技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一屏蔽部與所述第二子漂移區(qū)摻雜類型相同，且所述第一屏蔽部的摻雜濃度大于所述第二子漂移區(qū)的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，沿第一方向，所述第一屏蔽部與所述第二屏蔽部互不接觸；所述第一方向?yàn)樗龅谝话疾酆退龅诙疾鄣呐帕蟹较颉?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一屏蔽部包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述載流子存儲(chǔ)層還與所述發(fā)射區(qū)介質(zhì)層接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二屏蔽部與所述第二子漂移區(qū)摻雜類型相同，且所述第二屏蔽部的摻雜濃度大于所述第二子漂移區(qū)的摻雜濃度。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的底部延伸至所述第一屏蔽部?jī)?nèi)，且所述第一屏蔽部與所述柵介質(zhì)層的部分側(cè)面接觸；

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極區(qū)在所述第二子漂移區(qū)厚度方向上的尺寸，小于所述發(fā)射區(qū)導(dǎo)體在所述第二子漂移區(qū)厚度方向上的尺寸;

11.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述發(fā)射區(qū)包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求2-7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

15.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決溝槽型半導(dǎo)體器件的可靠性問(wèn)題。半導(dǎo)體器件包括集電區(qū)、漂移區(qū)、發(fā)射區(qū)、柵介質(zhì)層、柵極區(qū)以及第一屏蔽部，漂移區(qū)設(shè)于集電區(qū)之上，漂移區(qū)遠(yuǎn)離集電區(qū)的表面設(shè)有第一凹槽，發(fā)射區(qū)設(shè)于漂移區(qū)遠(yuǎn)離集電區(qū)的一側(cè)，柵介質(zhì)層設(shè)于第一凹槽的底面和側(cè)壁面，柵極區(qū)設(shè)于第一凹槽內(nèi)，且被柵介質(zhì)層包覆，第一屏蔽部設(shè)于第一凹槽的底部，且與柵介質(zhì)層接觸，其中，漂移區(qū)包括層疊設(shè)置的第一子漂移區(qū)及第二子漂移區(qū)，第二子漂移區(qū)位于第一子漂移區(qū)遠(yuǎn)離集電區(qū)的一側(cè)，且第一子漂移區(qū)和第二子漂移區(qū)的摻雜類型不同，第一屏蔽部與第二子漂移區(qū)接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：夏云,陳剛,段元淼,劉瑋,支海朝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/26