一種中子屏蔽體插片拼接裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種中子屏蔽體的屏蔽裝置，尤指一種通過(guò)分層錯(cuò)開(kāi)拼接以消除拼接縫隙的一種中子屏蔽體插片拼接裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]中子譜儀運(yùn)行時(shí)涉及中子散射技術(shù)，中子具有不帶電、具有磁矩、穿透性強(qiáng)、能分辨輕元素、同位素和近鄰元素，且對(duì)樣品的非破壞性的特點(diǎn)，在中子譜儀中，利用其關(guān)鍵部件之一的中子準(zhǔn)直器可減少通過(guò)準(zhǔn)直器內(nèi)部腔體的中子的損失，而實(shí)現(xiàn)中子準(zhǔn)直器作用的主要方法是利用附著在準(zhǔn)直器內(nèi)壁上的中子屏蔽體吸收背景中子，因此，中子屏蔽體是能否完全吸收中子的關(guān)鍵部件。
[0003]由于在中子準(zhǔn)直器中的中子屏蔽體一般采用碳化硼材料以有效阻擋或吸收中子，而碳化硼材料由于元素性能問(wèn)題不宜采用碳化硼材料大面積成型加工的方法獲得碳化硼中子屏蔽體，現(xiàn)使用的中子屏蔽體一般是在加工出若干小型的中子屏蔽體插片之后，將若干小型插片相互接合以組合形成符合中子準(zhǔn)直器規(guī)格的大型插片中子屏蔽體，此方法由小型插片拼接形成大型插片，加工工藝較為簡(jiǎn)單，中子屏蔽體獲取難度不高，但是，在拼接過(guò)程中，不管使用何種膠體均有可能存在拼接縫隙產(chǎn)生的結(jié)果，一旦縫隙出現(xiàn)，在中子散射時(shí)就無(wú)法完全阻擋雜射中子，無(wú)法完全吸收散射中子則導(dǎo)致中子準(zhǔn)直器工作的不完善，甚至導(dǎo)致中子譜儀的后續(xù)工作無(wú)法順利進(jìn)行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型旨在公開(kāi)一種中子屏蔽體的屏蔽裝置，尤指一種通過(guò)分層錯(cuò)開(kāi)拼接以消除拼接縫隙的一種中子屏蔽體插片拼接裝置。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，其特征在于:所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，兩層插片均由若干塊小型插片相互拼接組成大型插片，其中，下層的小型插片上表面設(shè)置在上層的小型插片兩兩拼接時(shí)所形成的縫隙處。
[0006]所述的下層小型插片在兩兩拼接時(shí)形成的拼接縫隙設(shè)置在上層的小型插片下表面。
[0007]所述的小型插片設(shè)置為矩形、圓形或者正多邊形。
[0008]所述的拼接裝置通過(guò)粘接劑使小型插片兩兩之間從邊緣處粘合。
[0009]所述兩層插片之間通過(guò)粘接劑使上層插片下表面與下層插片上表面互相粘合。
[0010]所述的插片可以為碳化硼陶瓷片、碳化硼基復(fù)合材料板、或碳化硼粉末成型板。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果體現(xiàn)在:本實(shí)用新型采用雙層錯(cuò)開(kāi)插片拼接的結(jié)構(gòu)，解決了在單層插片拼接時(shí)因產(chǎn)生縫隙而導(dǎo)致散射中子吸收不全或者吸收不良的問(wèn)題；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，組裝方便，在原拼接途徑的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，利用同樣簡(jiǎn)易的拼接途徑結(jié)合穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以達(dá)到完善的中子屏蔽體插片裝置，保證了中子屏蔽并吸收的穩(wěn)定性、安全性與有效性，并確保中子準(zhǔn)直器阻擋與吸收散射中子的完全性，工作系統(tǒng)得以完善規(guī)劃，從而保證中子譜儀能夠順利地完成后續(xù)工作。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)立體圖。
[0013]圖2是本實(shí)用新型圖1中A的局部放大示意圖。
[0014]圖3是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)透視圖。
[0015]附圖標(biāo)注說(shuō)明:1_上層插片，2-下層插片，3-小型插片。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】:
[0017]一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，所述的插片可以為碳化硼陶瓷片、碳化硼基復(fù)合材料板、或碳化硼粉末成型板；兩層插片均由若干塊小型插片3相互拼接組成大型插片，小型插片3設(shè)置為矩形、圓形或者正多邊形，所述拼接裝置通過(guò)粘接劑使小型插片3兩兩之間從邊緣處粘合，兩層插片之間通過(guò)粘接劑使上層插片I下表面與下層插片2上表面互相粘合，本實(shí)施例的粘接劑可采用航空膠，性能穩(wěn)定，粘接效果好；其中，下層的小型插片3上表面設(shè)置在上層的小型插片3兩兩拼接時(shí)所形成的縫隙處；下層小型插片在兩兩拼接時(shí)形成的拼接縫隙設(shè)置在上層的小型插片下表面。
[0018]中子屏蔽體插片拼接裝置的加工工藝為:首先將可阻擋并吸收雜散中子的原材料加工為若干塊小型插片3，在其中一塊小型插片3的邊緣處涂上粘接劑后，迅速與另一塊小型插片3從邊緣粘合，以此類(lèi)推，將各小型插片3互相粘合形成一塊大型插片以完成第一層插片，然后在第一層插片的拼接縫隙交叉口處的下表面粘接另一塊小型插片3，并以該小型插片3為中心，從其邊緣處粘接其它小型插片3，以此完成中子屏蔽體的第二層插片，為保障中子屏蔽體的致密性，可相應(yīng)增設(shè)第三、四等層的插片，本實(shí)施例采用兩層插片為較佳實(shí)施例，在加工工藝簡(jiǎn)潔、控制成本最低的同時(shí)亦能達(dá)到無(wú)縫插片拼接的目的，最終實(shí)現(xiàn)高效吸收散射中子的效果。
[0019]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作任何限制，本行業(yè)的技術(shù)人員，在本技術(shù)方案的啟迪下，可以做出一些變形與修改，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上的實(shí)施例所作的任何修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，其特征在于:所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，兩層插片均由若干塊小型插片相互拼接組成大型插片，其中，下層的小型插片上表面設(shè)置在上層的小型插片兩兩拼接時(shí)所形成的縫隙處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的下層小型插片在兩兩拼接時(shí)形成的拼接縫隙設(shè)置在上層的小型插片下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的小型插片設(shè)置為矩形、圓形或者正多邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的拼接裝置通過(guò)粘接劑使小型插片兩兩之間從邊緣處粘合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述兩層插片之間通過(guò)粘接劑使上層插片下表面與下層插片上表面互相粘合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，其特征在于:所述的插片可以為碳化硼陶瓷片、碳化硼基復(fù)合材料板、或碳化硼粉末成型板。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種中子屏蔽體的屏蔽裝置，尤指一種通過(guò)分層錯(cuò)開(kāi)拼接以消除拼接縫隙的一種中子屏蔽體插片拼接裝置，主要包括多塊插片互相拼接形成中子屏蔽體，所述的拼接裝置主要由兩層插片組成，兩層插片均由若干塊小型插片相互拼接組成大型插片，其中，下層的小型插片上表面設(shè)置在上層的小型插片兩兩拼接時(shí)所形成的縫隙處；本實(shí)用新型采用雙層錯(cuò)開(kāi)插片拼接的結(jié)構(gòu)，解決了在單層插片拼接時(shí)因產(chǎn)生縫隙而導(dǎo)致中子吸收不全或者吸收不良的問(wèn)題；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，組裝方便，在原拼接途徑的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，利用同樣簡(jiǎn)易的拼接途徑結(jié)合穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證中子屏蔽并吸收的穩(wěn)定性、安全性與高效性，從而保證中子譜儀能夠順利地完成后續(xù)工作。
【IPC分類(lèi)】G21F3-00
【公開(kāi)號(hào)】CN204288826
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420835835
【發(fā)明人】鄒建軍, 孫振忠, 許楚濱, 蘇樹(shù)聰, 曾漢佳, 黃嘉豪
【申請(qǐng)人】東莞理工學(xué)院, 鄒建軍, 孫振忠, 許楚濱, 蘇樹(shù)聰, 曾漢佳, 黃嘉豪
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月25日