本公開涉及一種像素電路，且特別涉及用以改善異地修補(bǔ)的顯示面板的視覺效果的一種像素電路。
背景技術(shù)：
1、微發(fā)光二極管(micro?led)可以自主發(fā)光，不須背光模塊或液晶層，不僅省電，更具有高效率、高亮度、高分辨率、高色彩飽和度及反應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn)，且還具低耗能、機(jī)構(gòu)簡易、體積小、薄型等優(yōu)勢，使得微發(fā)光二極管顯示器被視為下一代主流顯示器產(chǎn)品的熱門技術(shù)之一。
2、由于微發(fā)光二極管的工藝良率無法達(dá)到完美，經(jīng)過檢測后，會有部分的微發(fā)光二極管無法發(fā)光或是其發(fā)光表現(xiàn)不如預(yù)期，而形成顯示器的壞點(diǎn)。一般而言，會經(jīng)過一修補(bǔ)程序，以逐一將這些壞點(diǎn)上的微發(fā)光二極管剔除，并逐一設(shè)置修補(bǔ)用微發(fā)光二極管至這些壞點(diǎn)的原本位置上。然而，若未將原本位置的微發(fā)光二極管完整移除且將原本位置的接點(diǎn)完全抹平，則容易造成修補(bǔ)良率不佳的問題。
3、而另一種做法是將修補(bǔ)用微發(fā)光二極管設(shè)置于壞點(diǎn)的原本位置的附近但不重疊于壞點(diǎn)的原本位置，然而，這種做法會因?yàn)樾扪a(bǔ)用微發(fā)光二極管相對于壞點(diǎn)的原本位置有所位移，造成顯示畫面上會有視效亮區(qū)及視效暗區(qū)的現(xiàn)象，加上康士維錯(cuò)覺(cornsweetillusion)的影響，會在顯示畫面上產(chǎn)生明顯的對比差異，甚至有立體感出現(xiàn)，大幅影響視覺效果。如圖1所示的示意圖，顯示器包括多個(gè)發(fā)光元件110、壞點(diǎn)發(fā)光元件120與壞點(diǎn)發(fā)光元件120的修補(bǔ)用發(fā)光元件130(修補(bǔ)用發(fā)光元件130用以替代壞點(diǎn)發(fā)光元件120)，因?yàn)樾扪a(bǔ)用發(fā)光元件130相對于壞點(diǎn)發(fā)光元件120的位置有所位移，造成視效亮區(qū)及視效暗區(qū)的現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開至少一實(shí)施例提供一種像素電路，包括發(fā)光元件、修補(bǔ)用發(fā)光元件、驅(qū)動電路、第一發(fā)光控制晶體管與第二發(fā)光控制晶體管。驅(qū)動電路耦接發(fā)光元件與修補(bǔ)用發(fā)光元件以分別驅(qū)動發(fā)光元件與修補(bǔ)用發(fā)光元件發(fā)光。第一發(fā)光控制晶體管串聯(lián)耦接于驅(qū)動電路與發(fā)光元件之間以控制發(fā)光元件的發(fā)光與否。第二發(fā)光控制晶體管串聯(lián)耦接于驅(qū)動電路與修補(bǔ)用發(fā)光元件之間以控制修補(bǔ)用發(fā)光元件的發(fā)光與否。于像素電路的發(fā)光期間，通過驅(qū)動電路或通過第一與第二發(fā)光控制晶體管，以使得修補(bǔ)用發(fā)光元件的發(fā)光亮度低于發(fā)光元件的發(fā)光亮度。
2、在本公開至少一實(shí)施例中，于像素電路的發(fā)光期間，修補(bǔ)用發(fā)光元件的發(fā)光亮度為發(fā)光元件的發(fā)光亮度的0.3倍至0.5倍。
3、在本公開至少一實(shí)施例中，于像素電路的發(fā)光期間，修補(bǔ)用發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間長度為發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間長度的0.3倍至0.5倍。
4、在本公開至少一實(shí)施例中，于像素電路的發(fā)光期間，流經(jīng)修補(bǔ)用發(fā)光元件的驅(qū)動電流為流經(jīng)發(fā)光元件的驅(qū)動電流的0.3倍至0.5倍。
5、在本公開至少一實(shí)施例中，上述驅(qū)動電路為一驅(qū)動晶體管，第一發(fā)光控制晶體管受控于第一發(fā)光控制信號，第二發(fā)光控制晶體管受控于第二發(fā)光控制信號，于像素電路的發(fā)光期間，第二發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度小于第一發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度。
6、在本公開至少一實(shí)施例中，于像素電路的發(fā)光期間，第二發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度為第一發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度的0.3倍至0.5倍。
7、在本公開至少一實(shí)施例中，上述驅(qū)動電路由第一驅(qū)動晶體管與第二驅(qū)動晶體管所組成，第一驅(qū)動晶體管串聯(lián)耦接第一發(fā)光控制晶體管，第二驅(qū)動晶體管串聯(lián)耦接第二發(fā)光控制晶體管，第二驅(qū)動晶體管的寬長比小于第一驅(qū)動晶體管的寬長比。
8、在本公開至少一實(shí)施例中，上述第二驅(qū)動晶體管的寬長比為第一驅(qū)動晶體管的寬長比的0.3倍至0.5倍。
9、在本公開至少一實(shí)施例中，上述像素電路還包括第三發(fā)光控制晶體管，串聯(lián)耦接于驅(qū)動電路與發(fā)光元件之間以控制發(fā)光元件的發(fā)光與否。第一發(fā)光控制晶體管與第二發(fā)光控制晶體管受控于第一發(fā)光控制信號，第三發(fā)光控制晶體管受控于第二發(fā)光控制信號，于像素電路的發(fā)光期間，第二發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度相同于第一發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度，且第二發(fā)光控制信號的致能期間不同且亦不重疊于第一發(fā)光控制信號的致能期間。
10、在本公開至少一實(shí)施例中，上述像素電路還包括第四發(fā)光控制晶體管，串聯(lián)耦接于驅(qū)動電路與發(fā)光元件之間以控制發(fā)光元件的發(fā)光與否。第四發(fā)光控制晶體管受控于第三發(fā)光控制信號，于像素電路的發(fā)光期間，第三發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度相同于第一與第二發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度，且第三發(fā)光控制信號的致能期間不同且亦不重疊于第一與第二發(fā)光控制信號的致能期間。
11、在本公開至少一實(shí)施例中，上述發(fā)光元件與修補(bǔ)用發(fā)光元件皆為微發(fā)光二極管。
12、在本公開至少一實(shí)施例中，上述像素電路被配置于顯示面板中，顯示面板包括正常像素與壞點(diǎn)像素，正常像素包括發(fā)光元件，壞點(diǎn)像素包括設(shè)置位置不同的壞點(diǎn)發(fā)光元件與修補(bǔ)用發(fā)光元件，修補(bǔ)用發(fā)光元件用以替代壞點(diǎn)發(fā)光元件以實(shí)現(xiàn)顯示面板的修補(bǔ)。
13、在本公開至少一實(shí)施例中，上述修補(bǔ)用發(fā)光元件與壞點(diǎn)發(fā)光元件之間的間距為顯示面板的像素間距(pixelpitch)的30％至50％。
14、在本公開至少一實(shí)施例中，上述顯示面板的像素間距為78微米至170微米。
15、在本公開至少一實(shí)施例中，上述顯示面板的像素密度為150每英寸像素(pixelsperinch，ppi)至326每英寸像素。
16、為讓本公開的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合說明書附圖作詳細(xì)說明如下。
1.一種像素電路，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，于該像素電路的發(fā)光期間，該修補(bǔ)用發(fā)光元件的發(fā)光亮度為該發(fā)光元件的發(fā)光亮度的0.3倍至0.5倍。
3.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，于該像素電路的發(fā)光期間，該修補(bǔ)用發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間長度為該發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間長度的0.3倍至0.5倍。
4.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，于該像素電路的發(fā)光期間，流經(jīng)該修補(bǔ)用發(fā)光元件的驅(qū)動電流為流經(jīng)該發(fā)光元件的驅(qū)動電流的0.3倍至0.5倍。
5.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該驅(qū)動電路為一驅(qū)動晶體管，該第一發(fā)光控制晶體管受控于一第一發(fā)光控制信號，該第二發(fā)光控制晶體管受控于一第二發(fā)光控制信號，其中，于該像素電路的發(fā)光期間，該第二發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度小于該第一發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度。
6.如權(quán)利要求5所述的像素電路，其中于該像素電路的發(fā)光期間，該第二發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度為該第一發(fā)光控制信號的致能時(shí)間長度的0.3倍至0.5倍。
7.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該驅(qū)動電路由一第一驅(qū)動晶體管與一第二驅(qū)動晶體管所組成，該第一驅(qū)動晶體管串聯(lián)耦接該第一發(fā)光控制晶體管，該第二驅(qū)動晶體管串聯(lián)耦接該第二發(fā)光控制晶體管，其中該第二驅(qū)動晶體管的寬長比小于該第一驅(qū)動晶體管的寬長比。
8.如權(quán)利要求7所述的像素電路，其中該第二驅(qū)動晶體管的寬長比為該第一驅(qū)動晶體管的寬長比的0.3倍至0.5倍。
9.如權(quán)利要求1所述的像素電路，還包括：
10.如權(quán)利要求9所述的像素電路，還包括：
11.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該發(fā)光元件與該修補(bǔ)用發(fā)光元件皆為微發(fā)光二極管。
12.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該像素電路被配置于一顯示面板中，該顯示面板包括一正常像素與一壞點(diǎn)像素，該正常像素包括該發(fā)光元件，該壞點(diǎn)像素包括設(shè)置位置不同的一壞點(diǎn)發(fā)光元件與該修補(bǔ)用發(fā)光元件，該修補(bǔ)用發(fā)光元件用以替代該壞點(diǎn)發(fā)光元件以實(shí)現(xiàn)該顯示面板的修補(bǔ)。
13.如權(quán)利要求12所述的像素電路，其中該修補(bǔ)用發(fā)光元件與該壞點(diǎn)發(fā)光元件之間的間距為該顯示面板的像素間距的30％至50％。
14.如權(quán)利要求12所述的像素電路，其中該顯示面板的像素間距為78微米至170微米。
15.如權(quán)利要求12所述的像素電路，其中該顯示面板的像素密度為150每英寸像素至326每英寸像素。