本發(fā)明涉及電子封裝，尤其涉及一種電路板及其制作方法。
背景技術(shù)：
1、埋入式技術(shù)通過在電路板內(nèi)直接嵌入芯片、無源元件（如電阻、電容）或天線等元器件，能夠有效解決信號(hào)傳輸延遲、散熱問題、封裝體積限制等問題，滿足高密度集成和高性能需求。
2、當(dāng)前電路板在進(jìn)行埋入式處理時(shí)，芯片扇出主要靠傳統(tǒng)介電材料增層后，鐳射盲孔導(dǎo)通芯片，再進(jìn)行化學(xué)沉積種子層和電鍍長銅工藝，實(shí)現(xiàn)盲孔的層間互連功能，但是，隨著嵌入式芯片封裝技術(shù)在三次電源封裝上應(yīng)用擴(kuò)大，當(dāng)前在辦行業(yè)工藝流程難以滿足產(chǎn)品的流通和散熱需求。
3、因此，如何精確在埋入式框架層中形成盲孔，以實(shí)現(xiàn)通過盲孔將電路板與外部器件穩(wěn)定連接成為亟待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明實(shí)施例提供一種電路板及其制作方法，以解決如何精確在埋入式框架層中形成盲孔，以實(shí)現(xiàn)通過盲孔將電路板與外部器件穩(wěn)定連接的問題。
2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電路板的制作方法，包括：
3、提供一埋入式框架層，在所述埋入式框架層的第一預(yù)設(shè)位置處埋入芯片，得到芯片框架層，在所述芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料層；
4、在所述介電材料層的第二預(yù)設(shè)位置處形成連通所述芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，所述第一組下盲孔用于連接所述芯片框架層的表面，所述第二組下盲孔用于連通所述芯片的焊盤；
5、在所述介電材料層上形成下種子層，并在所述下種子層上鍍上導(dǎo)電金屬，形成下表面金屬層，對(duì)所述下表面金屬層進(jìn)行圖形刻蝕，得到芯片封裝電路板。
6、在一實(shí)施例中，在所述芯片框架層的芯片扇出層反方向形成絕緣層，在所述芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料時(shí)，在所述絕緣層形成連通所述芯片框架層的上盲孔；
7、在所述介電材料層上形成下種子層時(shí)，在所述上盲孔形成上種子層；
8、在所述下種子層上鍍上導(dǎo)電金屬，形成下表面金屬層時(shí)，在所述上種子層上鍍上導(dǎo)電金屬，形成上表面金屬層；
9、對(duì)所述下表面金屬層進(jìn)行圖形刻蝕時(shí)，對(duì)所述上表面金屬層進(jìn)行圖形刻蝕，得到芯片封裝電路板。
10、在一實(shí)施例中，在所述得到電路板之前，還包括：
11、對(duì)所述第一組下盲孔、所述第二組下盲孔、所述上盲孔、所述下種子層以及所述上種子層進(jìn)行電鍍，直至每個(gè)盲孔被填充并覆蓋所述上種子層和所述下種子層，得到芯片封裝電路板。
12、在一實(shí)施例中，所述在所述介電材料層的第二預(yù)設(shè)位置處形成連通所述芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，包括：
13、使用掩膜板遮擋所述介電材料層的預(yù)設(shè)的避光區(qū)域，并將所述介電材料層進(jìn)行曝光，得到曝光后的區(qū)域；
14、使用顯影液清洗所述曝光后的區(qū)域形成所述第一組下盲孔和所述第二組下盲孔。
15、在一實(shí)施例中，所述第二組下盲孔中每個(gè)盲孔與對(duì)應(yīng)焊盤的尺寸相同。
16、在一實(shí)施例中，在所述得到芯片封裝電路板之前，還包括：
17、對(duì)所述第一組下盲孔、所述第二組下盲孔、所述上盲孔、所述下種子層以及所述上種子層進(jìn)行電鍍，直至每個(gè)盲孔被填充并覆蓋所述上種子層和所述下種子層，得到芯片封裝電路板。
18、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電路板，所述電路板如所述的電路板的制作方法制備得到，所述電路板包括：
19、埋入式框架層，所述埋入式框架層內(nèi)嵌設(shè)有芯片；
20、介電材料層，所述介電材料層壓合于所述埋入式框架層設(shè)有芯片側(cè)，所述介電材料層對(duì)應(yīng)所述芯片的焊盤處開設(shè)有所述第二組下盲孔；
21、下種子層，所述下種子層連接于所述芯片的焊盤和所述介電材料層；
22、金屬層，所述金屬層填充于每個(gè)盲孔且覆蓋于所述種子層。
23、在一實(shí)施例中，所述介電材料層相對(duì)于所述第二組下盲孔兩側(cè)開設(shè)有所述第一組下盲孔。
24、在一實(shí)施例中，所述埋入式框架層相對(duì)所述介電材料層一側(cè)對(duì)應(yīng)所述第一組下盲孔處設(shè)有所述上盲孔。
25、在一實(shí)施例中，所述金屬層上開設(shè)有連接槽，以供外部器件連接。
26、本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比存在的有益效果是：通過提供一埋入式框架層，在埋入式框架層的第一預(yù)設(shè)位置處埋入芯片，得到芯片框架層，在芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料層，在介電材料層的第二預(yù)設(shè)位置處形成連通芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，第一組下盲孔用于連接所述芯片框架層的表面，第二組下盲孔用于連通芯片的焊盤，在介電材料層上形成下種子層，并在下種子層上鍍上導(dǎo)電金屬，形成下表面金屬層，對(duì)下表面金屬層進(jìn)行圖形刻蝕，得到芯片封裝電路板。通過在埋入式框架層中壓合介電材料層，并在介電材料層上形成各個(gè)盲孔，并在盲孔中形成種子層，在種子層上形成金屬層，得到芯片封裝電路板，從而精確在埋入式框架層中形成盲孔，以實(shí)現(xiàn)通過盲孔將電路板與外部器件穩(wěn)定連接。
1.一種電路板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，在所述芯片框架層的芯片扇出層反方向形成絕緣層，在所述芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料時(shí)，在所述絕緣層形成連通所述芯片框架層的上盲孔；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板的制作方法，其特征在于，在所述得到芯片封裝電路板之前，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述在所述介電材料層的第二預(yù)設(shè)位置處形成連通所述芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述第二組下盲孔中每個(gè)盲孔與對(duì)應(yīng)焊盤的尺寸相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板的制作方法，其特征在于，在所述得到芯片封裝電路板之前，還包括：
7.一種電路板，其特征在于，所述電路板如權(quán)利要求1至6所述的電路板的制作方法制備得到，所述電路板包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述介電材料層相對(duì)于所述第二組下盲孔兩側(cè)開設(shè)有所述第一組下盲孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述埋入式框架層相對(duì)所述介電材料層一側(cè)對(duì)應(yīng)所述第一組下盲孔處設(shè)有所述上盲孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述金屬層上開設(shè)有連接槽，以供外部器件連接。