一種音叉晶體封焊工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種音叉晶體封焊工藝，包括以下步驟：（1）預(yù)操作：清潔待封器件表面雜物確保器件表面徹底清潔，再將待封器件置于80～100℃環(huán)境下烘烤1～1.5小時(shí)，降低器件腔內(nèi)濕氣；（2）氮?dú)夂附樱簩⒋馄骷幙臻g注入氮?dú)?，在氮?dú)猸h(huán)境下對(duì)器件長(zhǎng)邊進(jìn)行封焊操作；（3）真空焊接：將待封器件所處空間抽真空，在真空環(huán)境下對(duì)器件短邊進(jìn)行封焊操作；（4）在設(shè)定好的檢測(cè)環(huán)境中對(duì)器件進(jìn)行撿漏操作，合格產(chǎn)品進(jìn)入下一步流程。本發(fā)明通過(guò)變換器件長(zhǎng)短邊的封焊順序，可以大大降低封焊時(shí)產(chǎn)生的氣體，將封焊過(guò)程對(duì)器件電氣特性的影響降到最低。
【專利說(shuō)明】
一種音叉晶體封焊工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，具體涉及一種音叉晶體封焊工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著航空、航天技術(shù)的發(fā)展以及軍用、民用等復(fù)雜電子裝備的研制和大量生產(chǎn)， 人們對(duì)電子元器件和微電子器件的質(zhì)量與可靠性提出愈來(lái)愈苛刻的要求。因此，對(duì)器 件進(jìn)行性能優(yōu)良的氣密性封裝，有效保護(hù)器件免受外界環(huán)境的影響至關(guān)重要。
[0003] 平行封焊屬于電阻焊，在封焊時(shí)，電極在移動(dòng)的同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)(通過(guò)電極輪），在一定的 壓力下電極之間斷續(xù)通電，由于電極與蓋板及蓋板與焊框之間存在接觸電阻，根據(jù)能量公 式(Q=I2Rt)，焊接電流將在這2個(gè)接觸電阻處產(chǎn)生焦耳熱量，使其蓋板與焊框之間局部形成 熔融狀態(tài)，凝固后形成焊點(diǎn)，從它的封焊軌跡看像一條封，所以也稱為 "縫焊"。
[0004] 在音叉晶體生產(chǎn)領(lǐng)域，因封焊時(shí)產(chǎn)生的氣體對(duì)音叉特性影響很大，以前的封焊順 序參見圖1，都是在氮?dú)猸h(huán)境下先封焊短邊，在真空環(huán)境下封焊長(zhǎng)邊。這樣帶來(lái)的弊端是由 于在真空環(huán)境下封焊時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，封焊后較多氣體產(chǎn)生，大大影響器件的電氣特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供一種封焊效果好、對(duì)音叉晶體 影響低的音叉晶體封焊工藝。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:一種音叉晶體封焊工藝，包括以下步 驟： (1) 預(yù)操作:清潔待封器件表面雜物確保器件表面徹底清潔，再將待封器件置于80~ 100°C環(huán)境下烘烤1~1.5小時(shí)，降低器件腔內(nèi)濕氣； (2) 氮?dú)夂附?將待封器件所處空間注入氮?dú)?，在氮?dú)猸h(huán)境下對(duì)器件長(zhǎng)邊進(jìn)行封焊操 作； (3) 真空焊接:將待封器件所處空間抽真空，在真空環(huán)境下對(duì)器件短邊進(jìn)行封焊操作； (4) 在設(shè)定好的檢測(cè)環(huán)境中對(duì)器件進(jìn)行撿漏操作，合格產(chǎn)品進(jìn)入下一步流程。
[0007] 所述步驟(4)中的檢測(cè)環(huán)境為:溫度25°C，高壓一側(cè)為1個(gè)大氣壓（101.33kPa)、低 壓一側(cè)壓力不大于〇.〇13kPa，檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)為泄漏率低于lX10_ 8Pa · m3/s。
[0008] 本發(fā)明通過(guò)變換器件長(zhǎng)短邊的封焊順序，可以大大降低封焊時(shí)產(chǎn)生的氣體，將封 焊過(guò)程對(duì)器件電氣特性的影響降到最低。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 圖1是調(diào)整前后的封焊順序?qū)Ρ葓D。
【具體實(shí)施方式】
[0010] 以下結(jié)合【附圖說(shuō)明】和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0011] -種音叉晶體封焊工藝，包括以下步驟： (1) 預(yù)操作:清潔待封器件表面雜物確保器件表面徹底清潔，再將待封器件置于80~ 100°C環(huán)境下烘烤1~1.5小時(shí)，降低器件腔內(nèi)濕氣； (2) 氮?dú)夂附?將待封器件所處空間注入氮?dú)?，在氮?dú)猸h(huán)境下對(duì)器件長(zhǎng)邊進(jìn)行封焊操 作； (3) 真空焊接:將待封器件所處空間抽真空，在真空環(huán)境下對(duì)器件短邊進(jìn)行封焊操作； (4) 在溫度25°C，高壓一側(cè)為1個(gè)大氣壓（101.33 kPa)、低壓一側(cè)壓力不大于0.013 kPa 的檢測(cè)環(huán)境中對(duì)器件進(jìn)行撿漏操作，若器件的泄漏率低于lXl(T8Pa · m3/s則為合格產(chǎn)品， 合格產(chǎn)品將進(jìn)入下一步流程繼續(xù)加工。新舊工藝的數(shù)據(jù)對(duì)比參見表1。
[0012] 表1新舊工藝的數(shù)據(jù)對(duì)比（250B測(cè)試）
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種音叉晶體封焊工藝，包括以下步驟： (1) 預(yù)操作：清潔待封器件表面雜物確保器件表面徹底清潔，再將待封器件置于80~ 100°C環(huán)境下烘烤1~1.5小時(shí)，降低器件腔內(nèi)濕氣； (2) 氮?dú)夂附樱簩⒋馄骷幙臻g注入氮?dú)猓诘獨(dú)猸h(huán)境下對(duì)器件長(zhǎng)邊進(jìn)行封焊操 作； (3) 真空焊接:將待封器件所處空間抽真空，在真空環(huán)境下對(duì)器件短邊進(jìn)行封焊操作； (4) 在設(shè)定好的檢測(cè)環(huán)境中對(duì)器件進(jìn)行撿漏操作，合格產(chǎn)品進(jìn)入下一步流程。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種音叉晶體封焊工藝，其特征在于:所述步驟(4)中的檢測(cè) 環(huán)境為:溫度25°C，高壓一側(cè)為1個(gè)大氣壓（101.33 kPa)、低壓一側(cè)壓力不大于0.013 kPa， 檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)為泄漏率低于1 X l〇_8Pa · m3/s。
【文檔編號(hào)】B23K31/02GK106064280SQ201610494367
【公開日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年6月30日 公開號(hào)201610494367.2, CN 106064280 A, CN 106064280A, CN 201610494367, CN-A-106064280, CN106064280 A, CN106064280A, CN201610494367, CN201610494367.2
【發(fā)明人】王金濤, 楊勇, 葉秀忠
【申請(qǐng)人】隨州泰華電子科技有限公司