用于同時(shí)測(cè)量進(jìn)入所述電池單元的電流的步驟，以及用于處理所述電流和電壓測(cè)量結(jié)果以便遞送所述鋰離子電池單元的容量和充電狀態(tài)的估計(jì)的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的mri成像方法，所述mri成像方法被布置為提供所述鋰離子電池單元的映射，所述映射表示來(lái)自所述7li核密度估計(jì)的所述電池單元的健康狀態(tài)(soh)，其特征在于，所述mri成像方法還包括：當(dāng)所述電池單元被插入到所述拾取線圈中以在其中被成像時(shí)，用于向所述電化學(xué)電池單元的端子施加預(yù)定分布的電壓波直到達(dá)到最大電荷的步驟，用于同時(shí)測(cè)量進(jìn)入所述電化學(xué)電池單元的電流的步驟，用于確定所述電化學(xué)電池單元的有效最大容量的步驟，以及用于根據(jù)由此確定的所述有效最大容量與所述鋰離子電池單元的初始最大容量之間的比率來(lái)估計(jì)所述電池單元的所述健康狀態(tài)的步驟。