技術(shù)編號：42197928
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及半導體功率器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種igbt元胞結(jié)構(gòu)及制作方法。背景技術(shù)、絕緣柵雙極性晶體管（igbt）已廣泛地應用于電力電子系統(tǒng)，是功率轉(zhuǎn)換的核心器件；絕緣柵雙極性晶體管（igbt）的短路時間是指igbt在短路條件下能夠持續(xù)導通而不發(fā)生故障的時間，也稱為“短路耐受時間”。、絕緣柵雙極性晶體管的通態(tài)壓降和短路時間成正相關(guān)，當短路時間增加時，通態(tài)壓降會增加；當短路時間增加較多時，通態(tài)壓降增加較多，不利于電路的應用，兩者協(xié)調(diào)性較差。、為了解決上述問題，相關(guān)技術(shù)中，公布號為cn...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。