技術(shù)編號(hào)：42301069
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的領(lǐng)域涉及具有從支撐軸懸掛的反射器組合件的拉錠器設(shè)備，所述支撐軸在所述反射器組合件上方延伸。背景技術(shù)、單晶硅錠可通過所謂的丘克拉斯基(czochralski)工藝生長(zhǎng)，其中硅種晶與硅的熔體接觸。從熔體抽提硅種晶，從而引起由種晶懸掛的單晶硅錠形成。硅種晶固定到連接到拉索的晶種卡盤。拉索支撐卡盤及種晶(以及晶體生長(zhǎng)期間的錠)。拉索連接到提拉機(jī)構(gòu)，其降低及升高拉錠器設(shè)備內(nèi)的拉索。、在從熔體抽提單晶硅錠時(shí)，錠可經(jīng)過將熱重新引導(dǎo)回錠的反射器組合件。常規(guī)地，反射器組合件由豎直堆疊在熱區(qū)中的一系列石...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。