本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，具體地講，涉及一種集成有被動元件的晶圓級扇出型封裝件和制造該晶圓級扇出型封裝件的方法。

背景技術(shù)：

目前，在集成有被動元件的晶圓級扇出型封裝件中，由于晶圓級扇出型封裝件內(nèi)的各元件的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)不同，因此會導(dǎo)致被動元件在晶圓級扇出型封裝件中很容易發(fā)生位置偏移，繼而影響后續(xù)形成在被動元件上的電路層與被動元件之間發(fā)生電連接不良的缺陷。例如，當(dāng)利用諸如環(huán)氧樹脂的包封材料對半導(dǎo)體芯片和被動元件進(jìn)行包封時，會因包封材料的熱膨脹和收縮而導(dǎo)致被動元件發(fā)生位置偏移。

圖1A至圖1D是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖。

參照圖1A，在基體基底110上形成芯片120和與芯片120分開設(shè)置的被動元件130，并且在基體基底110上形成包封層140以包封芯片120和被動元件130。

然后，參照圖1B，從芯片120和被動元件130去除基體基底110，以暴芯片120和被動元件130的表面。

接下來，參照圖1C，在芯片120和被動元件130的暴露的表面上形成電路層150。

最后，參照圖1D，在電路層150上形成焊球160。

在形成包封層140以包封芯片120和被動元件130時，由于包封層140的材料的熱膨脹和收縮而導(dǎo)致被動元件130發(fā)生位置偏移，從而導(dǎo)致形成在被動元件上的電路層150與被動元件130之間發(fā)生電連接不良的缺陷。

因此，需要一種新的集成有被動元件的晶圓級扇出型封裝件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的在于提供一種晶圓級扇出型封裝件及其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種制造晶圓級扇出型封裝件的方法，所述方法包括：準(zhǔn)備具有凸起的基體基底；將芯片設(shè)置在基體基底的凸起所處的表面上，并且使芯片與凸起分開布置；在基體基底上形成包封層，以包封芯片和凸起；去除基體基底，以暴露芯片的表面并且在包封層中形成與凸起對應(yīng)的凹進(jìn)；以及將被動元件設(shè)置在凹進(jìn)中。

所述方法還可以包括：在將被動元件設(shè)置在凹進(jìn)中之前，在芯片的暴露的表面以及凹進(jìn)上形成電路層。

所述方法還可以包括：在將被動元件設(shè)置在凹進(jìn)中之后，在電路層上設(shè)置焊球。

被動元件可以通過回流焊設(shè)置在凹進(jìn)中。

凸起的上表面與基體基底的所述表面之間的距離可以為50μm-100μm。

包封層可以包括環(huán)氧樹脂。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種晶圓級扇出型封裝件，所述晶圓級扇出型封裝件包括：芯片，具有上表面、與上表面相對的下表面以及端部；包封層，覆蓋芯片的上表面和端部并暴露芯片的下表面，其中包封層在包封層的與芯片的下表面位于同一側(cè)的表面上具有開口；電路層，形成在芯片的下表面和開口上；以及被動元件，形成在開口中并與電路層接觸。

所述晶圓級扇出型封裝件還可以包括設(shè)置在電路層上的焊球。

被動元件可以通過回流焊與電路層連接。

開口可以在包封層的厚度方向上具有50μm-100μm的厚度。

如上所述，在晶圓級扇出型封裝件及其制造方法中，通過在形成包封層之后形成被動元件，使得能夠避免在形成包封層時由于包封層的材料的熱膨脹而引起的被動元件的相對位置發(fā)生偏移的問題，從而能夠改善被動元件與電路層之間的電路短路問題。另外，在晶圓級扇出型封裝件及其制造方法中，由于在形成電路層之后形成被動元件，從而極大地提高了制造精度；而且在形成被動元件期間可以對被動元件進(jìn)行重制，從而提高良率。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述，這些和/或其它方面將變得清楚且更容易理解，在附圖中：

圖1A至圖1D是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖；

圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的晶圓級扇出型封裝件的示意圖；以及

圖3至圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例；相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實(shí)施例將向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的實(shí)施例的構(gòu)思。在下面詳細(xì)的描述中，通過示例的方式闡述了多處具體的細(xì)節(jié)，以提供對相關(guān)教導(dǎo)的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，可以實(shí)踐本教導(dǎo)而無需這樣的細(xì)節(jié)。在其它情況下，以相對高的層次而沒有細(xì)節(jié)地描述了公知的方法、步驟、組件和電路，以避免使本教導(dǎo)的多個方面不必要地變得模糊。附圖中的同樣的標(biāo)號表示同樣的元件，因此將不重復(fù)對它們的描述。在附圖中，為了清晰起見，可能會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明。

圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的晶圓級扇出型封裝件的示意圖。

參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶圓級扇出型封裝件200包括：芯片220，具有上表面(未示出)、與上表面相對的下表面(未示出)以及端部(未示出)；包封層240，覆蓋芯片220的上表面以及端部并暴露芯片220的下表面，其中包封層240在包封層240的與芯片220的下表面位于同一側(cè)的表面上具有開口(或凹進(jìn))241；電路層250，形成在芯片220的下表面和開口241上；以及被動元件230，形成在開口241中并與電路層250接觸。

芯片220可以具有上表面、與上表面相對的下表面以及端部。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，芯片220可以是本領(lǐng)域中通常所熟知的芯片。

包封層240覆蓋芯片220的上表面和端部并暴露芯片220的下表面。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包封層240在包封層240的與芯片220的下表面位于同一側(cè)的表面(例如，包封層240的下表面)上具有開口241。芯片220與開口241分開布置。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包封層240可以包括環(huán)氧樹脂，然而包封層不限于此。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，開口241在包封層240的厚度方向(例如，豎直方向或與芯片的上表面垂直的方向)上可以具有50μm-100μm的厚度，然而，本發(fā)明不限于此，開口241可以具有能夠容納被動元件的任何適合的厚度。

電路層250形成在芯片220的下表面和開口241上。在本發(fā)明的非限制性實(shí)施例中，可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任何適合的方法來在芯片220的下表面和開口241上形成電路層250。

被動元件230形成在開口241中并與電路層250接觸(例如，電接觸)。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以通過回流焊將被動元件230形成在電路層250上，然而本發(fā)明不限于此。

在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，通過在形成包封層之后形成被動元件，使得能夠避免在形成包封層時由于包封層的材料的熱膨脹而引起的被動元件的相對位置發(fā)生偏移的問題，從而能夠改善被動元件與電路層之間的電路短路問題。

下面將參照圖3至圖8詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造晶圓級扇出型封裝件的方法。

圖3至圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造晶圓級扇出型封裝件的方法的剖視圖。

參照圖3，首先，準(zhǔn)備具有凸起211的基體基底210，然后在基體基底210的其上具有凸起211的表面上設(shè)置芯片220，并使芯片220與凸起211分開布置。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，凸起的上表面與基體基底的所述表面之間的距離可以為50μm-100μm。在本發(fā)明的非限制性實(shí)施例中，基體基底210與凸起211可以一體地形成，然而本發(fā)明不限于此。

然后，參照圖4，在基體基底210上形成包封層240以包封芯片220和凸起211。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，包封層240可以包括環(huán)氧樹脂，然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。在本發(fā)明的非限制性實(shí)施例中，可以使用任何適合的方法來形成包封層240。

接下來，參照圖5，從包封層240去除基體基底210，以暴露芯片220的表面并且在包封層240中形成與凸起211對應(yīng)的凹進(jìn)(或開口)241。由于從包封層240去除了具有凸起211的基體基底210，所以在暴露芯片220的表面的同時形成了凹進(jìn)241。

然后，參照圖6，在芯片220的暴露的表面以及凹進(jìn)241上形成電路層250。在本發(fā)明的非限制性實(shí)施例中，可以使用任何適合的方法來形成電路層250。

接著，參照圖7，將被動元件230設(shè)置在凹進(jìn)241中。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以將被動元件230設(shè)置在凹進(jìn)241中并使被動元件230與電路層250接觸。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，被動元件230可以通過回流焊與電路層250接觸。

最后，參照圖8，在電路層250上設(shè)置焊球260。在本發(fā)明的非限制性實(shí)施例中，可以使用任何適合的方法來形成焊球260。

在參照圖3至圖8描述的制造根據(jù)本發(fā)明的制造晶圓級扇出型封裝件的方法中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選用常用方法或手段來完成其它步驟。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在制造晶圓級扇出型封裝件的方法中，通過在形成包封層之后形成被動元件，使得能夠避免在形成包封層時由于包封層的材料的熱膨脹而引起的被動元件的相對位置發(fā)生偏移的問題，從而能夠改善被動元件與電路層之間的電路短路問題。

另外，在制造晶圓級扇出型封裝件的方法中，由于在形成電路層之后形成被動元件，從而極大地提高了制造精度；而且在形成被動元件期間可以對被動元件進(jìn)行重制，從而提高良率。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不脫離如所附權(quán)利要求和它們的等同物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。應(yīng)當(dāng)僅僅在描述性的意義上而不是出于限制的目的來考慮實(shí)施例。因此，本發(fā)明的范圍不是由本發(fā)明的具體實(shí)施方式來限定，而是由權(quán)利要求書來限定，該范圍內(nèi)的所有差異將被解釋為包括在本發(fā)明中。