1.一種陶瓷芯片的封裝工藝，其特征在于：包括以下步驟：
㈠點(diǎn)膠成膜：在芯片組裝之前，通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)將液體狀的雙固化密封膠涂施于陶瓷載體需要與蓋板封裝的那一面的外緣，通過(guò)UV光照射使所述雙固化密封膠固化定型形成結(jié)構(gòu)膠膜于所述陶瓷載體上；
㈡芯片組裝：在所述陶瓷載體上進(jìn)行芯片組裝；
㈢固化密封：芯片組裝完成后，通過(guò)加熱所述結(jié)構(gòu)膠膜將與所述陶瓷載體尺寸相匹配的蓋板與所述陶瓷載體進(jìn)行粘接及固化密封。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷芯片的封裝工藝，其特征在于：所述步驟㈢中，加熱溫度為110-150℃，固化時(shí)間20-50分鐘。
3.如權(quán)利要求1所述的陶瓷芯片的封裝工藝，其特征在于：所述步驟㈠中，將所述陶瓷載體裝載在載帶上，所述載帶在其長(zhǎng)度方向上等距分布用于承放陶瓷載體的孔穴和用于進(jìn)行索引定位的定位孔，所述定位孔位于所述載帶的邊緣，所述孔穴位于所述定位孔的下方或上方，且與陶瓷載體尺寸匹配。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的陶瓷芯片的封裝工藝，其特征在于：所述雙固化密封膠中添加有單分散二氧化硅中空微球，加入量為所述雙固化密封膠重量的0.1-2%，所述單分散二氧化硅中空微球粒徑為20-150um。
5.如權(quán)利要求1或2或3所述的陶瓷芯片的封裝工藝，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)膠膜（6）通過(guò)25℃粘度10000-100000cps的液體狀的UV加熱雙固化密封膠經(jīng)UV光固化后形成，厚度為100-500um。
6.如權(quán)利要求1或2或3所述的陶瓷芯片的封裝工藝，其特征在于：所述步驟㈠中，通過(guò)點(diǎn)膠機(jī)將雙固化密封膠涂施于陶瓷載體外緣時(shí)，在涂膠移動(dòng)路徑后方安置UVLED點(diǎn)光源，涂膠的同時(shí)用于照射雙固化密封膠涂施后形成的膠線的頂面。
7.一種陶瓷芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括蓋板和陶瓷載體，其特征在于：所述陶瓷載體裝載在載帶上，所述載帶在其長(zhǎng)度方向上等距分布用于承放陶瓷載體的孔穴和用于進(jìn)行索引定位的定位孔，所述定位孔位于所述載帶的邊緣，所述孔穴位于所述定位孔的下方或上方，且與陶瓷載體尺寸匹配；所述陶瓷載體與蓋板封裝的那一面的外緣涂有雙固化密封膠并通過(guò)UV光照射固化定型形成結(jié)構(gòu)膠膜，所述陶瓷載體與蓋板通過(guò)加熱所述結(jié)構(gòu)膠膜固化密封。
8.如權(quán)利要求7所述的陶瓷芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述蓋板為陶瓷，金屬，或者玻璃材質(zhì)，其壁厚為0.5-5mm。
9.如權(quán)利要求7所述的陶瓷芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述陶瓷載體為三氧化二鋁材質(zhì)，形狀為正方體、長(zhǎng)方體或圓柱體，其厚度為0.5-5mm。
10.一種用于權(quán)利要求1或2或3所述陶瓷芯片的封裝工藝的點(diǎn)膠機(jī)，包括由第一控制器控制位移和方向的水平移動(dòng)平臺(tái)、由第二控制器控制出膠量的點(diǎn)膠頭，通過(guò)點(diǎn)膠頭施膠于陶瓷載體外緣上形成水平方向膠線，其特征在于：在所述膠線移動(dòng)路徑后方安置UVLED點(diǎn)光源，用于照射膠線的頂面，所述UVLED點(diǎn)光源的強(qiáng)度由第三控制器控制。