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基于3D?LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀的制作方法與工藝

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基于3D?LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀的制作方法與工藝
基于3D-LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于醫(yī)療器械領(lǐng)域,特別涉及一種基于3D-LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀。

背景技術(shù):
腫瘤發(fā)現(xiàn)至今已有很長(zhǎng)的一段歷史,但是如何真正的將其治愈,一直是困擾醫(yī)學(xué)界的一個(gè)難題。最早的治療方法是利用手術(shù)來(lái)進(jìn)行,所以一大批手術(shù)功夫精湛的醫(yī)生因此而成名。隨著醫(yī)學(xué)科學(xué)的飛躍發(fā)展,腫瘤癌癥的治療也是一直隨著醫(yī)學(xué)的發(fā)展而不斷獲得前進(jìn)的,其治愈率不斷上升,治療方法也不斷推陳出新,相繼出現(xiàn)了放療、化療和免疫療法等治療手段,但是手術(shù)切除腫瘤醫(yī)用費(fèi)很高,有些病人在經(jīng)濟(jì)上難以承受,放療和化療治療方法對(duì)病人產(chǎn)生的副作用很明顯,治療時(shí)病人心理有時(shí)難以接受。如今,出現(xiàn)了腫瘤的光動(dòng)力治療和光熱療法(Photothermaltherapy,PTT)和光動(dòng)力治療(Photodynamictherapy,PDT)是完全不同于手術(shù)、放療、化療和免疫治療之后的正在研究、快速發(fā)展中的嶄新療法,由于它不產(chǎn)生抗藥性,所以不少國(guó)家已經(jīng)將PDT視為治療早期腫瘤以及減緩已產(chǎn)生抗藥性的晚期腫瘤患者癥狀的一項(xiàng)常規(guī)手段。PDT通過(guò)結(jié)合靶向光敏劑藥物、光照、組織內(nèi)的氧分子發(fā)生光動(dòng)力反應(yīng),生成活性氧成分(ROS)實(shí)現(xiàn)對(duì)腫瘤細(xì)胞的選擇性殺傷;而PTT既利用吸光/波材料在腫瘤組織中聚集,通過(guò)光照而產(chǎn)生熱效應(yīng),使腫瘤組織溫度上升至有效治療溫度,并維持一定時(shí)間,以達(dá)到及時(shí)縮小或消除腫瘤,又不致?lián)p傷正常組織的目的的一種治療方法。腫瘤光動(dòng)力、光熱療法已成為繼手術(shù)、放療、化療和免疫療法之后的第五大療法,是治療腫瘤的一種新的獨(dú)立手段。光動(dòng)力、光熱療能夠有效地殺傷腫瘤細(xì)胞,又不產(chǎn)生抗藥性,能提高病人的生存質(zhì)量,延長(zhǎng)病人的存活期,而被國(guó)際醫(yī)學(xué)界稱之為“綠色療法”,而受到廣泛的應(yīng)用。LED是繼白熾燈和熒光燈之后的第四代半導(dǎo)體照明光源。隨著紅、綠、白、藍(lán)光LED的照明燈的問(wèn)世,一些以激光、白熾燈、鹵素?zé)粼卺t(yī)學(xué)領(lǐng)域上的應(yīng)用,也將會(huì)被替代。LED由于光效率較激光、白熾燈高,光波長(zhǎng)范圍比白熾燈窄,比激光寬,正好可以與常見(jiàn)的光敏劑、光熱劑的吸收波長(zhǎng)相匹配,且能耗小、壽命長(zhǎng)、可靠耐用、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),其在醫(yī)療市場(chǎng)需要也將愈來(lái)愈大。目前在國(guó)內(nèi)外醫(yī)療市場(chǎng)上也發(fā)現(xiàn)有單個(gè)LED制成的照射裝置或通過(guò)組合方式將若干個(gè)單體LED合成的醫(yī)療照射裝置,但它們用在醫(yī)療領(lǐng)域中都因光功率密度小或照射光斑面小,所以現(xiàn)在仍只能停留在一些對(duì)功率要求不高,照射面積不大的點(diǎn)式照射治療。有些裝置用矩陣排列后能得到很大功率的光源,但是由于其發(fā)光不均勻,發(fā)出的光線照射到組織上成光斑狀,雖然局部光功率密度很高,但由于光斑的不均勻性,無(wú)法大面積同時(shí)清除殘存或擴(kuò)散的腫瘤細(xì)胞。而且這種方式為了獲得較大功率,往往需要大量單體LED組合,除體積大之外,散熱也很困難。美國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家已先后批準(zhǔn)腫瘤光動(dòng)力治療(PDT)的臨床應(yīng)用,我國(guó)也有激光臨床應(yīng)用和有關(guān)的研究報(bào)道,但難以在臨床上大量推廣使用。其原因是采用激光光源,它是線性、點(diǎn)光源,在實(shí)施腫瘤光動(dòng)力治療時(shí),它只能對(duì)瘤腔及擴(kuò)散區(qū)域?qū)嵤┲鹦袙呙枋降那宄?,難免遺漏,因?yàn)槟[瘤細(xì)胞會(huì)隨著血液或淋巴液遷移。激光光源存在成本高、功率小、輻射面積過(guò)窄,間歇式發(fā)光,難以同時(shí)大面積、多方位、快速清除殘存瘤細(xì)胞的難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明開(kāi)發(fā)的一種基于3D-LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀,該設(shè)備功率大、液晶顯示、發(fā)光均勻且效率高、使用壽命長(zhǎng)、穿透能力強(qiáng)、可均勻發(fā)出腫瘤治療最佳光學(xué)窗口的紅光、近紅外及紅外3D-LED光。該治療儀通過(guò)照射被腫瘤組織或細(xì)胞靶向吸收的光敏劑/光熱轉(zhuǎn)換劑納米粒子,借助光動(dòng)力反應(yīng)、吸光發(fā)熱等效應(yīng),能快速選擇性清除擴(kuò)散或術(shù)中瘤腔附近殘存的腫瘤細(xì)胞。本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種基于3D-LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀,該儀器包括LED芯片4、散熱板1、風(fēng)扇7、供電部分、按鍵部分3、驅(qū)動(dòng)器、電位器,該儀器還包括勻光板6、顯示部分2、報(bào)警部分8、排風(fēng)口5、起振部分、復(fù)位部分、CPU部分,供電部分分別與驅(qū)動(dòng)器連接,驅(qū)動(dòng)器分別與風(fēng)扇7、電位器連接,電位器再與LED芯片4連接,供電部分與CPU部分連接,CPU部分分別通過(guò)電路與按鍵部分3、顯示部分2、報(bào)警部分8、起振部分、復(fù)位部分連接。電位器用于調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)器輸出的電流。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述的LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括單個(gè)或兩個(gè)及以上支電路,每個(gè)支電路將若干個(gè)特定波長(zhǎng)的LED燈珠串聯(lián)在一起后安裝在散熱板上,LED芯片表面用硅膠或樹(shù)脂封裝成方型或是圓型(或用COB陶瓷基板封裝LED模組再封上樹(shù)脂膠)LED燈珠光線發(fā)射角度為10o~140°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為455nm-1300nm。本發(fā)明用貼片芯片并、串聯(lián)結(jié)合焊接在PCB板上,或采用COB技術(shù)封裝的裸芯片,是在芯片主體和I/O端子在晶體上方,在焊接時(shí)將此裸芯片用導(dǎo)電/導(dǎo)熱膠粘接在PCB上,凝固后,用Bonder機(jī)將金屬絲(Al或Au)在超聲、熱壓的作用下,分別連接在芯片的I/O端子焊區(qū)和PCB相對(duì)應(yīng)的焊盤上,測(cè)試合格后,再封上樹(shù)脂膠。本發(fā)明可采用的LED燈珠,是每個(gè)工作電壓2~2.6V(其它規(guī)格的也行,不只局限于此功率燈泡,滿足電子線路要求即可),額定電流是500-700mA,LED芯片上燈珠的數(shù)量為1~70個(gè),并串結(jié)合電路,燈珠均勻分布形成圓形或者方型形狀。LED芯片4包括LED陣列勻光、冷光光源,其發(fā)光光譜位于可見(jiàn)光、近紅光及紅外光波段的窄光(波長(zhǎng)寬度范圍約20nm)。可與各種光敏劑、或?qū)梢?jiàn)光、近紅外光、紅外光有強(qiáng)吸收的納米材料配合使用,尤其可以與利用卟啉、蠶沙、亞甲藍(lán)、花青染料類開(kāi)發(fā)的特有的可見(jiàn)光、近紅外有強(qiáng)吸收的光熱治療劑、光敏納米靶向劑配合使用,實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)范圍在450-1100nm之間,主要波長(zhǎng)有455nm、465nm、500nm、510nm、520nm、525nm、560nm、570nm、620nm、610nm、630nm、660nm、680nm、690nm、700nm、730nm、750nm、760nm、770nm、780nm、800nm、810nm、830nm、850nm、870nm、880nm、890nm、900nm、910nm、940nm、950nm、970nm、1020nm、1050nm。能滿足腫瘤光動(dòng)力治療、光熱治療的最佳波長(zhǎng)范圍內(nèi)600-1300nm的多數(shù)發(fā)射波長(zhǎng)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述的勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)5~10cm處。亞克力勻光板可改變傳統(tǒng)導(dǎo)光板的發(fā)光原理,利用均勻分散在導(dǎo)光板中的納米粒子的光散射效應(yīng),將多珠L(zhǎng)ED陣列光源轉(zhuǎn)變?yōu)榫鶆虻?D光源,使透光率更好。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述的散熱板1為鋁基材或是銅基材或陶瓷基散熱板,散熱板1后表面安裝有風(fēng)扇7,風(fēng)扇7用于散熱,散熱片11垂直位于外殼9上,熱量進(jìn)入散熱片11與外殼9形成的U型散熱槽,U型槽與風(fēng)扇7相對(duì),再?gòu)呐棚L(fēng)口5排出。利用其散熱基板材料本身具有較佳的熱傳導(dǎo)性,將熱源從LED晶粒導(dǎo)出,它具有良好的導(dǎo)熱性、電氣絕緣性能和機(jī)械加工性能,加上內(nèi)置風(fēng)扇聯(lián)合散熱,可保持LED陣列光源溫度不超過(guò)室溫10℃,且溫度可調(diào)控。風(fēng)扇7的數(shù)量為1個(gè)以上,3個(gè)為佳,可根據(jù)散熱槽的位置需要,增加風(fēng)扇的數(shù)量、調(diào)整風(fēng)扇7的風(fēng)向,一般情況下,風(fēng)扇7對(duì)準(zhǔn)散熱板材1吹。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述的顯示部分2為數(shù)字液晶屏顯示部分,可顯示LED芯片4的電壓、照度、溫度、照射時(shí)間。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述的LED驅(qū)動(dòng)器至少一個(gè)或以上,其中單個(gè)LED的驅(qū)動(dòng)器可以輸出1-700mA的電流,最大輸出60W的功率。本發(fā)明中可使用單個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器,以兩個(gè)并列的LED驅(qū)動(dòng)器為例,每個(gè)可以輸出60W的功率,總功率120W,可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)30個(gè)2.0-2.6V,500-700mA,3W的LED燈珠,且驅(qū)動(dòng)器能帶動(dòng)所有燈珠同時(shí)發(fā)亮,并且可以通過(guò)電位器控制電流,實(shí)現(xiàn)1-680mA連續(xù)調(diào)節(jié)所有燈珠的亮度。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),報(bào)警部分8用于檢測(cè)散熱板1溫度,當(dāng)報(bào)警部分8檢測(cè)到散熱板1溫度大于設(shè)定溫度時(shí),信號(hào)傳輸至顯示部分2進(jìn)行警示并聲音報(bào)警。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述的供電部分三條并聯(lián)支路可輸出電壓1~110VDC,總電流1-2040mA,總功率180W,通過(guò)電位器實(shí)現(xiàn)電流1-680mA連續(xù)可調(diào);所述按鍵部分3用于設(shè)置儀器參數(shù);所述起振部分用于為CPU部分提供脈沖;所述復(fù)位部分用于對(duì)CPU部分程序進(jìn)行清零。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),該基于3D-LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀還包括電壓測(cè)量部分,能夠測(cè)定儀器的總電壓,測(cè)定精度達(dá)到mv級(jí)別,測(cè)定得到的數(shù)據(jù)可顯示在顯示部分2上。本發(fā)明裝置的基本原理如下:由于激光光源是線性、點(diǎn)光源,實(shí)施腫瘤光動(dòng)力治療時(shí),它只能對(duì)瘤腔及擴(kuò)散區(qū)域?qū)嵤┲鹦袙呙枋降那宄?,難免遺漏,因?yàn)槟[瘤細(xì)胞會(huì)隨著脈管系統(tǒng)如血液或淋巴液遷移。為了解決激光光源成本高、功率小、輻射面積窄,間歇式發(fā)光,解決現(xiàn)有LED陣列光源發(fā)光不均勻,難以同時(shí)大面積、多方位、快速清除殘存瘤細(xì)胞的難題。本發(fā)明采用能3D發(fā)光的、大功率LED陣列冷光源,采用鋁基、銅基、陶瓷基散熱板+風(fēng)冷技術(shù)協(xié)同冷卻,數(shù)字液晶屏實(shí)時(shí)顯示LED光源的電壓、照度、溫度、照射時(shí)間,利用亞克力勻光板改變傳統(tǒng)導(dǎo)光板的發(fā)光原理,其均勻分散在導(dǎo)光板中的納米粒子發(fā)生光散射效應(yīng),將多珠L(zhǎng)ED陣列光源轉(zhuǎn)變?yōu)榫鶆虻?D光源,波長(zhǎng)在腫瘤光動(dòng)力治療的紅光、近紅外光及紅外光最佳范圍內(nèi)可選,可與各種光敏劑、或在近紅外有吸收的納米材料配合使用,實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)范圍在450~1100nm之間,多種功率可選,可達(dá)180W以上,照度1-5000lux可調(diào),可及時(shí)大面積清除殘存的腫瘤細(xì)胞,防止復(fù)發(fā)。本發(fā)明的有益效果為:(1)3D-LED陣列勻光改進(jìn)。利用亞克力勻光板改變傳統(tǒng)導(dǎo)光板的發(fā)光原理,利用均勻分散在導(dǎo)光板中的納米粒子的光散射效應(yīng),將多珠L(zhǎng)ED陣列光源轉(zhuǎn)變?yōu)榫鶆虻?D光源,使透光率更好,獲得大功率、窄光范圍(20nm左右)的3D-LED陣列發(fā)出勻光的、可供腫瘤光動(dòng)力治療、光熱治療的冷光源,以徹底清除擴(kuò)散的腫瘤細(xì)胞及術(shù)中殘留腫瘤細(xì)胞,降低復(fù)發(fā)率,對(duì)多數(shù)早期癌癥可達(dá)到根治目的?,F(xiàn)有技術(shù)腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀所得的光線不均勻,發(fā)出的光成光斑狀,光斑亮的地方可殺死腫瘤細(xì)胞、光斑間較暗處的腫瘤細(xì)胞則難以殺死。也就是無(wú)法同時(shí)、大面積、有效地清除手術(shù)后殘存的腫瘤細(xì)胞與擴(kuò)散的腫瘤細(xì)胞,只有均勻的光源才能有效清除腫瘤細(xì)胞,達(dá)到治療的目的。(2)本發(fā)明治療儀的波長(zhǎng)在腫瘤光動(dòng)力治療的紅光、近紅外光及紅外光最佳窗口內(nèi)可選,可與各種光敏劑、或在紅光、近紅外、及紅外區(qū)有吸收的納米靶向材料配合使用,實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)范圍在450~1300nm之間,各種功率可選,單個(gè)LED陣列支路功率可達(dá)60W及以上,三條并聯(lián)支路總功率達(dá)180W,治療儀照度可在1-5000lux可調(diào),可及時(shí)大面積清除殘存的腫瘤細(xì)胞,防止復(fù)發(fā)。(3)設(shè)備功能齊全,安全系數(shù)高。本發(fā)明儀器包括顯示部分、報(bào)警部分、復(fù)位部分、電壓測(cè)量部分等,設(shè)備功能齊全,報(bào)警部分可監(jiān)測(cè)LED陣列光源溫度不超過(guò)室溫10℃,且報(bào)警溫度可調(diào)控,安全系數(shù)高。附圖說(shuō)明圖1.本發(fā)明儀器技術(shù)實(shí)現(xiàn)示意圖。圖2.本發(fā)明儀器結(jié)構(gòu)示意圖。圖中標(biāo)示:散熱板1、顯示部分2、按鍵部分3、LED芯片4、排風(fēng)口5、勻光板6、報(bào)警部分8、外殼9。圖3.本發(fā)明儀器散熱功能結(jié)構(gòu)示意圖。圖中標(biāo)示:散熱板1、LED芯片4、風(fēng)扇7、其他部分10。其他部分10包括:供電部分、CPU部分、驅(qū)動(dòng)器、電位器、起振部分、復(fù)位部分、電壓測(cè)量部分。圖4.本發(fā)明儀器U型散熱槽結(jié)構(gòu)示意圖。圖中標(biāo)示:外殼9、散熱片11,外殼9和散熱片11可形成U型散熱槽。圖5.本發(fā)明儀器殺除腫瘤細(xì)胞效果。左側(cè)圖:為照射之前腫瘤細(xì)胞顯綠色;右側(cè)圖儀器照射1分鐘,等20分鐘后顯微鏡觀察,腫瘤細(xì)胞全死亡顯紅色。具體實(shí)施方式實(shí)施例1按照如圖1所示的技術(shù)原理,連接組合得到如圖2所示的基于3D-LED陣列冷光源的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀,該儀器包括LED芯片4、散熱板1、風(fēng)扇7、供電部分、按鍵部分3、驅(qū)動(dòng)器、電位器,該儀器還包括勻光板6、顯示部分2、報(bào)警部分8、排風(fēng)口5、起振部分、復(fù)位部分、CPU部分,供電部分,供電部分分別與驅(qū)動(dòng)器連接,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可輸出電壓110VDC,500mA的電流,功率55W,通過(guò)電位器調(diào)節(jié)電流4-500mA連續(xù)可調(diào),驅(qū)動(dòng)器分別與風(fēng)扇7、電位器連接,電位器再與LED芯片4連接,供電部分與CPU部分連接,CPU部分分別通過(guò)電路與按鍵部分3、顯示部分2、報(bào)警部分8、起振部分、復(fù)位部分連接。圖3中其他部分10用于放置:供電部分、CPU部分、驅(qū)動(dòng)器、起振部分、復(fù)位部分、電壓測(cè)量部分。圖4中外殼9、散熱片11,散熱片11垂直位于外殼9上,外殼9和散熱片11可形成U型散熱槽。本實(shí)施例LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括兩個(gè)并聯(lián)電路,兩個(gè)支電路是將55個(gè)(27,28各一串)深紅光LED燈珠(功率3W,電壓2.0-2.4V,電流700mA)串并結(jié)合在一起后,安裝在散熱板上,LED芯片表面用硅膠裝成圓型,LED燈珠光線發(fā)射角度為120o~140°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為660nm(實(shí)測(cè)波長(zhǎng)范圍為636-664nm)。勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)7cm處。散熱板1為銅基材散熱板。驅(qū)動(dòng)器為三個(gè),兩個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器,一個(gè)電扇驅(qū)動(dòng)器,LED驅(qū)動(dòng)器輸出電流通過(guò)電位器調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)電流4-500mA連續(xù)可調(diào),功率為55W(LED驅(qū)動(dòng)器總功率110W,LED陣列最大功率165W,以保護(hù)LED燈珠),直流12V電扇驅(qū)動(dòng)器最大輸出功率為10W(本實(shí)施例有3個(gè)風(fēng)扇,每個(gè)風(fēng)扇功率為2.64W)。報(bào)警部分8用于檢測(cè)散熱板1溫度,當(dāng)報(bào)警部分8檢測(cè)到散熱板1溫度大于設(shè)定溫度時(shí),信號(hào)傳輸至顯示部分2進(jìn)行警示并聲音報(bào)警。按鍵部分3用于設(shè)置儀器參數(shù),起振部分用于為CPU部分提供脈沖,復(fù)位部分用于對(duì)CPU部分程序進(jìn)行清零。實(shí)施例2本實(shí)施例中與實(shí)施例1不同的是:本實(shí)施例LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括直流12V、6W電扇驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)散熱風(fēng)扇;兩個(gè)并聯(lián)LED支電路,分別由兩個(gè)輸出15V,15W驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng),通過(guò)電位調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)電流在4-680mA,每個(gè)支電路是將6個(gè)橙色LED燈珠(功率為3W)串聯(lián)在一起后安裝在散熱板上,LED芯片表面用硅膠裝成方型,LED燈珠光線發(fā)射角度為10o~50°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為590~610nm。勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)10cm處。散熱板1為銅基材散熱板。其余結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。實(shí)施例3本實(shí)施例中與實(shí)施例1不同的是:本實(shí)施例LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括三個(gè)并聯(lián)支電路,三個(gè)支電路是將69個(gè)(23*3)紅外光LED燈珠(功率為3W)分三組并-串聯(lián)結(jié)合在一起后安裝在散熱板上,LED芯片表面用硅膠裝成圓型,LED燈珠光線發(fā)射角度為70o~140°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為1300nm。勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)5cm處。散熱板1為銅基材散熱板。驅(qū)動(dòng)器為四個(gè),三個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器,一個(gè)電扇驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器輸出電壓85VDC,電流700mA(通過(guò)電位器控制電流在4-680mA),功率為60W(LED驅(qū)動(dòng)器總功率180W,LED燈珠最大功率207W,以保護(hù)LED陣列),電扇驅(qū)動(dòng)器為12V直流,輸出功率為12W(本實(shí)施例有四個(gè)風(fēng)扇,每個(gè)風(fēng)扇功率為2.76W)。其余結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。實(shí)施例4本實(shí)施例LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括1個(gè)支電路,將12個(gè)藍(lán)光LED燈珠(功率為3W)串聯(lián)在一起后安裝在鋁基板散熱板上,功率為36W,LED芯片表面用硅膠裝成圓型,封裝在象鼻燈座上,可自由旋轉(zhuǎn)350o,以便調(diào)整治療的角度。LED燈珠光線發(fā)射角度為110o~140°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為455nm。勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)6~7cm處。散熱板1為鋁基板散熱板,散熱板1后表面安裝有風(fēng)扇7,風(fēng)扇7用于散熱,熱量進(jìn)入散熱片11與外殼9形成的U型散熱槽,再?gòu)呐棚L(fēng)口5排出。顯示部分2為數(shù)字液晶屏顯示部分,可顯示LED芯片4的電壓、照度、溫度、照射時(shí)間。一個(gè)電扇驅(qū)動(dòng)器,電扇驅(qū)動(dòng)器輸出功率為3W,電壓為12V,1個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器,LED驅(qū)動(dòng)器輸出電壓30-48VDC,輸出電流680mA,通過(guò)電位器調(diào)節(jié)電流4-650mA,最大功率為30W。其余結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。實(shí)施例5本實(shí)施例中與實(shí)施例1不同的是:本實(shí)施例LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括3條并聯(lián)支電路,將60個(gè)(每條支路20個(gè))近紅外光LED燈珠(功率為3W)串聯(lián)在一起后安裝在散熱板上,LED芯片表面用硅膠裝成圓型,LED燈珠光線發(fā)射角度為50o~80°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為760nm。勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)6cm處。散熱板1為鋁基材散熱板。驅(qū)動(dòng)器為四個(gè),三個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器輸出電壓85VDC,電流700mA(通電位器調(diào)節(jié)電流4-650mA)功率為55W(LED驅(qū)動(dòng)器總功率165W,LED陣列總功率180W),12V直流風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)器輸出功率為12W(本實(shí)施例有四個(gè)風(fēng)扇,每個(gè)風(fēng)扇功率為2.76W)。其余結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。實(shí)施例6本實(shí)施例中與實(shí)施例1不同的是:本實(shí)施例LED芯片4安裝于散熱板1的正表面,包括一個(gè)支電路,支電路是將1個(gè)橙色LED燈珠(功率1W,電流350mA,電壓3.0-3.4V,140o)安裝在散熱板上,LED芯片表面用硅膠裝成方型,LED燈珠光線發(fā)射角度為140°,LED芯片4上形成LED燈珠陣列發(fā)光光譜波長(zhǎng)為600~605nm。勻光板6為亞克力勻光板,安裝在距離LED芯片光線發(fā)射原點(diǎn)10cm處。散熱板1為銅基材散熱板。驅(qū)動(dòng)器為一個(gè)LED驅(qū)動(dòng)器,LED驅(qū)動(dòng)器輸出功率為1W(350mA,2V-4V),通過(guò)電位器控制電流1-300mA,保證安全。其余結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。實(shí)施例7應(yīng)用實(shí)施例應(yīng)用實(shí)施例1~6所得到的腫瘤光動(dòng)力/光熱治療儀,其操作使用:選擇各實(shí)施例中特定的波長(zhǎng)和特定數(shù)量燈珠3D-LED腫瘤治療儀,打開(kāi)電源開(kāi)關(guān),電扇自動(dòng)開(kāi)始工作,按鍵設(shè)定光源溫度約比室溫高10℃~20℃左右。旋轉(zhuǎn)LED調(diào)壓旋鈕,LED芯片陣列開(kāi)始發(fā)光,顯示部分自動(dòng)開(kāi)始光照時(shí)間計(jì)時(shí),同時(shí)顯示左右電壓控制旋鈕的工作電壓、顯示光強(qiáng)(單位Lux)。將培養(yǎng)好的乳腺癌MDA-MB-435細(xì)胞培養(yǎng)皿,加入亞甲藍(lán)熒光納米靶向劑,37℃恒溫箱中培養(yǎng)約30分鐘,置燈下照射1分鐘,實(shí)施光動(dòng)力治療,等待20分鐘后,觀察腫瘤細(xì)胞全部被殺死,癌細(xì)胞殺死率達(dá)90%以上(如圖5所示,左側(cè)為照射之前活腫瘤細(xì)胞顯綠色,右側(cè)照射1分鐘后,等20分鐘觀察,腫瘤細(xì)胞全死亡顯紅色,右側(cè)圖中基本不再出現(xiàn)綠色細(xì)胞)。本發(fā)明上述實(shí)施例方案僅是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明而不能限制本發(fā)明,權(quán)利要求中指出了本發(fā)明裝置構(gòu)成特征示意,而上述的說(shuō)明并未指出本發(fā)明參數(shù)的范圍,因此,在與本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)相當(dāng)?shù)暮x和范圍內(nèi)的任何改變,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是包括在權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
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