本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、公開(kāi)了如下技術(shù)：在半導(dǎo)體激光元件、半導(dǎo)體光放大器等具有活性層的光半導(dǎo)體裝置中，在n型包層設(shè)置折射率較高的層，使在活性層傳播的激光的電場(chǎng)的分布偏向n型包層側(cè)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)p型包層中的價(jià)電子帶間光吸收的抑制、扭折級(jí)別的提高以及垂直方向上的遠(yuǎn)場(chǎng)圖案的調(diào)整（專(zhuān)利文獻(xiàn)1~6）。這樣的折射率較高的層也被稱(chēng)為電場(chǎng)分布調(diào)整層。

2、對(duì)于這樣的電場(chǎng)分布調(diào)整層而言，與設(shè)為層厚較厚的單層構(gòu)造相比，設(shè)為將多個(gè)層與折射率較低的層交替地周期性層疊的層疊構(gòu)造的一方能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷較少的結(jié)晶成長(zhǎng)，因此是優(yōu)選的。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)

5、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2000-174394號(hào)公報(bào)

6、專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2001-210910號(hào)公報(bào)

7、專(zhuān)利文獻(xiàn)3：日本專(zhuān)利第3525257號(hào)公報(bào)

8、專(zhuān)利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2004-356608號(hào)公報(bào)

9、專(zhuān)利文獻(xiàn)5：日本特開(kāi)2013-120893號(hào)公報(bào)

10、專(zhuān)利文獻(xiàn)6：國(guó)際公開(kāi)第2013/151145號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、在光半導(dǎo)體裝置的制造工序中，有時(shí)作為對(duì)光半導(dǎo)體裝置的活性層的特性進(jìn)行中間檢查的工序，從與基板相反的一側(cè)向活性層照射光而發(fā)光，測(cè)定該發(fā)光光譜，并根據(jù)發(fā)光光譜的峰值波長(zhǎng)檢查活性層的特性。

3、然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究，在具有上述那樣的電場(chǎng)分布調(diào)整層的光半導(dǎo)體裝置中，有時(shí)在中間檢查中根據(jù)發(fā)光光譜得到的活性層的特性與成品中的活性層的特性不同。這樣的不同成為中間檢查中的活性層的特性的誤判定的原因，因此有可能招致光半導(dǎo)體裝置的成品率的降低、制造成本的增加。

4、本發(fā)明是鑒于上述而完成的，目的在于提供抑制制造成品率的降低、制造成本的增加的光半導(dǎo)體裝置。

5、用于解決課題的方案

6、本發(fā)明的一方案為一種光半導(dǎo)體裝置，其具備：n型包層；p型包層；以及活性層，其夾設(shè)于所述n型包層與所述p型包層之間，所述n型包層包括：基層；以及電場(chǎng)分布調(diào)整構(gòu)造，其包括具有與所述基層相同的折射率的多個(gè)第一層以及折射率比所述第一層高的多個(gè)第二層且通過(guò)所述第一層與所述第二層交替地周期性層疊而構(gòu)成，所述多個(gè)第二層包括存在于所述電場(chǎng)分布調(diào)整構(gòu)造的從所述第一層與所述第二層的層疊方向上的中央向至少一方的端靠近的位置且厚度比其他所述第二層小的緩和層。

7、也可以是，所述緩和層的折射率比其他所述第二層的折射率低。

8、也可以是，所述多個(gè)第二層包括存在于從所述中央向第一端靠近的位置的作為所述緩和層的第一緩和層以及存在于從所述中央向第二端靠近的位置的作為所述緩和層的第二緩和層。

9、也可以是，所述第一緩和層以及所述第二緩和層中的至少一方的折射率比其他所述第二層的折射率低。

10、本發(fā)明的一方案為一種光半導(dǎo)體裝置，其具備：n型包層；p型包層；以及活性層，其夾設(shè)于所述n型包層與所述p型包層之間，所述n型包層包括：基層；以及電場(chǎng)分布調(diào)整構(gòu)造，其包括具有與所述基層相同的折射率的多個(gè)第一層以及折射率比所述第一層高的多個(gè)第二層且通過(guò)所述第一層與所述第二層交替地周期性層疊而構(gòu)成，所述多個(gè)第二層包括存在于所述電場(chǎng)分布調(diào)整構(gòu)造的從所述第一層與所述第二層的層疊方向上的中央向第一端靠近的位置的第一緩和層以及存在于從所述中央向第二端靠近的位置的第二緩和層，所述第一緩和層以及所述第二緩和層的折射率比其他所述第二層的折射率低。

11、也可以是，所述基層以及所述第一層由inp構(gòu)成，所述第二層由包含as以及p作為組成的iii-v族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。

12、發(fā)明效果

13、根據(jù)本發(fā)明，起到能夠?qū)崿F(xiàn)抑制制造成品率的降低、制造成本的增加的光半導(dǎo)體裝置這樣的效果。

技術(shù)特征：

1.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，

5.一種光半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的光半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
課題在于提供抑制產(chǎn)品成品率的降低、產(chǎn)品成本的增加的光半導(dǎo)體裝置。光半導(dǎo)體裝置（100）具備：n型包層（120）；p型包層（140）；以及活性層（130），其夾設(shè)于所述n型包層（120）與所述p型包層（140）之間，所述n型包層（120）包括：基層（121）；以及電場(chǎng)分布調(diào)整構(gòu)造（122），其包括具有與所述基層（121）相同的折射率的多個(gè)第一層（122a）以及與折射率比所述第一層（122a）高的多個(gè)第二層（122b）且通過(guò)所述第一層（122a）與所述第二層（122b）交替地周期性層疊而構(gòu)成，所述多個(gè)第二層（122b）包括存在于所述電場(chǎng)分布調(diào)整構(gòu)造（122）的從所述第一層（122a）與所述第二層（122b）的層疊方向上的中央向至少一方的端靠近的位置且與厚度比其他所述第二層（122b）小的緩和層（122c）。

技術(shù)研發(fā)人員：清田和明,松島賢史郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：古河電氣工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/8/28