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蒸發(fā)源單元、成膜裝置及成膜方法與流程

文檔序號:42323028發(fā)布日期:2025-07-01 19:39閱讀:5來源:國知局

本發(fā)明涉及蒸發(fā)源單元、成膜裝置及成膜方法。


背景技術:

1、在有機el顯示器等的制造中,通過使從蒸發(fā)源放出的蒸鍍物質附著于基板,從而在基板上形成膜(薄膜)。在專利文獻1中公開了如下技術:使用多個蒸發(fā)源一邊使基板旋轉一邊進行成膜。

2、在先技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1:日本特開2019-218623號公報


技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、然而,近年來,由于基板不斷大型化,因此,在進行成膜時,難以使基板旋轉,有可能會使形成于基板的膜的膜厚均勻性下降。

3、本發(fā)明提供一種有利于形成于基板的膜的膜厚均勻化的技術。

4、用于解決課題的手段

5、作為本發(fā)明的一方式的蒸發(fā)源單元對在移動方向上相對移動的基板進行成膜,其特征在于,所述蒸發(fā)源單元具有:多個蒸發(fā)源,所述多個蒸發(fā)源分別獨立地包含容器和加熱部件,所述容器收容有將要附著于所述基板的蒸鍍物質,所述加熱部件對收容于所述容器的所述蒸鍍物質進行加熱;以及控制部件,所述控制部件分別對所述多個蒸發(fā)源進行控制,所述多個蒸發(fā)源包含第一蒸發(fā)源、第二蒸發(fā)源及第三蒸發(fā)源,所述第一蒸發(fā)源、第二蒸發(fā)源及第三蒸發(fā)源沿著與所述移動方向交叉的交叉方向從所述多個蒸發(fā)源的布局區(qū)域的中心依次排列配置,所述控制部件分別對所述第一蒸發(fā)源、所述第二蒸發(fā)源及所述第三蒸發(fā)源進行控制,以使所述第二蒸發(fā)源的成膜速率比所述第一蒸發(fā)源的成膜速率及所述第三蒸發(fā)源的成膜速率小。

6、發(fā)明效果

7、根據(jù)本發(fā)明,例如能夠提供有利于形成于基板的膜的膜厚均勻化的技術。

8、本發(fā)明的其他特征及優(yōu)點通過參照附圖的以下的說明而變得明確。此外,在附圖中,對相同或同樣的結構標注相同的附圖標記。



技術特征:

1.一種蒸發(fā)源單元,所述蒸發(fā)源單元對在移動方向上相對移動的基板進行成膜,其特征在于,所述蒸發(fā)源單元具有:

2.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

3.根據(jù)權利要求2所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

4.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

5.根據(jù)權利要求4所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

6.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

7.根據(jù)權利要求6所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

8.根據(jù)權利要求6所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

9.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

10.根據(jù)權利要求1所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

11.根據(jù)權利要求10所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

12.根據(jù)權利要求11所述的蒸發(fā)源單元,其特征在于,

13.一種成膜裝置,其特征在于,

14.一種成膜方法,所述成膜方法對在移動方向上相對移動的基板進行成膜,其特征在于,


技術總結
提供一種蒸發(fā)源單元,所述蒸發(fā)源單元對在移動方向上相對移動的基板進行成膜,其特征在于,所述蒸發(fā)源單元具有:多個蒸發(fā)源,所述多個蒸發(fā)源分別獨立地包含容器和加熱部件,所述容器收容有將要附著于所述基板的蒸鍍物質,所述加熱部件對收容于所述容器的所述蒸鍍物質進行加熱;以及控制部件,所述控制部件分別對所述多個蒸發(fā)源進行控制,所述多個蒸發(fā)源包含第一蒸發(fā)源、第二蒸發(fā)源及第三蒸發(fā)源,所述第一蒸發(fā)源、第二蒸發(fā)源及第三蒸發(fā)源沿著與所述移動方向交叉的交叉方向從所述多個蒸發(fā)源的布局區(qū)域的中心依次排列配置,所述控制部件分別對所述第一蒸發(fā)源、所述第二蒸發(fā)源及所述第三蒸發(fā)源進行控制,以使所述第二蒸發(fā)源的成膜速率比所述第一蒸發(fā)源的成膜速率及所述第三蒸發(fā)源的成膜速率小。

技術研發(fā)人員:菅原由季,市原正浩
受保護的技術使用者:佳能特機株式會社
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/6/30
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