本申請(qǐng)涉及微電子技術(shù)，具體地，涉及一種充電電路。

背景技術(shù)：

隨著人們通訊技術(shù)的發(fā)展，無(wú)線通訊逐漸成為人們?nèi)粘Ｍㄓ嵉闹饕绞街?。近些年?lái)，藍(lán)牙通訊作為無(wú)線通信的一種被人們所熱捧的，成為無(wú)線通信的主流方式。為了更加方便人們的使用，會(huì)預(yù)先在藍(lán)牙設(shè)備中的藍(lán)牙芯片上裝有小電流充電電路，這樣可以便于對(duì)藍(lán)牙進(jìn)行充電設(shè)備充電，同時(shí)可以節(jié)省應(yīng)用成本。但是，由于市場(chǎng)存在的分散性，有些客戶需要更大的充電電流，以便充電速度更快。傳統(tǒng)的方式集成充電電路，可能存在充電電流較大時(shí)，芯片發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題。

為兼容上述兩種客戶額需求，csr(劍橋微電子公司)設(shè)計(jì)了一種兼容外部擴(kuò)流的方式。如圖1所示，描述了csr的實(shí)現(xiàn)方式。其中包括mp1、mp3、電阻r1、控制器等，其中mp1和r1為外置器件，控制器和mp3為芯片內(nèi)部集成。當(dāng)客戶需要充電電流較小(例如300ma以下)時(shí)，控制器通過(guò)控制mp3對(duì)電池進(jìn)行充電；當(dāng)客戶需要較大充電電流時(shí)(例如300ma以上)，控制器同時(shí)控制q2，經(jīng)過(guò)r1，對(duì)電池充電，相當(dāng)于并聯(lián)了一條充電支路。其中一部分熱量由q2分擔(dān)，這樣芯片不至于溫度太高。但這種方案的缺點(diǎn)是需要額外的精密功率電阻r1來(lái)采樣電流，以便芯片對(duì)其充電電流進(jìn)行控制。由于是功率電阻，有散熱要求，價(jià)格較貴，另外由于充電電流精度控制問(wèn)題，也要求電阻值較精確，也導(dǎo)致其價(jià)格較高。另外圖1實(shí)現(xiàn)方式的另一個(gè)缺點(diǎn)是需要5個(gè)芯片管腳(vchg、vbat、isenn、isenp、pdrv)，雖然圖中簡(jiǎn)單米看，isenn和vbat可以共用一個(gè)芯片管腳，但實(shí)際設(shè)計(jì)中不宜共用，原因是mp3的充電電流較大，會(huì)流經(jīng)vbat管腳，芯片一般采用金線封裝，封裝金線的寄生電阻較大，例如100毫歐姆。mp3的充電電流會(huì)在封裝金線上產(chǎn)生很大的電壓降，如果isenn與vbat共用，將產(chǎn)生很大的電流采樣誤差(通過(guò)采樣isenp和isenn之間的電壓差來(lái)實(shí)現(xiàn)電流采樣)，會(huì)影響對(duì)q2充電電流控制的精度。

因此，現(xiàn)有技術(shù)的藍(lán)牙芯片充電方案并不能滿足充電快，發(fā)熱低的要求，不利于用戶的使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例中提供了一種充電電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的藍(lán)牙芯片充電過(guò)程中，由于充電電流較大時(shí)，芯片發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種充電電路，該電路包括：

第一供電端；

第二供電端；

電池端；

第一功率器件，其具有第一連接端、第二連接端和控制端，其第一連接端與第一供電端相連，第二連接端與第二供電端相連；

第二功率器件，其具有第一連接端、第二連接端和控制端，其第一連接端與第二供電端相連，第二連接端與電池端相連；

第一控制電路，其采樣電池端的電壓得到第一采樣信號(hào)，采樣第二供電端的電壓得到第二采樣信號(hào)，基于第一采樣信號(hào)和第二采樣信號(hào)輸出第一調(diào)節(jié)信號(hào)或第二調(diào)節(jié)信號(hào)給第一功率器件的控制端，以將第二供電端和電池端之間的電壓差調(diào)整至預(yù)定電壓值，

第二控制電路，根據(jù)電池端的電壓輸出第三調(diào)節(jié)信號(hào)給第二功率器件的控制端。

本發(fā)明的有益效果如下：

本申請(qǐng)所述技術(shù)方案利用供電端的采樣電壓、充電端的采樣電壓和引入的參考電壓，對(duì)供電電壓進(jìn)行反饋調(diào)節(jié)，最終使供電電壓和充電電壓之間的差值達(dá)到恒定值；進(jìn)一步的，申請(qǐng)所述充電電路中通過(guò)設(shè)置用于分擔(dān)功耗的三極管q2，使q2和充電第二功率器件中的pmos管各自分擔(dān)部分功耗，由此，避免芯片由于pmos管上產(chǎn)生的熱量過(guò)大而導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明所述現(xiàn)有技術(shù)中一種兼容外部擴(kuò)流方式的示意圖；

圖2為本發(fā)明所述實(shí)施例1的示意圖；

圖3為本發(fā)明所述實(shí)施例2的示意圖；

圖4為本發(fā)明所述數(shù)字增益控制模塊的示意圖。

1、芯片，2、第一采樣模塊，3、第二采樣模塊，4、比較模塊，5、第一功率器件，6、第二功率器件。

具體實(shí)施方式

為了使本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)的一部分實(shí)施例，而不是所有實(shí)施例的窮舉。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

本發(fā)明的核心思路是通過(guò)對(duì)供電端電壓的實(shí)時(shí)反饋調(diào)節(jié)，使供電端電壓和和充電端電壓之差達(dá)到穩(wěn)定值；同時(shí)，在供電端設(shè)置三極管q2，使q2和pmos管各自分擔(dān)部分功耗，由此，避免芯片由于pmos管上產(chǎn)生的熱量過(guò)大而導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高。進(jìn)而，本發(fā)明實(shí)例中提供一種過(guò)充電檢測(cè)電路和電池保護(hù)系統(tǒng)，在下面進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖2所示，本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例提供了一種充電電路，該電路包括：第一供電端vchg、第二供電端vchgi、電池端vbat、第一功率器件5、第二功率器件6、第一控制電路和第二控制電路；其中，所述所述第二功率器件6、第一控制電路和第二控制電路可以集成在芯片1內(nèi)部集成，分壓及調(diào)壓模塊為芯片外置器件。具體的，

本實(shí)例中，所述第一功率器件5采用三極管q2，所述三極管q2的基極作為控制端與所述第一控制電路的電壓調(diào)節(jié)信號(hào)輸出端連接，所述三極管q2的集電極與第一供電端vchg連接，所述三極管q2的發(fā)射極第二供電端vchgi相連。

本實(shí)例中，第一控制電路，對(duì)第二供電端vchgi的電壓和電池端vbat的電壓分別進(jìn)行采樣，獲得第一采樣信號(hào)和第二采樣信號(hào)，并將第一采樣信號(hào)與第二采樣信號(hào)和參考電壓值的疊加信號(hào)進(jìn)行比較，輸出對(duì)供電電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的調(diào)節(jié)信號(hào)。所述第一控制電路包括：第一采樣模塊2、第二采樣模塊3、加法器和比較模塊4。其中，

第一采樣模塊2用于對(duì)第二供電端vchgi的電壓進(jìn)行分壓處理，生成第一采樣信號(hào)。所述第一采樣模塊2包括：串聯(lián)的第一電阻r1和第二電阻r2；所述第一電阻r1和第二電阻r2的連接點(diǎn)作為所述第一采樣模塊2的輸出端，并與所述比較模塊4連接。

所述第二采樣模塊3用于對(duì)電池端vbat的電壓進(jìn)行分壓處理，生成第二采樣信號(hào)。所述第二采樣模塊3包括：串聯(lián)的第三電阻r3和第四電阻r4，所述第三電阻r3和第四電阻r4的連接點(diǎn)作為所述第二采樣模塊3的輸出端，并與所述比較模塊4連接。

本實(shí)施例中，電阻r1和r2的電阻值比例可以設(shè)計(jì)得與電阻r3和r4的電阻值比例一樣。假設(shè)r1與r2，或r3與r4的分壓比例為1/k，即1/k＝r2(r1+r2)或1/k＝r4(r3+r4)。

本實(shí)施例中，所述加法器用于將第二采樣信號(hào)與參考電壓值相加得到參考信號(hào)。

本實(shí)施例中，所述比較模塊4用于將第一采樣信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行比較，若第一采樣信號(hào)大于參考信號(hào)，則輸出第一調(diào)節(jié)信號(hào)，若第一采樣信號(hào)小于第二采樣信號(hào)，則輸出第二調(diào)節(jié)信號(hào)。所述比較模塊4包括：運(yùn)算放大器op和nmos管mn2；所述運(yùn)算放大器op的第一輸入端與所述第一采樣模塊2連接，所述運(yùn)算放大器op的第二輸入端與所述第二采樣模塊3連接，所述運(yùn)算放大器op的輸出端與所述nmos管mn2的柵極連接；所述nmos管mn2的漏極作為所述第一控制電路的調(diào)節(jié)信號(hào)輸出端；所述nmos管m2的源極接地。

為了配合第一控制電路和分功及調(diào)壓模塊的工作，本方案在所述三極管q2基極和集電極之間設(shè)置有第五電阻re。

如圖2所示，假設(shè)第一電阻r1和第二電阻r2的分壓比例為1/k，即1/k＝r2/(r1+r2)。此時(shí)，第一采樣信號(hào)vn的電壓滿足vn＝vchgi/k，其中，vchgi為第二供電端vchgi的電壓值；第二采樣信號(hào)va的電壓滿足va=vbat/k，其中，vbat為節(jié)點(diǎn)電池端vbat的電壓值。加法器輸出電壓vp＝va+vref＝vbat/k+vref，其中，vref為參考電壓vref的電壓值。運(yùn)算放大器op比較vn電壓和vp電壓，如果vp電壓大于vn電壓，則運(yùn)算放大器op輸出電壓，即nmos管mn2的柵極電壓gn2升高，導(dǎo)致nmos管的mn2電流變大，進(jìn)一步導(dǎo)致nmos管mn2的漏極bq2，即雙極型晶體管pnp管q2的基極電壓下降，從而使第二供電端vchgi電壓上升，并影響vn電壓上升；如果vp電壓小于vn電壓，則運(yùn)算放大器op輸出電壓，即mn2的柵極電壓gn2下降，導(dǎo)致nmos管mn2電流變小，進(jìn)一步導(dǎo)致nmos管mn2的漏極bq2，即雙極型晶體管pnp管q2的基極電壓上升，從而使第二供電端vchgi電壓下降，并影響vn電壓下降。通過(guò)上述方式形成了負(fù)反饋。直到滿足vn電壓等于vp電壓，因此，穩(wěn)定工作時(shí)運(yùn)算放大器兩個(gè)輸入端電壓相等，即vn電壓等于vp電壓。即vn＝vchgi/k＝vp＝vbat/k+vref，可以推導(dǎo)可得vchgi＝vbat+k.vref，進(jìn)一步可得vchgi-vbat＝k.vref。由于vref和k為恒定值，因此vchgi與vbat之差為恒定值。

本實(shí)例中，所述充電電路進(jìn)一步設(shè)置有用于調(diào)節(jié)充電電流的第二功率器件6；所述第二功率器件6包括：pmos管mp3；所述pmos管的源極與第二供電端vchgi連接，所述pmos管的漏極與電池端vbat連接；所述pmos管的柵極作為控制端接受外部控制信號(hào)。本實(shí)例中，該充電電路進(jìn)一步設(shè)置有用于控制所述第二功率器件6的第二控制電路，所述第二控制電路根據(jù)電池端vbat的電壓輸出第三調(diào)節(jié)信號(hào)給第二功率器件6的控制端。本實(shí)例中，所述第二控制電路采用控制器，所述控制器的第一輸入端與第二供電端vchgi連接，所述控制器的第二輸入端與電池端vbat連接，所述控制器的輸出端與第二功率器件6的控制端連接。通過(guò)控制器控制所述pmos管mp3的柵極，從而實(shí)現(xiàn)控制vchgi到vbat的充電電流?？刂破骺梢杂酶鞣N現(xiàn)有技術(shù)中的恒流恒壓控制方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如專利申請(qǐng)?zhí)朿n201210480357.5，一種充電電路中所記載的恒流恒壓控制策略。

本方案通過(guò)調(diào)整vchgi的電壓與vbat的電壓之差為恒定值，在圖2實(shí)現(xiàn)方式中該恒定值等于k.vref。當(dāng)充電電流為ich時(shí)，在pmos管mp3上消耗的功率p3＝(vchgi-vbat).ich＝k.vref.ich。在q2上消耗的功率p2＝(vchg-vchgi).ich，可以讓q2和mp3各自分擔(dān)部分功耗，這樣避免芯片由于mp3上產(chǎn)生的熱量過(guò)大而導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高。

另外，本實(shí)例中，所述參考電壓可以通過(guò)編程來(lái)設(shè)定，這樣可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)編程來(lái)改變?nèi)龢O管q2和pmos管mp3分擔(dān)熱量的比例。

如圖3所示，本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例提供了一種充電電路，該電路包括：第一供電端vchg、第二供電端vchgi、電池端vbat、第一功率器件5、第二功率器件6、第一控制電路和第二控制電路；其中，所述所述第二功率器件6、第一控制電路和第二控制電路可以集成在芯片1內(nèi)部集成，分壓及調(diào)壓模塊為芯片外置器件。具體的，

本實(shí)例中，所述第一功率器件5采用三極管q2，所述三極管q2的基極作為控制端與所述第一控制電路的電壓調(diào)節(jié)信號(hào)輸出端連接，所述三極管q2的集電極與第一供電端vchg連接，所述三極管q2的發(fā)射極第二供電端vchgi相連。

本實(shí)例中，第一控制電路，對(duì)第二供電端vchgi的電壓和電池端vbat的電壓分別進(jìn)行采樣，獲得第一采樣信號(hào)和第二采樣信號(hào)，并將第一采樣信號(hào)與第二采樣信號(hào)和參考電壓值的疊加信號(hào)進(jìn)行比較，輸出對(duì)供電電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的調(diào)節(jié)信號(hào)。所述第一控制電路包括：第一采樣模塊2、第二采樣模塊3、加法器和比較模塊4。其中，

第一采樣模塊2用于對(duì)第二供電端vchgi的電壓進(jìn)行分壓處理，生成第一采樣信號(hào)。所述第一采樣模塊2包括：串聯(lián)的第一電阻r1和第二電阻r2；所述第一電阻r1和第二電阻r2的連接點(diǎn)作為所述第一采樣模塊2的輸出端，并與所述比較模塊4連接。

所述第二采樣模塊3用于對(duì)電池端vbat的電壓進(jìn)行分壓處理，生成第二采樣信號(hào)。所述第二采樣模塊3包括：串聯(lián)的第三電阻r3和第四電阻r4，所述第三電阻r3和第四電阻r4的連接點(diǎn)作為所述第二采樣模塊3的輸出端，并與所述比較模塊4連接。

本實(shí)施例中，電阻r1和r2的電阻值比例可以設(shè)計(jì)得與電阻r3和r4的電阻值比例一樣。假設(shè)r1與r2，或r3與r4的分壓比例為1/k，即1/k＝r2(r1+r2)或1/k＝r4(r3+r4)。

本實(shí)施例中，所述加法器用于將第二采樣信號(hào)與參考電壓值相加得到參考信號(hào)。

本實(shí)施例中，所述比較模塊4用于將第一采樣信號(hào)與參考信號(hào)進(jìn)行比較，若第一采樣信號(hào)大于參考信號(hào)，則輸出第一調(diào)節(jié)信號(hào)，若第一采樣信號(hào)小于第二采樣信號(hào)，則輸出第二調(diào)節(jié)信號(hào)。所述比較模塊4包括：數(shù)字增益控制模塊和nmos管mn2；所述nmos管的柵極與所述數(shù)字增益控制模塊的輸出端連接；所述nmos管的漏極作為所述第一控制電路的調(diào)節(jié)信號(hào)輸出端；所述nmos管的源極接地。其中，如圖4所示，所述數(shù)字增益控制模塊；該模塊包括：第一模數(shù)轉(zhuǎn)換器adc1、第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器adc2、數(shù)字比較器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器dac。第一采樣信號(hào)和參考信號(hào)分別通過(guò)第一模數(shù)轉(zhuǎn)換器adc1和第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器adc2進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，生成第一數(shù)字信號(hào)和第二數(shù)字信號(hào)，再通過(guò)數(shù)字比較器對(duì)第一數(shù)字信號(hào)和第二數(shù)字信號(hào)進(jìn)行比較，輸出數(shù)字比較信號(hào)；最后利用數(shù)模轉(zhuǎn)換器dac對(duì)數(shù)字比較信號(hào)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，輸出觸發(fā)信號(hào)，并將該觸發(fā)信號(hào)發(fā)送至nmos管的柵極。

為了配合第一控制電路和分功及調(diào)壓模塊的工作，本方案在所述三極管q2基極和集電極之間設(shè)置有第五電阻re。

如圖3所示，假設(shè)第一電阻r1和第二電阻r2的分壓比例為1/k，即1/k＝r2/(r1+r2)。此時(shí)，第一采樣信號(hào)vn的電壓滿足vn＝vchgi/k，其中，vchgi為節(jié)點(diǎn)第二供電端vchgi的電壓值；第二采樣信號(hào)va的電壓滿足va＝vbat/k，其中，vbat為節(jié)點(diǎn)電池端vbat的電壓值。加法器輸出電壓vp=va+vref=vbat/k+vref，其中，vref為參考電壓vref的電壓值。數(shù)字增益控制模塊比較vn電壓和vp電壓，如果vp電壓大于vn電壓，則數(shù)字增益控制模塊輸出電壓，即nmos管mn2的柵極電壓gn2升高，導(dǎo)致nmos管的mn2電流變大，進(jìn)一步導(dǎo)致nmos管mn2的漏極bq2，即雙極型晶體管pnp管q2的基極電壓下降，從而使第二供電端vchgi電壓上升，并影響vn電壓上升；如果vp電壓小于vn電壓，則數(shù)字增益控制模塊輸出電壓，即mn2的柵極電壓gn2下降，導(dǎo)致nmos管mn2電流變小，進(jìn)一步導(dǎo)致nmos管mn2的漏極bq2，即雙極型晶體管pnp管q2的基極電壓上升，從而使第二供電端vchgi電壓下降，并影響vn電壓下降。通過(guò)上述方式形成了負(fù)反饋。直到滿足vn電壓等于vp電壓，因此，穩(wěn)定工作時(shí)運(yùn)算放大器兩個(gè)輸入端電壓相等，即vn電壓等于vp電壓。即vn＝vchgi/k＝vp＝vbat/k+vref，可以推導(dǎo)可得vchgi＝vbat+k.vref，進(jìn)一步可得vchgi-vbat＝k.vref。由于vref和k為恒定值，因此vchgi與vbat之差為恒定值。

本實(shí)例中，所述充電電路進(jìn)一步設(shè)置有用于調(diào)節(jié)充電電流的第二功率器件6；所述第二功率器件6包括：pmos管mp3；所述pmos管的源極與第二供電端vchgi連接，所述pmos管的漏極與電池端vbat連接；所述pmos管的柵極作為控制端接受外部控制信號(hào)。本實(shí)例中，該充電電路進(jìn)一步設(shè)置有用于控制所述第二功率器件6的第二控制電路，所述第二控制電路根據(jù)電池端vbat的電壓輸出第三調(diào)節(jié)信號(hào)給第二功率器件6的控制端。本實(shí)例中，所述第二控制電路采用控制器，所述控制器的第一輸入端與第二供電端vchgi連接，所述控制器的第二輸入端與電池端vbat連接，所述控制器的輸出端與第二功率器件6的控制端連接。通過(guò)控制器控制所述pmos管mp3的柵極，從而實(shí)現(xiàn)控制vchgi到vbat的充電電流?？刂破骺梢杂酶鞣N現(xiàn)有技術(shù)中的恒流恒壓控制方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如專利申請(qǐng)?zhí)朿n201210480357.5，一種充電電路中所記載的恒流恒壓控制策略。

本方案通過(guò)調(diào)整第二供電端vchgi的電壓與電池端vbat的電壓之差為恒定值，在圖2實(shí)現(xiàn)方式中該恒定值等于k.vref。當(dāng)充電電流為ich時(shí)，在pmos管mp3上消耗的功率p3＝(vchgi-vbat).ich＝k.vref.ich。在q2上消耗的功率p2(vchg-vchgi).ich，可以讓q2和mp3各自分擔(dān)部分功耗，這樣避免芯片由于mp3上產(chǎn)生的熱量過(guò)大而導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高。

另外，本實(shí)例中，所述參考電壓可以通過(guò)編程來(lái)設(shè)定，這樣可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)編程來(lái)改變?nèi)龢O管q2和pmos管mp3分擔(dān)熱量的比例。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本申請(qǐng)的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本申請(qǐng)可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本申請(qǐng)可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、cd-rom、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

本申請(qǐng)是參照根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來(lái)描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合。可提供這些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過(guò)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。

盡管已描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請(qǐng)范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。