技術(shù)編號：42300995
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及真空計結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具體而言，涉及一種薄膜真空計優(yōu)化方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。背景技術(shù)、目前，為了提高薄膜真空計的性能，結(jié)構(gòu)設(shè)計上的改進(jìn)主要依賴于實驗方法，然而，這種方法存在不足，如實驗成本高、周期長，且難以全面覆蓋所有可能的工況。因此，引入仿真改進(jìn)方法成為了一種趨勢，通過理論分析與仿真模擬相結(jié)合，可以更加深入地研究影響薄膜真空計性能的各種因素，如薄膜材料、電極結(jié)構(gòu)、尺寸等，從而提出更加有效的改進(jìn)方案，仿真方法不僅能夠降低實驗成本，縮短研發(fā)周期，還能夠提高設(shè)計的準(zhǔn)確性和可靠性。但是...
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請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。