技術(shù)編號(hào)：42300983
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電感耦合等離子體源，具體涉及一種電感耦合等離子體源的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)與優(yōu)化方法。背景技術(shù)、感應(yīng)耦合等離子體源被廣泛用于微電子制造、中性束注入等多種領(lǐng)域中，其中電感耦合等離子體源可以通過射頻放電在較大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高等離子體密度，對于實(shí)現(xiàn)納米級(jí)器件的精確刻蝕、有效的大面積等離子體處理、穩(wěn)定均勻的束流至關(guān)重要。隨著工藝要求的提高，對等離子體源的設(shè)計(jì)要求也越來越苛刻。盡管電感耦合等離子體源已發(fā)展多年，但設(shè)計(jì)過程仍主要依賴經(jīng)驗(yàn)試錯(cuò)，缺乏精準(zhǔn)可靠的定量方法。傳統(tǒng)經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)在面對多變量復(fù)雜系設(shè)計(jì)（如放電氣...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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