本公開涉及搭載有發(fā)光元件的封裝件以及封裝件的制造方法。

背景技術(shù)：
以往，發(fā)光元件（例如，發(fā)光二極管（LED：LightEmittingDiode））的封裝件，例如，具有由樹脂制成的外殼、以及連接到發(fā)光元件的引線電極（例如，日本專利文獻(xiàn)特開2002-280616以及特開2005-197329）。這里概要地說明一下封裝件。在殼體上形成有凹部（腔）。被布置為一端彼此相對的兩個引線電極在該凹部中露出。其中一個引線電極上搭載有發(fā)光元件，而另一個引線電極經(jīng)由導(dǎo)線連接到發(fā)光元件。每個引線電極對應(yīng)于封裝件的搭載方法而被彎曲形成。例如，在封裝件被搭載在基板等的表面上的情況下，這些引線電極的前端被彎曲為在和凹部相反側(cè)的面上彼此相對。把具備引線電極的引線框放置在模具內(nèi)，并將熔融樹脂注入模具中，然后使樹脂固化，這樣就形成了封裝件。近年來，發(fā)光元件正在朝高亮度化發(fā)展。發(fā)光元件的發(fā)熱量相應(yīng)于供給電流量而增加。然而，在如上所述的引線電極中，因為封裝件的散熱性相對較低，所以導(dǎo)致難以把發(fā)光元件的熱有效地引導(dǎo)到封裝件的外部。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的一個側(cè)面，提供一種用于搭載發(fā)光元件的封裝件，該封裝件具備：殼體，其具有上表面、下表面、以及側(cè)面；平板狀電極，其包括：從所述殼體的所述下表面露出的下表面、以及具有用于在其上搭載發(fā)光元件的搭載部的上表面；絕緣部件，其設(shè)置在所述電極的周邊部的上表面；環(huán)狀元件連接部，其連接在所述絕緣部件的上表面；筒狀反射部，其從所述元件連接部的外邊緣延伸到和所述殼體的所述上表面相對應(yīng)的高度；端子部，其配置在所述殼體的所述側(cè)面，并且和所述反射部相連接；以及收納所述發(fā)光元件的凹部，其通過所述電極的所述上表面、所述元件連接部、以及所述反射部而形成在所述殼體內(nèi)的上部。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供散熱良好得封裝件。附圖說明圖1A是封裝件的平面圖。圖1B是封裝件的剖視圖。圖2A是封裝件的上方立體圖，圖2B是封裝件的下方立體圖。圖3是封裝件的分解立體圖。圖4A是具有封裝件的發(fā)光裝置的立體圖，所述封裝件上搭載有發(fā)光元件。圖4B是圖4A中的發(fā)光裝置的剖視圖。圖5是搭載有封裝件的基板的立體圖。圖6是一立體圖，其示出了向基板搭載封裝件。圖7A，7B，7C，7D是用于說明封裝件的制造工序的示意性剖視圖。圖8A，8B是示出了封裝件的制造工序的立體圖。圖9A，9B是用于說明封裝件的制造工序的示意性剖視圖。圖10A，10B，10C，10D是用于說明封裝件的制造工序的示意性剖視圖。圖11是搭載有多個元件的封裝件的立體圖。圖12是另一個封裝件的剖視圖。具體實施方式下面，參照附圖就本發(fā)明的一個實施例進(jìn)行說明。附圖的目的是用于說明構(gòu)造的概況，并不代表實際的大小以及比例。如圖1A和1B中所示，封裝件10被形成為大致矩形板狀。如在圖3中所示，封裝件10包括：殼體20、第1電極30、絕緣片材40、以及第2電極50。在所示的例子中，封裝件10進(jìn)一步包括抗蝕膜60。第1電極30只是作為電極的一個例子。絕緣片材40只是作為絕緣部件的一個例子。殼體20被形成為矩形框狀。在一個實施例中，用樹脂把第1電極30、絕緣片材40、以及第2電極50成形，然后把成形后的部件進(jìn)行單個化（singulate），從而把殼體20形成為矩形形狀。作為殼體20的材料，可使用例如像聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂或有機(jī)硅樹脂等的絕緣性樹脂，或者使用將二氧化硅或氧化鋁等填料混入上述這些樹脂之后的樹脂材料。作為殼體20的材料也可使用白色的絕緣性樹脂。作為白色的絕緣性樹脂，可以是含有二氧化鈦或硫酸鋇等白色填料和白色顏料的、像環(huán)氧樹脂、有機(jī)聚硅氧烷樹脂等的樹脂材料。第1電極30被形成為大致為矩形板狀那樣的平板狀。在所示的例子中，第1電極30是4個角落被倒角為預(yù)定半徑的圓弧形狀的板。所述第1電極30的厚度例如為0.2-0.3mm（毫米）。如圖4A中所示，在第1電極30的上表面31上搭載著發(fā)光元件70。因此，所述第1電極30的上表面31包括發(fā)光元件70的搭載部。發(fā)光元件70例如是高亮度的發(fā)光二極管（LED），在上表面以及下表面上具有電極。如圖4B中所示，發(fā)光元件70通過例如焊料72被連接到第1電極30的上表面31。第1電極30由導(dǎo)電性材料而形成。第1電極30的大小和厚度根據(jù)發(fā)光元件70的形狀以及特性（輸入電流等）來設(shè)定。如圖1B和2B所示，第1電極30的下表面32在封裝件10的下表面露出。在一個優(yōu)選的實施例中，第1電極30的下表面32與殼體20的下表面21基本上是齊平的。優(yōu)選第1電極30的整個下表面32被露出在封裝件10的下表面。該露出的第1電極30對發(fā)光元件70進(jìn)行供電。這個露出的第1電極30可充當(dāng)把發(fā)光元件70的熱量向封裝件10的外部進(jìn)行散熱的散熱路徑或者散熱部件。第1電極30由良好的熱傳導(dǎo)性的材料所形成。作為這樣的第1電極30的材料是，例如，銅、銅（Cu）系合金、鐵-鎳或鐵-鎳（Fe-Ni）系合金。第1電極30例如通過對金屬板進(jìn)行蝕刻或者沖壓而得到。第1電極30也可以整體或部分地被電鍍。被電鍍的部分可以是例如發(fā)光元件70的搭載部、和其他導(dǎo)體進(jìn)行電連接的下表面32等。電鍍可以是例如電鍍銀；以電鍍鎳、電鍍銀的順序?qū)盈B在金屬板上的電鍍；或者以電鍍鎳、電鍍鈀、電鍍銀的順序?qū)盈B在金屬板上的電鍍等各種電鍍。第1電極30的下表面可被稱為散熱供電面。形成為矩形框狀的絕緣片材40那樣的絕緣部件被設(shè)置在第1電極30的周邊部分的上表面上。第1電極30的周邊部分的上表面經(jīng)由絕緣片材40連接到第2電極50上。絕緣片材40的材料優(yōu)選為例如聚酰亞胺等由樹脂所構(gòu)成的高絕緣性材料。第2電極50具有形成為矩形框狀的基部51。基部51的內(nèi)邊緣劃出開口52，該開口52的四個角形成為預(yù)定半徑的圓弧狀。第2電極50具有從開口52的端部朝向第1電極30延伸的反射部53。反射部53形成為和開口52的形狀相對應(yīng)的大致圓筒狀。在圖1B中所示的例子中，反射部53形成為從其上端（開口52的端部）越朝向下方其尺寸越小的錐形形狀。反射部53的內(nèi)側(cè)面可以起到作為和基部51相連續(xù)、并且傾斜的反射面的作用。環(huán)狀的元件連接部54和絕緣片材40的上表面相連接。元件連接部54被形成在反射部53的下端。元件連接部54被形成為和基部51相平行的大致矩形的框架形狀。元件連接部54被形成在和第1電極30的上表面31相平行。元件連接部54經(jīng)由絕緣片材40和第1電極30的周邊部分的上表面相連接。以這種方式，反射部53、元件連接部54、以及...