本發(fā)明涉及一種氣體分配裝置和cvd設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，需要通過噴嘴將工藝氣體送入反應(yīng)腔中。噴嘴內(nèi)設(shè)有氣體入口和多個氣體出口，其中，工藝氣體從氣體入口流入噴嘴，噴嘴內(nèi)設(shè)有勻氣結(jié)構(gòu)，以使得氣體入口流入的工藝氣體能夠均勻地從多個氣體出口流出噴嘴以提高反應(yīng)腔中各處的工藝氣體濃度均勻度。
2、然而現(xiàn)有噴嘴內(nèi)的勻氣結(jié)構(gòu)對于工藝氣體的勻氣效果不佳，難以確保從噴嘴各處的氣體出口噴出的工藝氣體的一致性，很難保證多個氣體出口的出氣均勻性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是提供一種氣體分配裝置和cvd設(shè)備，具有氣體在出氣口之間分配均勻度高的優(yōu)點。
2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種氣體分配裝置，其包含：
3、進(jìn)氣管路；
4、勻氣層，所述勻氣層呈圓盤狀設(shè)置，包括盤狀設(shè)置的頂壁和底壁、位于所述頂壁和所述底壁之間的出氣結(jié)構(gòu)及位于所述出氣結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)并呈環(huán)形設(shè)置的勻氣組件，沿所述氣體分配裝置的氣體流動方向，所述勻氣層還依次包括位于所述勻氣組件內(nèi)側(cè)的第一空間、位于所述勻氣組件和所述出氣結(jié)構(gòu)之間的第二空間，所述進(jìn)氣管路與所述第一空間流體連通；
5、所述出氣結(jié)構(gòu)呈環(huán)狀圍繞所述第二空間設(shè)置，所述出氣結(jié)構(gòu)包括沿其周向均勻排布的多個出氣孔；
6、所述勻氣組件至少包括呈環(huán)形設(shè)置的第一勻氣結(jié)構(gòu)，所述第一勻氣結(jié)構(gòu)沿其周向設(shè)有多個連通所述第一勻氣結(jié)構(gòu)內(nèi)外兩側(cè)的第一氣流通道，以氣流通道自其內(nèi)部向端部的方向定義延伸方向，所述第一氣流通道包括位于其入口處的第一延伸方向及位于其出口處的第二延伸方向，定義所述勻氣層在對應(yīng)的所述出口處的徑向為第二徑向，所述第二延伸方向相對于所述第二徑向偏斜設(shè)置，并且多個所述第一氣流通道的所述第二延伸方向向所述第二徑向的同一側(cè)偏斜。
7、可選的，所述勻氣組件包括設(shè)于所述出氣結(jié)構(gòu)和所述第一勻氣結(jié)構(gòu)之間并環(huán)形設(shè)置的第二勻氣結(jié)構(gòu)，在所述第二勻氣結(jié)構(gòu)上沿其周向設(shè)有多個第二氣流通道，所述第二氣流通道包括位于其入口處的第三延伸方向及位于其出口處的第四延伸方向，定義所述第二勻氣結(jié)構(gòu)的入口處的氣流入口方向為對應(yīng)的所述入口處的所述第三延伸方向的相反方向，定義所述勻氣層在對應(yīng)的所述入口處的徑向為第三徑向，所述第二氣流通道的所述氣流入口方向與對應(yīng)的所述第三徑向偏斜設(shè)置，并且多個所述第二氣流通道的所述氣流入口方向向所述第三徑向的同一側(cè)偏斜；其中，所述氣流入口方向及所述第二延伸方向分別相對于各自對應(yīng)的所述第三徑向及所述第二徑向偏向不同側(cè)。
8、可選的，所述第二延伸方向與對應(yīng)的所述第二徑向之間的夾角為a，15°<a<60°；所述第二氣流通道的所述氣流入口方向與對應(yīng)的所述第三徑向之間的夾角為b，15°<b<60°。
9、可選的，定義所述勻氣層在所述第二氣流通道的所述出口處的徑向為第四徑向，所述第四延伸方向與對應(yīng)的所述第四徑向具有夾角d，所述夾角d大于所述夾角a。
10、可選的，所述第一勻氣結(jié)構(gòu)包括圓環(huán)形的第一隔板，及沿所述第一隔板的周向開設(shè)并均勻排布的多個第一通氣孔，所述第一氣流通道配置為所述第一通氣孔；所述第二勻氣結(jié)構(gòu)包括圓環(huán)形的第二隔板，及沿所述第二隔板的周向開設(shè)并均勻排布的第二通氣孔，所述第二氣流通道配置為所述第二通氣孔；所述第一通氣孔和所述第二通氣孔位于所述勻氣層的不同高度處。
11、可選的，所述第一勻氣結(jié)構(gòu)包括多個第一擋塊，多個所述第一擋塊沿圓周方向均勻排布，相鄰兩個所述第一導(dǎo)擋塊之間形成有流通間隙，所述第一氣流通道配置為所述流通間隙。
12、可選的，所述第二勻氣結(jié)構(gòu)包括多個第二擋塊，多個所述第二擋塊沿圓周方向均勻排布，相鄰兩個所述第二擋塊之間形成有第二流通間隙，所述第二氣流通道配置為所述第二流通間隙；所述第二擋塊包括位于相鄰第二氣流通道的入口之間的內(nèi)壁面，所述內(nèi)壁面配置為向所述勻氣層中心凸起的弧形壁面。
13、可選的，定義所述第一氣流通道的入口方向為所述第一延伸方向的相反方向，定義所述勻氣層在所述第一氣流通道的入口處的徑向為第一徑向，所述第一氣流通道的入口方向與對應(yīng)的所述第一徑向具有夾角c，0°≤c＜60°。
14、可選的，所述第二延伸方向與對應(yīng)的所述第二徑向之間的夾角為a，15°<a<60°；所述夾角c小于所述夾角a。
15、本發(fā)明還提供一種cvd設(shè)備，包括用于cvd反應(yīng)發(fā)生的反應(yīng)室，所述反應(yīng)室包括如上述的氣體分配裝置，以向內(nèi)提供反應(yīng)氣體。
16、綜上所述，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的氣體分配裝置和cvd設(shè)備，具有如下有益效果：
17、本發(fā)明的氣體分配裝置和cvd設(shè)備，通過在勻氣層內(nèi)設(shè)置第一勻氣結(jié)構(gòu)，并通過調(diào)整第一勻氣結(jié)構(gòu)的第一氣流通道的出口處延伸方向向第一勻氣結(jié)構(gòu)的周向偏斜，以促使通過第一勻氣結(jié)構(gòu)的氣流在周向上流動，提高氣流在該周向的均勻性，以提高勻氣效果。
1.一種氣體分配裝置，其特征在于，所述氣體分配裝置包括：
2.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述勻氣組件包括設(shè)于所述出氣結(jié)構(gòu)和所述第一勻氣結(jié)構(gòu)之間并環(huán)形設(shè)置的第二勻氣結(jié)構(gòu)，在所述第二勻氣結(jié)構(gòu)上沿其周向設(shè)有多個第二氣流通道，所述第二氣流通道包括位于其入口處的第三延伸方向及位于其出口處的第四延伸方向，定義所述第二勻氣結(jié)構(gòu)的入口處的氣流入口方向為對應(yīng)的所述入口處的所述第三延伸方向的相反方向，定義所述勻氣層在對應(yīng)的所述入口處的徑向為第三徑向，所述第二氣流通道的所述氣流入口方向與對應(yīng)的所述第三徑向偏斜設(shè)置，并且多個所述第二氣流通道的所述氣流入口方向向所述第三徑向的同一側(cè)偏斜；其中，所述氣流入口方向及所述第二延伸方向分別相對于各自對應(yīng)的所述第三徑向及所述第二徑向偏向不同側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二延伸方向與對應(yīng)的所述第二徑向之間的夾角為a，15°<a<60°；所述第二氣流通道的所述氣流入口方向與對應(yīng)的所述第三徑向之間的夾角為b，15°<b<60°。
4.如權(quán)利要求3所述的氣體分配裝置，其特征在于，定義所述勻氣層在所述第二氣流通道的所述出口處的徑向為第四徑向，所述第四延伸方向與對應(yīng)的所述第四徑向具有夾角d，所述夾角d大于所述夾角a。
5.如權(quán)利要求2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一勻氣結(jié)構(gòu)包括圓環(huán)形的第一隔板，及沿所述第一隔板的周向開設(shè)并均勻排布的多個第一通氣孔，所述第一氣流通道配置為所述第一通氣孔；所述第二勻氣結(jié)構(gòu)包括圓環(huán)形的第二隔板，及沿所述第二隔板的周向開設(shè)并均勻排布的第二通氣孔，所述第二氣流通道配置為所述第二通氣孔；所述第一通氣孔和所述第二通氣孔位于所述勻氣層的不同高度處。
6.如權(quán)利要求1或2所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第一勻氣結(jié)構(gòu)包括多個第一擋塊，多個所述第一擋塊沿圓周方向均勻排布，相鄰兩個所述第一擋塊之間形成有第一流通間隙，所述第一氣流通道配置為所述第一流通間隙。
7.如權(quán)利要求6所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二勻氣結(jié)構(gòu)包括多個第二擋塊，多個所述第二擋塊沿圓周方向均勻排布，相鄰兩個所述第二擋塊之間形成有第二流通間隙，所述第二氣流通道配置為所述第二流通間隙；所述第二擋塊包括位于相鄰第二氣流通道的入口之間的內(nèi)壁面，所述內(nèi)壁面配置為向所述勻氣層中心凸起的弧形壁面。
8.如權(quán)利要求1所述的氣體分配裝置，其特征在于，定義所述第一氣流通道的入口方向為所述第一延伸方向的相反方向，定義所述勻氣層在所述第一氣流通道的入口處的徑向為第一徑向，所述第一氣流通道的入口方向與對應(yīng)的所述第一徑向具有夾角c，0°≤c＜60°。
9.如權(quán)利要求8所述的氣體分配裝置，其特征在于，所述第二延伸方向與對應(yīng)的所述第二徑向之間的夾角為a，15°<a<60°；所述夾角c小于所述夾角a。
10.一種cvd設(shè)備，包括用于cvd反應(yīng)發(fā)生的反應(yīng)室，其特征在于，所述反應(yīng)室包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的氣體分配裝置，以向內(nèi)提供反應(yīng)氣體。