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一種改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu)及其薄膜沉積設(shè)備的制作方法

文檔序號:42887444發(fā)布日期:2025-08-29 19:35閱讀:11來源:國知局

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備,尤其涉及一種改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu)及其薄膜沉積設(shè)備。


背景技術(shù):

1、在半導(dǎo)體工藝設(shè)備中,特別是薄膜沉積設(shè)備中,噴淋板是實現(xiàn)薄膜均勻性、高精度的核心部件。在現(xiàn)有技術(shù)中,噴淋板一般采用上層噴淋板和下層噴淋板的組合結(jié)構(gòu),將兩種不同氣體分為兩路按照一定比例從噴淋板的底部輸出,在噴淋板的底部下方空間進(jìn)行均勻混合,最后沉積于晶圓表面。但是,現(xiàn)有的兩層噴淋板結(jié)構(gòu)存在以下缺陷:雙層噴淋板結(jié)構(gòu)導(dǎo)致氣體流動路徑復(fù)雜,造成氣體相互干擾,影響氣體均勻性;若兩層噴淋板上對位孔洞排列匹配不合適會造成局部壓力差異,也會影響氣體均勻性,最終影響薄膜沉積質(zhì)量。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu)及其薄膜沉積設(shè)備,以解決現(xiàn)有雙層噴淋板導(dǎo)致氣體混合不均勻?qū)е卤∧こ练e質(zhì)量差的技術(shù)問題。

2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:

3、第一方面,本發(fā)明的實施例提供了一種改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其包括:噴淋上板和噴淋下板,所述噴淋上板連接于所述噴淋下板,且所述噴淋上板和所述噴淋下板內(nèi)設(shè)有連通的第一氣體噴淋通道和第二氣體噴淋通道;

4、其中,所述噴淋上板和所述噴淋下板之間圍合成有第一氣體混合腔和第二氣體混合腔,所述第一氣體噴淋通道連通于所述第一氣體混合腔,所述第二氣體噴淋通道連通于所述第二氣體混合腔。

5、其中,所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的進(jìn)氣端延伸至所述噴淋上板的頂面,所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的出氣端延伸至所述噴淋下板的底面。

6、其中,所述噴淋上板的頂面還設(shè)有第一擋板,所述第一擋板與所述噴淋上板共同圍合成所述第一氣體混合腔,所述第一擋板上設(shè)有若干均勻分布的第一通孔。

7、其中,所述第一擋板與所述噴淋上板之間還設(shè)有第二擋板,所述第二擋板上設(shè)有若干均勻分布的第二通孔,所述第二擋板將所述第一氣體混合腔分割為上混合腔和下混合腔。

8、其中,所述第一擋板和所述第二擋板上對位設(shè)有至少一個穿孔,所述噴淋上板的頂面向上延伸設(shè)有與所述穿孔數(shù)量相同的導(dǎo)氣柱,所述導(dǎo)氣柱穿設(shè)于所述穿孔,且所述導(dǎo)氣柱內(nèi)設(shè)有導(dǎo)氣通道。

9、其中,所述噴淋上板上設(shè)有若干均勻分布的第一導(dǎo)氣孔,所述噴淋下板上設(shè)有與所述第一導(dǎo)氣孔數(shù)量相同且位置對應(yīng)的第二導(dǎo)氣孔,所述噴淋上板和所述噴淋下板之間還設(shè)有若干導(dǎo)氣桿,所述導(dǎo)氣桿的頂端密封抵接于所述第一導(dǎo)氣孔,所述導(dǎo)氣桿的底端密封抵接于所述第二導(dǎo)氣孔。

10、其中,所述導(dǎo)氣桿的頂端與第一導(dǎo)氣孔之間、所述導(dǎo)氣桿的底端與所述第二導(dǎo)氣孔之間均設(shè)有密封圈。

11、其中,所述噴淋上板與所述噴淋下板之間設(shè)有第三擋板,所述第三擋板上設(shè)有若干均勻分布的第三通孔。

12、其中,所述噴淋上板和所述噴淋下板之間共同圍合成所述第二氣體混合腔,所述第二氣體混合腔被所述第三擋板分割成上腔體和下腔體。

13、第二方面,本發(fā)明的實施例提供了一種薄膜沉積設(shè)備,所述薄膜沉積設(shè)備包括如上任意一項所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu)。

14、本發(fā)明的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其通過噴淋上板和噴淋下板之間增加第一氣體混合腔和第二氣體混合腔,具體在噴淋上板頂部增設(shè)第一擋板,在二者之間增設(shè)第三擋板,對輸入的第一氣體和第二氣體進(jìn)行緩沖混合均勻,最終以速度均勻和壓力均衡的方式從底部輸出,最終實現(xiàn)了兩種氣體的均勻混合,提高了薄膜沉積質(zhì)量。

15、上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明技術(shù)手段,可依照說明書的內(nèi)容予以實施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征及優(yōu)點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,詳細(xì)說明如下。



技術(shù)特征:

1.一種改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,包括:噴淋上板和噴淋下板,所述噴淋上板連接于所述噴淋下板,且所述噴淋上板和所述噴淋下板內(nèi)設(shè)有連通的第一氣體噴淋通道和第二氣體噴淋通道;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的進(jìn)氣端延伸至所述噴淋上板的頂面,所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的出氣端延伸至所述噴淋下板的底面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述噴淋上板的頂面還設(shè)有第一擋板,所述第一擋板與所述噴淋上板共同圍合成所述第一氣體混合腔,所述第一擋板上設(shè)有若干均勻分布的第一通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述第一擋板與所述噴淋上板之間還設(shè)有第二擋板,所述第二擋板上設(shè)有若干均勻分布的第二通孔,所述第二擋板將所述第一氣體混合腔分割為上混合腔和下混合腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述第一擋板和所述第二擋板上對位設(shè)有至少一個穿孔,所述噴淋上板的頂面向上延伸設(shè)有與所述穿孔數(shù)量相同的導(dǎo)氣柱,所述導(dǎo)氣柱穿設(shè)于所述穿孔,且所述導(dǎo)氣柱內(nèi)設(shè)有導(dǎo)氣通道,所述導(dǎo)氣通道延伸至所述噴淋上板的底部。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述噴淋上板上設(shè)有若干均勻分布的第一導(dǎo)氣孔,所述噴淋下板上設(shè)有與所述第一導(dǎo)氣孔數(shù)量相同且位置對應(yīng)的第二導(dǎo)氣孔,所述噴淋上板和所述噴淋下板之間還設(shè)有若干導(dǎo)氣桿,所述導(dǎo)氣桿的頂端密封抵接于所述第一導(dǎo)氣孔,所述導(dǎo)氣桿的底端密封抵接于所述第二導(dǎo)氣孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)氣桿的頂端與第一導(dǎo)氣孔之間、所述導(dǎo)氣桿的底端與所述第二導(dǎo)氣孔之間均設(shè)有密封圈。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述噴淋上板與所述噴淋下板之間設(shè)有第三擋板,所述第三擋板上設(shè)有若干均勻分布的第三通孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu),其特征在于,所述噴淋上板和所述噴淋下板之間共同圍合成所述第二氣體混合腔,所述第二氣體混合腔被所述第三擋板分割成上腔體和下腔體。

10.一種薄膜沉積設(shè)備,其特征在于,所述薄膜沉積設(shè)備包括如權(quán)利要求1至9任意一項所述的改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu)。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種改善氣體均勻性的噴淋機(jī)構(gòu)及其薄膜沉積設(shè)備,噴淋機(jī)構(gòu)包括:噴淋上板和噴淋下板,噴淋上板連接于噴淋下板,且噴淋上板和噴淋下板內(nèi)設(shè)有連通的第一氣體噴淋通道和第二氣體噴淋通道;噴淋上板和噴淋下板之間圍合成有第一氣體混合腔和第二氣體混合腔,第一氣體噴淋通道連通于第一氣體混合腔,第二氣體噴淋通道連通于第二氣體混合腔。其通過在噴淋上板和噴淋下板之間增加第一氣體混合腔和第二氣體混合腔,具體在噴淋上板頂部增設(shè)第一擋板,在二者之間增設(shè)第三擋板,對輸入的第一氣體和第二氣體進(jìn)行緩沖混合均勻,最終以速度均勻和壓力均衡的方式從底部輸出,最終實現(xiàn)了兩種氣體的均勻混合,提高了薄膜沉積質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員:方成
受保護(hù)的技術(shù)使用者:拓荊科技(上海)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/8/28
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