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具有用于控制部件溫度的機(jī)構(gòu)的等離子處理系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:7207096閱讀:211來源:國知局
專利名稱:具有用于控制部件溫度的機(jī)構(gòu)的等離子處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及控制等離子處理系統(tǒng)的部件溫度。例如,該溫度控制可涉及包括在等 離子處理系統(tǒng)中調(diào)節(jié)電極與電極平行度的部件。
背景技術(shù)
在等離子處理中,下一代器件制造中減小的特征尺寸和新材料的使用對于等離子 處理設(shè)備增加了新的要求。更小的器件特征、更大的襯底尺寸和新的處理技術(shù)(包含多步 驟制法,如用于雙鑲嵌蝕刻)增加為了更好的成品率而保持縱貫該晶片良好一致性的挑 戰(zhàn)。在電容耦合RF等離子反應(yīng)器中,與襯底電極相對的電極通常稱為上部電極。該上 部電極可以接地,或具有貼附于其的一個或多個射頻(RF)功率源。襯底電極通常叫做下部 電極。電容耦合等離子處理室中的下部電極的機(jī)械構(gòu)造可包括將包括該下部電極的總成從 該室的側(cè)壁伸出。這個伸出的下部電極可距離該上部電極固定的距離,或設(shè)計成距該上部 電極可變的距離。在任一種情況下,一個電極表面與另一個的平行度通常是可以影響晶片 工藝性能的關(guān)鍵的機(jī)械參數(shù)。由于復(fù)雜性增加,許多電容耦合RF等離子反應(yīng)器放棄了對電極之間精確的平行 度調(diào)節(jié)的特征,并且依賴于該總成部件精密制造公差(tight manufacturing tolerance) 來將平行度保持在可接受的限度內(nèi)。這個方法通常會增加這些部件的成本,并會限制可以 實現(xiàn)的最終平行度規(guī)格。例如,考慮到該總成部件會經(jīng)受溫度變化以及反應(yīng)器中不同的部 件會具有不同的熱屬性,所以實現(xiàn)該總成部件的精密制造公差會是挑戰(zhàn)性的并且昂貴的。有些裝置可包括匹配部件中的狹槽或穿通孔,允許在裝配過程中自由調(diào)節(jié)平行 度。這種裝置耗時并且一般需要重復(fù)的過程來實現(xiàn)正確的構(gòu)造。這種裝置還需要將該等離 子處理系統(tǒng)拆卸到一定程度以調(diào)節(jié)必需的部件。進(jìn)而,調(diào)節(jié)這些部件所處的溫度與這些部 件在等離子處理期間經(jīng)受的溫度基本上是不同的。這種溫度變化效應(yīng)會致使構(gòu)造不正確, 或者需要額外的來進(jìn)行調(diào)節(jié)。有些裝置會試圖提供用于調(diào)節(jié)的方式,但沒有直接的方式來將調(diào)節(jié)量與對至少一 個電極的實際影響相關(guān)聯(lián)。結(jié)果,這種方法也會反復(fù)的過程以撥入(dial in)平行度。這 些方法的一些隨著時間也容易受到由于振動(如起運負(fù)載(shipping load))和/或溫度 變化而導(dǎo)致的調(diào)節(jié)漂移的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個實施方式涉及等離子處理系統(tǒng),具有改進(jìn)的部件溫度控制。該系統(tǒng)可 包括具有室壁的等離子處理室。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部的電極。該系統(tǒng) 還可包括設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部的支撐構(gòu)件,用以支撐該電極。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該 室壁外面的支撐板。該系統(tǒng)還可包括設(shè)為穿過該室壁的懸臂,用以將該支撐構(gòu)件與該支撐 板連接。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該室壁和該支撐板之間的提升板。該系統(tǒng)還可包括熱阻連接 機(jī)構(gòu),用以將該提升板與該支撐板機(jī)械連接。上面的概要僅涉及這里公開的本發(fā)明許多實施方式之一,并且不是為了顯示本發(fā) 明的范圍,該范圍在權(quán)利要求中闡述。本發(fā)明的這些和其他特征將在下面的具體描述中結(jié) 合附圖更詳細(xì)地說明。


在附圖中,本發(fā)明作為示例而不是作為限制來說明,其中類似的參考標(biāo)號指出相 似的元件,其中圖IA示出等離子處理室的局部立體視圖,包括調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),用以調(diào)節(jié)按照本發(fā)明的 一個或多個實施方式的等離子處理室中的下部電極的方位。圖IB示出該等離子處理室的局部側(cè)視圖,說明按照本發(fā)明的一個或多個實施方 式的下部電極的第一轉(zhuǎn)動(或傾斜(pitch))。圖IC示出局部后視圖該等離子處理室說明按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的 下部電極的第二轉(zhuǎn)動(或滾動(roll))。圖ID示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的局部側(cè)視圖。圖IE示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的傾斜調(diào)節(jié)用戶界面的 局部立體視圖。圖IF示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的局部分解視圖。圖IG示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的滾動調(diào)節(jié)凸輪的立體 圖。圖IH示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的滾動調(diào)節(jié)用戶界面的 局部立體視圖。圖II,圖IA的另一視圖,示出該等離子處理室的局部立體視圖,其包括調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu), 用以按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)該等離子處理室中的該下部電極的方位。圖1J,圖IB的另一視圖,示出該等離子處理室的局部側(cè)視圖,說明按照本發(fā)明的 一個或多個實施方式的下部電極的第一轉(zhuǎn)動(或傾斜)。圖1K,圖IC的另一視圖,示出該等離子處理室的局部后視圖,說明按照本發(fā)明的 一個或多個實施方式的下部電極的第二轉(zhuǎn)動(或滾動)。圖1L,圖ID的另一視圖,示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的局 部側(cè)視圖。圖1M,圖IE的另一視圖,示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的傾 斜調(diào)節(jié)用戶界面的局部立體視圖。圖1N,圖IF的另一視圖,示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的局 部分解視圖。圖10,圖IG的另一視圖,示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的滾 動調(diào)節(jié)凸輪的立體圖。圖1P,圖IH的另一視圖,示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)的滾 動調(diào)節(jié)用戶界面的局部立體視圖。圖2A示出等離子處理系統(tǒng)的局部剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施方 式的用于控制該等離子處理系統(tǒng)的部件的溫度的機(jī)構(gòu)。圖2B示出該等離子處理系統(tǒng)的電極總成的局部剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個 或多個實施方式的隔熱機(jī)構(gòu)。圖2C示出該等離子處理系統(tǒng)的局部立體視圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實 施方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。圖2D示出該等離子處理系統(tǒng)的局部立體視圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。圖2E示出該等離子處理系統(tǒng)的支撐板的立體圖,其中實現(xiàn)有按照本發(fā)明的一個 或多個實施方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。圖2F示出該等離子處理系統(tǒng)的提升板的局部立體視圖,其中實現(xiàn)有按照本發(fā)明 的一個或多個實施方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。圖3示出等離子處理系統(tǒng)的局部剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施方式 用于控制部件的溫度的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。
具體實施例方式現(xiàn)在將根據(jù)其如在附圖中說明的幾個實施方式來具體描述本發(fā)明。在下面的描述 中,闡述許多具體細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的徹底理解。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員,顯然,本發(fā) 明可不利用這些具體細(xì)節(jié)的一些或者全部而實施。在有的情況下,公知的工藝步驟和/或 結(jié)構(gòu)沒有說明,以避免不必要的混淆本發(fā)明。本發(fā)明的一個或多個實施方式涉及一種等離子處理系統(tǒng),具有用于控制該等離子 處理系統(tǒng)的部件溫度的機(jī)構(gòu)。該等離子處理系統(tǒng)可包括具有室壁的等離子處理室。在該等 離子處理室內(nèi),該等離子處理系統(tǒng)可包括電極,其可在等離子處理過程中支撐襯底;以及 偏置框架,其可封閉偏置功率源并可支撐該電極。在該等離子處理室外部,該等離子處理系 統(tǒng)可包括支撐板和提升板。該提升板可設(shè)在該室壁和該支撐板之間。該等離子處理系統(tǒng)還 可包括軸承機(jī)構(gòu),用以將該提升板與該室壁連接并引導(dǎo)該提升板的移動。該等離子處理系 統(tǒng)還可包括懸臂,其可將該偏置框架與該支撐板連接用以支撐該偏置框架、該電極、該襯底 等的重量。該等離子處理系統(tǒng)還可包括溫度控制機(jī)構(gòu),如下面討論的隔熱構(gòu)件、一個或多個 電扇和熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu),用以控制該等離子處理系統(tǒng)的部件的溫度以優(yōu)化運行并延長部件 的使用期限。該等離子處理系統(tǒng)可包括隔熱構(gòu)件,如一個或多個隔熱環(huán),設(shè)在該電極和該偏置 框架之間。因而,該電極的溫度變化(例如,從-10°C至80°C的范圍)的影響被限于該電極 而基本上不會傳遞到該等離子處理系統(tǒng)的其他部件。有利地,可最小化或防止與不希望的 熱膨脹和收縮有關(guān)的問題,并且可保護(hù)該等離子處理系統(tǒng)的部件(例如,機(jī)械部件和電氣 部件)。該等離子處理系統(tǒng)還可包括風(fēng)扇,用于向支撐板吹環(huán)境溫度空氣(例如,溫度大 約20°C的來自制造設(shè)備的空氣),由此最小化該支撐板與該支撐板熱連接的構(gòu)件(如該懸 臂和該偏置框架)的溫度變化。有利地,可進(jìn)一步保護(hù)該等離子處理系統(tǒng)的部件。該等離子處理系統(tǒng)還可包括一個或多個熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu),用作該提升板和該支撐 板之間的分界面。因而,在等離子處理過程中電極的溫度變化通過懸臂提供的熱耦合而導(dǎo) 致該支撐板的較大的溫度變化,該提升板的溫度仍可保持基本恒定。結(jié)果,該提升板不會有 較大的、不希望的膨脹或收縮而在與該提升板連接的部件(如軸承機(jī)構(gòu))上施加不必要的 負(fù)荷。有利地,該提升板連接的部件可正確運行并且具有較長的使用期限。該等離子處理系統(tǒng)不需要復(fù)雜的加熱和冷卻布置或裝置,如電阻加熱器或冷卻劑 通道。因而,可最小化該等離子處理系統(tǒng)的制造和維護(hù)成本。該等離子處理系統(tǒng)還可包括調(diào)節(jié)電極與電極的平行度的機(jī)構(gòu)。因為最小化與調(diào)節(jié) 該電極與電極的平行度有關(guān)的部件的溫度變化,所以電極與電極的平行度可精確地調(diào)節(jié)并 且維持很長時間而不需要頻繁的校正。有利地,可最小化用來優(yōu)化等離子處理的工作量和成本。本發(fā)明的一個或多個實施方式涉及用以在等離子處理系統(tǒng)中調(diào)節(jié)電極與電極的 平行度的機(jī)構(gòu)。該機(jī)構(gòu)可單獨調(diào)節(jié)下部電極在傾斜(前后)和滾動(兩側(cè))方向的方位/ 轉(zhuǎn)動。該機(jī)構(gòu)可包括低成本、簡單的部件,其以低總成本共同實現(xiàn)平行度的高精度調(diào)節(jié)。該機(jī)構(gòu)可允許電極方位/平行度調(diào)節(jié)在該系統(tǒng)處于真空、大氣環(huán)境和/或原位時 進(jìn)行,因為該機(jī)構(gòu)的用戶界面設(shè)在該等離子處理室外面。該機(jī)構(gòu)還允許在最低程度拆卸或 不拆卸該等離子處理系統(tǒng)的情況下進(jìn)行所述調(diào)節(jié)。該機(jī)構(gòu)允許進(jìn)行精確的電極方位/平行度調(diào)節(jié)??扇菀讓崿F(xiàn)精度高達(dá)0. Olmm的 平行度的精確調(diào)節(jié)。該機(jī)構(gòu)還可包括校準(zhǔn)的指數(shù)標(biāo)記以給出調(diào)節(jié)量的清晰反饋,由此消除 重復(fù)調(diào)節(jié)和測量的需要。該機(jī)構(gòu)還可鎖定電極方位/平行度設(shè)定。一旦安全鎖定調(diào)節(jié)好的電極方位/平行 度設(shè)定,該設(shè)定應(yīng)當(dāng)在通常的振動和起運負(fù)載下保持不變。通過采用低成本部件并允許平行度的快速調(diào)節(jié)-鎖定達(dá)到精確程度,該機(jī)構(gòu)可減 少對于主要部件上的精密制造公差的需要,并且以高性價比優(yōu)化關(guān)于電極平行度的工藝性 能。本發(fā)明的一個或多個實施方式涉及等離子處理系統(tǒng),其包括上面討論的以及在下 面的示例中進(jìn)一步討論的電極方位/平行度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。參照下面的附圖和討論可更好地理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點。圖IA示出等離子處理室198的局部立體視圖,包括機(jī)構(gòu)100,用以調(diào)節(jié)按照本發(fā)明 的一個或多個實施方式的下部電極110(或卡盤110)的方位。為了優(yōu)化等離子處理室198 中的處理成品率,可通過調(diào)節(jié)該下部電極110的方位來確保上部電極198和下部電極110 之間的電極與電極的平行度。機(jī)構(gòu)100可包括隧道支撐板102 (支撐板102),以通過懸臂114和偏置框架112與 下部電極110連接。機(jī)構(gòu)100還可包括傾斜調(diào)節(jié)螺釘106,用以調(diào)節(jié)該下部電極110的傾 斜;該下部電極110的傾斜在圖IB的示例中說明。機(jī)構(gòu)100還可包括滾動調(diào)節(jié)凸輪104, 用以調(diào)節(jié)該下部電極110的滾動;該下部電極110的滾動在圖IC的示例中說明。圖IB示出等離子處理室198的局部側(cè)視圖,說明按照本發(fā)明的一個或多個實施方 式的第一轉(zhuǎn)動192(傾斜192)。機(jī)構(gòu)100可便于調(diào)節(jié)下部電極110相對于傾斜軸118的第 一轉(zhuǎn)動192(傾斜19 。傾斜軸118基本上垂直于襯底插入方向116,在該方向襯底可插入 等離子處理室198。圖IC示出等離子處理室198的局部后視圖,說明按照本發(fā)明的一個或多個實施方 式第二轉(zhuǎn)動194(滾動194)。機(jī)構(gòu)100可幫助調(diào)節(jié)下部電極110相對滾動軸120的第二轉(zhuǎn) 動194(滾動194)。滾動軸120基本上平行于襯底插入方向116。圖ID示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的機(jī)構(gòu)100的局部側(cè)視圖。機(jī)構(gòu)100 中,支撐板102可設(shè)在等離子處理室198的室壁126的外面(在圖IA的示例中示出)。支 撐板102可通過例如樞軸122和/或另一樞軸機(jī)構(gòu)在支撐板102的部分138 (例如,上部部 分)相對該室壁1 樞轉(zhuǎn)。該支撐板可具有螺紋146,其可嚙合傾斜調(diào)節(jié)螺釘106的螺紋 128。因而,轉(zhuǎn)動傾斜調(diào)節(jié)螺釘106可導(dǎo)致支撐板102的部分140 (例如,下部部分)相對傾 斜調(diào)節(jié)螺釘106在向外的方向142或向內(nèi)的方向144上平移。支撐板102 —部分140的平移會導(dǎo)致支撐板102相對室壁1 轉(zhuǎn)動。因為支撐板102與下部電極110連接,所以支撐板 102在方向142或144的轉(zhuǎn)動實質(zhì)上會導(dǎo)致下部電極110相對傾斜軸118轉(zhuǎn)動。螺紋146 和128的精度使得下部電極110的轉(zhuǎn)動192的量可以穩(wěn)定且精確地調(diào)節(jié)。機(jī)構(gòu)100還可包括提升板124,設(shè)在室壁126和支撐板102之間。機(jī)構(gòu)100還可 包括一個或多個軸承,如軸承Π4和136,其與提升板IM和室壁1 連接。該一個或多個 軸承可促進(jìn)和/或引導(dǎo)支撐板102相對室壁126的移動(例如,在方向142或144的平移, 和/或在垂直于方向142或144的方向的平移),用于平滑和精確調(diào)節(jié)下部電極110的轉(zhuǎn)動 192。機(jī)構(gòu)100還可包括夾緊機(jī)構(gòu),例如包括對開夾具(split clamp) 132和夾緊螺釘 130,用以將傾斜調(diào)節(jié)螺釘106鎖定/緊固于支撐板102,由此防止傾斜調(diào)節(jié)螺釘106轉(zhuǎn)動和 平移。例如,可能需要在該下部電極110的傾斜調(diào)節(jié)完成后,使得傾斜調(diào)節(jié)螺釘106被夾緊 以鎖定設(shè)定。對開夾具132可圍繞傾斜調(diào)節(jié)螺釘106。夾緊螺釘130可基本上垂直于傾斜 調(diào)節(jié)螺釘106設(shè)置,并且與對開夾具132連接以按壓對開夾具132從而固定傾斜調(diào)節(jié)螺釘 106。工具狹槽可實現(xiàn)在夾緊螺釘130上,以便于使用者一旦完成該傾斜調(diào)節(jié)就可快速鎖定 /夾緊整個機(jī)構(gòu)100。圖IE示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式用以調(diào)節(jié)下部電極110的傾斜192 的機(jī)構(gòu)100的用戶界面182的局部立體視圖。用戶界面182可包括至少一個實現(xiàn)在支撐板 102上的傾斜調(diào)節(jié)指數(shù)150,用以給用戶提供與傾斜調(diào)節(jié)有關(guān)的視覺反饋。用戶界面182還 可包括實現(xiàn)在傾斜調(diào)節(jié)螺釘106上的指示器148,用以與傾斜調(diào)節(jié)指數(shù)150配合以指示傾斜 調(diào)節(jié)的量。可選地或額外地,傾斜調(diào)節(jié)指數(shù)可實現(xiàn)在傾斜調(diào)節(jié)螺釘106上,和/或指示器可 實現(xiàn)在支撐板102上。機(jī)構(gòu)100還可包括傾斜調(diào)節(jié)夾緊螺釘106A,其連接并至少部分插入傾斜調(diào)節(jié)螺釘 106。傾斜調(diào)節(jié)夾緊螺釘106A可將傾斜調(diào)節(jié)螺釘106固定于支撐板102。工具狹槽186可 實現(xiàn)在傾斜調(diào)節(jié)夾緊螺釘106A上,以便于使用者一旦完成該傾斜調(diào)節(jié)之后快速鎖定/夾緊 傾斜調(diào)節(jié)螺釘106和/或整個機(jī)構(gòu)100。在一個或多個實施方式中,傾斜調(diào)節(jié)螺釘106可連接自動控制機(jī)構(gòu),從而以自動 方式控制該傾斜調(diào)節(jié)和/或校準(zhǔn)。該自動控制機(jī)構(gòu)可包括例如傳感器、控制邏輯單元和馬 達(dá)(例如,高分辨率步進(jìn)電機(jī))。圖IF示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的機(jī)構(gòu)100的局部分解視圖。機(jī)構(gòu) 100可包括與滾動調(diào)節(jié)凸輪104連接的滾動調(diào)節(jié)桿154,并可由滾動調(diào)節(jié)凸輪104驅(qū)動。滾 動調(diào)節(jié)桿巧4可通過傾斜調(diào)節(jié)螺釘106與支撐板102連接。因而,通過滾動調(diào)節(jié)桿154,滾 動調(diào)節(jié)凸輪104可驅(qū)動支撐板102的一部分140平移。結(jié)果,支撐板102可相對樞軸122 相對室壁126轉(zhuǎn)動(圖ID的示例中示出),由此導(dǎo)致圖IC中示出的下部電極110的轉(zhuǎn)動 194(滾動 194)。受到提升板124中的狹槽160約束和引導(dǎo),滾動調(diào)節(jié)桿IM可沿滾動調(diào)節(jié)桿IM 的縱軸164在方向166或168平移。因而,可穩(wěn)定并精確調(diào)節(jié)下部電極110的轉(zhuǎn)動194的量。機(jī)構(gòu)100還可包括與滾動調(diào)節(jié)凸輪104連接的滾動調(diào)節(jié)鎖定螺釘158。滾動調(diào)節(jié) 鎖定螺釘158可相對滾動調(diào)節(jié)桿巧4鎖定滾動調(diào)節(jié)凸輪104,并且同時相對提升板IM鎖定滾動調(diào)節(jié)桿154,由此防止下部電極110的進(jìn)一步轉(zhuǎn)動194(滾動194)。例如,在完成下部 電極110的滾動調(diào)節(jié)后,可采用滾動調(diào)節(jié)鎖定螺釘158。機(jī)構(gòu)100還可包括與提升板IM連接的墊圈162(例如,精確、硬化墊圈),用以接 收傾斜調(diào)節(jié)螺釘106。墊圈162可保護(hù)提升板IM不被傾斜調(diào)節(jié)螺釘106損傷。墊圈162 也可提供低程度摩擦以便于傾斜調(diào)節(jié)螺釘106的平滑移動,由此進(jìn)一步使得機(jī)構(gòu)100的運 行平滑和穩(wěn)定。圖IG示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的滾動調(diào)節(jié)凸輪104的立體圖。滾動 調(diào)節(jié)凸輪104可包括設(shè)為相對滾動調(diào)節(jié)凸輪104的部分174的偏心/偏移布置的部分172, 用以使得滾動調(diào)節(jié)凸輪104能夠驅(qū)動滾動調(diào)節(jié)桿154(在圖IF的示例中示出)。滾動調(diào)節(jié) 凸輪104可利用其他具有不同偏心/偏移布置的替代滾動調(diào)節(jié)凸輪來代替用以適合特殊滾 動調(diào)節(jié)需要的特殊驅(qū)動效果。圖IH示出按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的用以調(diào)節(jié)下部電極110的滾動194 的機(jī)構(gòu)100的用戶界面184的局部立體視圖。用戶界面184可包括至少一個實現(xiàn)在提升板 IM上的滾動調(diào)節(jié)指數(shù)178,用以給用戶提供與滾動調(diào)節(jié)有關(guān)的視覺反饋。用戶界面184還 可包括實現(xiàn)在滾動調(diào)節(jié)凸輪104上的指示器180,用以與滾動調(diào)節(jié)指數(shù)178配合指示滾動調(diào) 節(jié)的量??蛇x地或額外地,滾動調(diào)節(jié)指數(shù)可實現(xiàn)在滾動調(diào)節(jié)凸輪104上,和/或指示器可實 現(xiàn)在提升板1 上。工具狹槽176可實現(xiàn)在滾動調(diào)節(jié)凸輪104上,以便于用戶執(zhí)行滾動調(diào) 節(jié),例如,采用改錐執(zhí)行。在一個或多個實施方式中,滾動調(diào)節(jié)凸輪104和/或傾斜調(diào)節(jié)螺釘106可連接自 動控制機(jī)構(gòu),以便以自動方式控制傾斜和/或滾動調(diào)節(jié)和/或校準(zhǔn)。該自動控制機(jī)構(gòu)可包 括例如傳感器、控制邏輯單元和馬達(dá)(例如,高分辨率步進(jìn)電機(jī))。圖2A示出等離子處理系統(tǒng)200的局部剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施 方式的用以控制等離子處理系統(tǒng)200的部件溫度的機(jī)構(gòu)。等離子處理系統(tǒng)200可包括具有 室壁226的等離子處理室四8,用以封閉待處理的襯底以及包含用于處理該襯底的等離子。在等離子處理室四8內(nèi),等離子處理系統(tǒng)200可包括電極總成觀8。電極總成288 可包括電極210 (或卡盤210),其可在等離子處理過程中支撐該襯底。電極總成288還可包 括偏置框架212 (或支撐構(gòu)件212),其封閉偏置功率源并可支撐電極210。電極總成288還 可包括設(shè)在電極210和偏置框架212之間的一個或多個隔熱構(gòu)件(如絕熱體216)。因而, 電極210的溫度變化(例如,從-10°C至80°C的范圍)的影響可被限制于電極210,而基本 上不會通過偏置框架212傳遞到等離子處理系統(tǒng)200的其他部件。有利地,可最小化或防 止與不希望的熱膨脹和收縮有關(guān)的問題,并且保護(hù)等離子處理系統(tǒng)200的部件(例如,機(jī)械 部件和電氣部件)受到損傷和/或故障。電極總成288和該隔熱構(gòu)件參照圖2B的示例進(jìn) 一步討論。在等離子處理室298外面,等離子處理系統(tǒng)200可包括隧道支撐板202 (或支撐板 202)。等離子處理系統(tǒng)200還可包括設(shè)在室壁2 和支撐板202之間的提升板224。等離 子處理系統(tǒng)200還可包括一個或多個軸承機(jī)構(gòu)(如軸承機(jī)構(gòu)234、軸承機(jī)構(gòu)236和軸承軌道 238),用以將提升板224與室壁2 連接并且用于精確引導(dǎo)提升板224的移動(由此精確 引導(dǎo)該懸臂式電極210的運動)。在一個或多個實施方式中,考慮到材料特性和較小的接觸 面積,該一個或多個軸承機(jī)構(gòu)可在提升板2 和室壁2 之間引入隔熱。例如,軸承機(jī)構(gòu)可包括不銹鋼球軸承,其提供較低的熱傳導(dǎo)和較小的接觸點。等離子處理系統(tǒng)200還可包括懸臂214,其可將偏置框架212與支撐板202連接, 用以支撐電極總成觀8、該襯底等的質(zhì)量。懸臂214還可用于控制電極總成288的運動以調(diào) 節(jié)等離子處理系統(tǒng)200的電極與電極的平行度。等離子處理系統(tǒng)200還可包括一個或多個熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu),用作提升板2 和支 撐板202之間的界面,以在提升板2M和支撐板202之間提供熱阻。該一個或多個熱阻構(gòu) 件/機(jī)構(gòu)可包括由低熱傳導(dǎo)材料(如不銹鋼)和/或隔熱材料(如陶瓷材料)制成的構(gòu)件。 因而,即使在等離子處理過程中電極210的溫度變化通過懸臂214提供的熱偶導(dǎo)致支撐板 202顯著的溫度變化,提升板224的溫度仍可保持基本上恒定。結(jié)果,提升板2M沒有較大 的、不希望的膨脹或收縮而在與該提升板2M連接的部件(如該軸承機(jī)構(gòu))上施加不必要 的負(fù)荷。有利地,與提升板2M連接的部件可正確運轉(zhuǎn)并且具有較長的使用期限。該熱阻 構(gòu)件/機(jī)構(gòu)參照圖2C-2F的示例進(jìn)一步討論。等離子處理系統(tǒng)200還可包括一個或多個風(fēng)扇(如電風(fēng)扇274)用以將環(huán)境溫度 空氣(例如,來自溫度大約20°C的制造設(shè)備的空氣)吹在支撐板202(設(shè)在室壁2 和電風(fēng) 扇274之間),由此最小化支撐板202和與支撐板202熱耦合的構(gòu)件(如懸臂214和偏置框 架21 的溫度變化。有利地,可保護(hù)等離子處理系統(tǒng)200的部件不會經(jīng)歷不希望的熱膨脹 和收縮。等離子處理系統(tǒng)200可包括封閉等離子處理室四8、提升板224、隧道支撐板202 等的外殼,其中電風(fēng)扇274可將環(huán)境溫度空氣引入該外殼。支撐板202可包括脊部(如脊 部272,設(shè)為面向電風(fēng)扇274)以最大化支撐板202暴露于環(huán)境溫度空氣的表面積以便有效 地最小化支撐板202以及與支撐板202熱耦合的部件的溫度變化。利用用于引入隔熱的該隔熱構(gòu)件和/或該熱阻構(gòu)件并且利用該一個或多個用于 引入環(huán)境溫度空氣的風(fēng)扇,等離子處理系統(tǒng)200不需要復(fù)雜、昂貴的加熱和冷卻布置或裝 置,如電阻加熱器或冷卻劑通道。因而,可最小化等離子處理系統(tǒng)200的制造和維護(hù)成本。圖2B示出等離子處理系統(tǒng)200(在圖2A的示例中示出)的電極總成觀8的局部 剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的隔熱機(jī)構(gòu)。例如,該隔熱機(jī)構(gòu)可包括設(shè)在 偏置框架212和電極210之間的絕熱體216 (例如,絕緣環(huán));設(shè)在絕熱體216和電極210之 間的第一 0形環(huán)(例如,安裝在電極210的0形環(huán)槽中);以及設(shè)在絕熱體216和偏置框架 212之間的(例如,安裝在偏置框架212的0形環(huán)槽254)的第二 0形環(huán)。絕熱體216和該 0形環(huán)可以隔熱材料制成。例如,絕熱體可由陶瓷層材料制成,如氧化鋁;該0形環(huán)可由氟 硅材料制成。因而,可以隔絕該電極210的溫度變化而基本上不會通過偏置框架212傳播??勺钚』摰谝?0形環(huán)(安裝在0形環(huán)槽25 的外徑以最大化絕熱體216和電 極210之間的真空界面沈6。也可最小化該第一 0形環(huán)的內(nèi)徑以最小化絕熱體216和電極 210之間的大氣界面沈2。因而,可加強(qiáng)絕熱體216和電極210之間的隔熱(并以此加強(qiáng)偏 置框架212和電極210之間的隔熱)。類似地,最小化該第二 0形環(huán)(安裝在0形環(huán)槽254)的外徑以最大化絕熱體216 和偏置框架212之間的真空界面沈8 ;還可最小化該第二 0形環(huán)的內(nèi)徑以最大化絕熱體216 和偏置框架212之間的大氣界面沈4。因而,可加強(qiáng)絕熱體216和偏置框架212之間的隔熱 (并以此加強(qiáng)偏置框架212和電極210之間的隔熱)。圖2C示出等離子處理系統(tǒng)200的局部立體視圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。在圖2C中的示例中,提升板2M和支撐板202示為半透明的以 示出熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu),但是本發(fā)明的一個或多個實施方式中,提升板2M和支撐板202不是 半透明的。該熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可提供提升板2M和支撐板202之間的隔熱。因而,即使在 等離子處理過程中該電極210的溫度變化導(dǎo)致支撐板202通過由懸臂214提供的熱偶形成 較大的溫度變化,提升板224的溫度仍保持基本恒定。結(jié)果,提升板2M沒有較大的、不希 望的膨脹或收縮以在與提升板2M連接的部件(如該軸承機(jī)構(gòu))上施加不必要的負(fù)載。有 利地,提升板2M連接的部件可正確運轉(zhuǎn)并具有較長的使用期限。該熱構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可包括熱阻樞軸機(jī)構(gòu)222 (或樞軸222)。樞軸222可機(jī)械連接支 撐板202、提升板2M和室壁226。樞軸222可促使支撐板202相對提升板2M和室壁2 轉(zhuǎn)動。由于樞軸222由熱阻材料如不銹鋼制成,樞軸222可提供支撐板202和提升板2M 之間的隔熱。該熱構(gòu)件/機(jī)構(gòu)還可包括設(shè)在支撐板202上的一個或多個熱阻多邊形銷釘,如不 銹鋼六邊形銷釘246和不銹鋼六邊形銷釘M8,用作一個或多個支撐板202和提升板2M之 間的界面。該熱構(gòu)件/機(jī)構(gòu)還可包括設(shè)在提升板244上的一個或多個熱阻構(gòu)件,如不銹鋼 插入件242和不銹鋼插入件M4,用作一個或多個支撐板202和提升板2M之間的界面。例 如,六邊形銷釘246的第一端可插入支撐板202的圓孔,而六邊形銷釘246的第二端可從支 撐板202凸出或露出以接觸插入件242的暴露表面(其可旋入提升板224)。因而,該熱阻 六邊形銷釘246和插入件242可阻止支撐板202和提升板2M之間直接接觸,由此提供支 撐板202和提升板2M之間的隔熱。六邊形銷釘246和插入件242可具有平滑表面,并且 可平滑支撐板202和提升板之間的相對移動。在一個或多個實施方式中,該一個或多個多 邊形銷釘可包括一個或多個具有其他構(gòu)造的銷釘,如方形銷釘。在一個或多個實施方式中,該熱構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可包括一個或多個設(shè)在提升板2M上 的熱阻多邊形銷釘和一個或多個設(shè)在支撐板202上的熱阻構(gòu)件,用作一個或多個界面并提 供支撐板202和提升板2M之間的隔熱。在一個或多個實施方式中,該一個或多個多邊形 銷釘可包括一個或多個方形銷釘和/或六邊形銷釘。圖2D示出等離子處理系統(tǒng)200的局部剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施 方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。又如在圖2C的示例中示出,該熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可包括樞軸222、六 邊形銷釘M6、用以接觸六邊形銷釘M6的插入件M2、六邊形銷釘248和用以接觸六邊形 銷釘248的插入件M4。六邊形銷釘M6、插入件M2、六邊形銷釘248和插入件244的一個 或多個可確定支撐板202和提升板2M之間的間隙沈0的寬度。例如,該間隙沈0的寬度 可由從支撐板202凸出的六邊形銷釘248突出部和/或從提升板224凸出的插入件244的 突出部確定。可為支撐板202和提升板2M之間最佳的隔熱以及支撐板202的最佳運轉(zhuǎn)等 來構(gòu)造該間隙260的寬度。圖2E示出的支撐板202的立體圖,具有實現(xiàn)在其中的按照本發(fā)明的一個或多個實 施方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu),如六邊形銷釘246和六邊形銷釘M8。該六邊形銷釘可加強(qiáng)支 撐板202和提升板2M之間的隔熱(在圖2C和2D的示例中示出)。例如,六邊形銷釘246 可由不銹鋼制成并具有低導(dǎo)熱系數(shù)。六邊形銷釘M6的一端可壓入圓孔M0,而六邊形銷 釘246的另一端可露出以接觸插入件M2 (在圖2C和2D的示例中示出)。六邊形銷釘246 和孔240可僅在沿六邊形銷釘M6的邊緣接觸;所以,在六邊形銷釘246和支撐板202之間出現(xiàn)微乎其微的熱傳導(dǎo),并且支撐板202和提升板2M之間的任何熱交換都需要沿銷釘 的長度傳導(dǎo),這是更長的路徑。進(jìn)而,六邊形銷釘246可接觸旋入提升板2M的不銹鋼插入 件對2,而不是直接接觸提升板224的任何導(dǎo)熱部分(例如,鋁部分)。結(jié)果,可加強(qiáng)支撐板 202和提升板2M之間的隔熱。圖2F示出提升板2M的局部立體視圖,其中實現(xiàn)有按照本發(fā)明的一個或多個實施 方式的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu),如樞軸222、插入件242和插入件M4。提升板2 不必直接接觸懸 臂214(其與支撐板202熱耦合,在圖2C-2E的示例中示出)。該熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可進(jìn)一步 防止提升板2M直接接觸支撐板202以提供提升板2M和支撐板202之間的隔熱。例如, 插入件242可具有從提升板2M露出的表面270和/或從提升板2M凸出的突出部以接觸 熱阻六邊形銷釘M6的一端(在圖2C-2E的示例中示出),由此阻止提升板2M和支撐板 202之間直接接觸。圖3示出等離子處理系統(tǒng)300的局部剖面圖,包括按照本發(fā)明的一個或多個實施 方式用于控制部件的溫度的熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。在圖3的示例中,提升板3M示為局部透明/ 半透明以更好地說明本發(fā)明的實施方式,但是提升板3M在這些實施方式中不是透明/半 透明。該熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可將提升板3M與支撐板302機(jī)械連接。該熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)還可 提供提升板3M和支撐板302之間的隔熱。因而,即使支撐板302有顯著的溫度變化,提升 板3M的溫度仍保持基本恒定。結(jié)果,提升板3M不會有較大的、不希望的膨脹而對與提升 板3M連接的部件施加不必要的負(fù)荷。有利地,該部件可正確運行并具有較長的使用期限。該熱阻構(gòu)件/機(jī)構(gòu)可包括例如熱阻桿3 (或桿354)、熱阻管306 (或管306),熱 阻螺釘390 (或螺釘390),熱阻墊圈362 (或墊圈36 。桿3M可設(shè)在提升板3 背側(cè)上的 狹槽360中。管306可與支撐板302連接。螺釘390可穿過管306而旋進(jìn)桿354,以將提 升板3M與支撐板302機(jī)械鎖定/夾緊。墊圈362可與提升板3M連接以容納螺釘390。 墊圈362可接觸管306的一端。墊圈362和/或管306可構(gòu)造為確定提升板3M和支撐板 302之間寬度的間隙,用以優(yōu)化支撐板302的運行,同時加強(qiáng)提升板3M和支撐板302之間 的隔熱。在一個或多個實施方式中,支撐板302可包括螺紋346,而管306可包括螺紋 338(其可嚙合螺紋346)。轉(zhuǎn)動管306使得支撐板302的部分340可相對管306平移。支 撐板302的部分340的平移使得支撐板302可相對室壁3 轉(zhuǎn)動,以調(diào)節(jié)該等離子處理系 統(tǒng)300的電極與電極的平行度。等離子處理系統(tǒng)300還可包括實現(xiàn)在支撐板302上的指數(shù) 350和實現(xiàn)在管306上的指示器(例如,類似于圖IE和IM的示例的指示器148),以提供調(diào) 節(jié)該電極與電極平行度的視覺反饋。本發(fā)明的一個或多個實施方式包括在圖1A-3的一個或多個示例中討論的特征的 一個或多個組合。例如,本發(fā)明的一個實施方式可以是一種等離子處理系統(tǒng),包括在圖2A 的示例中討論的電風(fēng)扇和在圖1A-1P的一個或多個示例中討論的一個或多個轉(zhuǎn)動調(diào)節(jié)機(jī) 構(gòu)。另一示例,本發(fā)明的一個實施方式可包括多個參照圖2A-2F和圖3的示例討論的熱阻 構(gòu)件/機(jī)構(gòu)。如從前述可以認(rèn)識到的,等離子處理系統(tǒng)中,本發(fā)明的實施方式可提供在需要的 部件之間低熱傳導(dǎo),并在需要的部件之間提供高熱傳導(dǎo)耦合熱偶,由此優(yōu)化部件的運行并 延長部件的使用期限。例如,本發(fā)明的實施方式可包括電極/卡盤及其支撐構(gòu)件(例如,偏置框架)之間的隔熱構(gòu)件。因而,電極的溫度變化的影響被限制于該電極,而基本上不會傳 播給其他部件。另一示例中,本發(fā)明的實施方式還可包括熱阻構(gòu)件,用作提升板和支撐板之 間的界面。因而,即使在等離子處理過程中電極的溫度變化導(dǎo)致該支撐板的溫度較大變化, 提升板的溫度仍可保持基本恒定。有利地,可最小化或防止與不希望的熱膨脹和收縮有關(guān) 的問題;所以,可保護(hù)該等離子處理系統(tǒng)的部件(例如,機(jī)械部件和電氣部件),從而滿足運 行較長的時間的要求。本發(fā)明的實施方式還可包括風(fēng)扇,用于將環(huán)境溫度空氣吹在該支撐板,由此最小 化該支撐板和與該支撐板連接(利用良好的熱耦合)的構(gòu)件的溫度變化,如懸臂和該偏置 框架。有利地,可進(jìn)一步保護(hù)該等離子處理系統(tǒng)的部件。本發(fā)明的實施方式不需要復(fù)雜且昂貴的加熱和冷卻布置或裝置,如電阻加熱器或 冷卻劑通道。有利地,可最小化制造和維護(hù)成本。本發(fā)明的實施方式還可包括用于調(diào)節(jié)電極與電極平行度的機(jī)構(gòu)。由于最小化與調(diào) 節(jié)電極與電極的平行度有關(guān)的部件的溫度變化,所以可準(zhǔn)確地構(gòu)造與維護(hù)該電極與電極的 平行度而不需要頻繁校準(zhǔn)。有利地,可最小化為了優(yōu)化等離子處理的工作和成本。利用低成本部件,本發(fā)明的實施方式可允許將平行度快速調(diào)節(jié)和鎖定至精確的水 平。因而,本發(fā)明的實施方式可降低對主要部件上昂貴的精密制造公差的需要。有利地,本 發(fā)明的實施方式可以高性價比優(yōu)化關(guān)于電極平行度的工藝性能。本發(fā)明的實施方式能夠進(jìn)行精確的電極方位/平行度調(diào)節(jié)。本發(fā)明的實施方式還 可包括標(biāo)可讀的指數(shù)標(biāo)記以給出調(diào)節(jié)量的清晰反饋。有利地,可以消除對現(xiàn)有技術(shù)中所要 求的重復(fù)調(diào)節(jié)和測量的需要。本發(fā)明的實施方式允許對電極方位和/或平行度的調(diào)節(jié)在等離子處理系統(tǒng)處于 真空、大氣和/或原位時進(jìn)行,因為用戶界面設(shè)在該等離子處理室外面。本發(fā)明的實施方式 還允許在最低程度拆卸該等離子處理系統(tǒng)或者不拆卸的情況下進(jìn)行所述調(diào)節(jié)。有利地,可 最小化系統(tǒng)停工時間,并且不會連累產(chǎn)量,同時滿足對電極方位和/或平行度調(diào)節(jié)的需求。本發(fā)明的實施方式還能夠鎖定電極方位/平行度的設(shè)定。調(diào)節(jié)好的電極方位/平 行度設(shè)定可在經(jīng)過一般的振動和起運負(fù)載時保持不變。有利地,可最小化電極方位/平行 度重新條件所需的資源(例如,人工、時間等)。盡管本發(fā)明依照多個實施方式描述,但是存在落入本發(fā)明范圍內(nèi)的改變、置換和 各種替代等同物。還應(yīng)當(dāng)注意,有許多實現(xiàn)本發(fā)明方法和設(shè)備的可選方式。此外,本發(fā)明的 實施方式可用在其他應(yīng)用中。摘要部分在這里為了方便而提供,并且由于字?jǐn)?shù)限制,因而是 為了閱讀方便進(jìn)行書寫,而不應(yīng)當(dāng)用來限制權(quán)利要求的范圍。所以,其意圖是下面所附的權(quán) 利要求解釋為包括所有這樣的落入本發(fā)明主旨和范圍內(nèi)的改變、增加、置換和等同物。
權(quán)利要求
1.一種等離子處理系統(tǒng),用于處理至少一個襯底,該等離子處理系統(tǒng)包括 等離子處理室,包括至少一個室壁;電極,設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部并構(gòu)造為支撐該襯底; 支撐構(gòu)件,設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部并構(gòu)造為支撐該電極; 支撐板,設(shè)在該室壁外面;懸臂,設(shè)為穿過該室壁并構(gòu)造為將該支撐構(gòu)件與該支撐板連接;提升板,設(shè)在該室壁和該支撐板之間;以及一個或多個熱阻連接機(jī)構(gòu),構(gòu)造為將該提升板與該支撐板機(jī)械連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括熱阻多邊形銷釘,該熱阻多邊形銷釘?shù)牡谝欢藰?gòu)造為插入該支撐板的圓孔;以及 熱阻構(gòu)件,構(gòu)造為插入該提升板,該熱阻構(gòu)件的表面構(gòu)造為接觸該熱阻多邊形銷釘?shù)腁-Ap ■上山弟一順。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理系統(tǒng),其中該熱阻多邊形銷釘和該熱阻構(gòu)件的至 少一個構(gòu)造為確定該支撐板和該提升板之間的間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理系統(tǒng),其中該熱阻多邊形銷釘表示方形銷釘和六 邊形銷釘?shù)闹辽僖粋€。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理系統(tǒng),其中該熱阻多邊形銷釘表示不銹鋼銷釘, 而該熱阻構(gòu)件表示不銹鋼插入件。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理系統(tǒng),其中該熱阻多邊形銷釘和該熱阻構(gòu)件構(gòu)造 為阻止該支撐板和提升板之間的直接接觸,并構(gòu)造為在該支撐板和提升板之間平滑相對移 動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括熱阻多邊形銷釘,該熱阻多邊形銷釘?shù)牡谝欢藰?gòu)造為插入該提升板的圓孔;以及 熱阻構(gòu)件,構(gòu)造為插入該支撐板,該熱阻構(gòu)件的表面的構(gòu)造為接觸該熱阻多邊形銷釘?shù)牡诙?,其中該熱阻多邊形銷釘和該熱阻構(gòu)件的至少一個構(gòu)造為在該支撐板和該提升板之間 形成間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),其中該一個或多個熱阻連接機(jī)構(gòu)包括一個 或多個隔熱連接機(jī)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),其中該一個或多個熱阻連接機(jī)構(gòu)包括一個 或多個由不銹鋼制成的連接機(jī)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),其中該一個或多個熱阻連接機(jī)構(gòu)包括至 少一個熱阻樞軸機(jī)構(gòu),該熱阻樞軸機(jī)構(gòu)構(gòu)造為便于該支撐板相對于該室壁轉(zhuǎn)動。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括風(fēng)扇,構(gòu)造為向該支撐板吹空 氣,其中該支撐板設(shè)在該室壁和該風(fēng)扇之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子處理系統(tǒng),其中該支撐板包括多個脊部,設(shè)為面向 該風(fēng)扇并構(gòu)造為最大化該支撐板的表面積。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括一個或多個軸承,其與該提升 板和該室壁連接,該一個或多個軸承構(gòu)造為至少引導(dǎo)該支撐板的至少一部分的平移。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括 絕緣環(huán),設(shè)在該支撐構(gòu)件和該電極之間;第一 0形環(huán),設(shè)在該絕緣環(huán)和該電極之間;以及 第二 0形環(huán),設(shè)在該絕緣環(huán)和該支撐構(gòu)件之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子處理系統(tǒng),其中該第一0形環(huán)的外徑最小化以最大 化該絕緣環(huán)和該電極之間的真空界面。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子處理系統(tǒng),其中該第二0形環(huán)的外徑最小化以最大 化該絕緣環(huán)和該支撐構(gòu)件之間的真空界面。
17.一種等離子處理系統(tǒng),用于處理至少一個襯底,該等離子處理系統(tǒng)包括 等離子處理室,包括至少一個室壁;電極,設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部并構(gòu)造為支撐該襯底; 支撐構(gòu)件,設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部并構(gòu)造為支撐該電極; 支撐板,設(shè)在該室壁外面;懸臂,設(shè)為穿過該室壁并構(gòu)造為將該支撐構(gòu)件與該支撐板連接;提升板,設(shè)在該室壁和該支撐板之間;以及一個或多個熱阻連接機(jī)構(gòu),構(gòu)造為將該提升板與該支撐板機(jī)械連接,其中該一個或多個熱阻連接機(jī)構(gòu),包括至少熱阻桿,構(gòu)造為設(shè)在該提升板的狹槽內(nèi),熱阻管,構(gòu)造為與該支撐板連接,以及熱阻螺釘,構(gòu)造為穿過該熱阻管并構(gòu)造為旋進(jìn)該熱阻桿。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子處理系統(tǒng),其中 該支撐板包括至少一個第一螺紋,以及該熱阻管包括至少一個第二螺紋,該第二螺紋構(gòu)造為嚙合該第一螺紋,轉(zhuǎn)動該熱阻管 構(gòu)造為導(dǎo)致該支撐板的一部分相對該熱阻管的第一平移,該支撐板的部分的該第一平移構(gòu) 造為導(dǎo)致該支撐板相對該室壁的第一轉(zhuǎn)動,該支撐板的該第一轉(zhuǎn)動構(gòu)造為導(dǎo)致該電極相對 第一軸的第一轉(zhuǎn)動,該第一軸垂直于該襯底的插入方向。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括實現(xiàn)在該支撐板上的指數(shù),用以提供與該第一電極的該第一轉(zhuǎn)動有關(guān)的視覺反饋;以及實現(xiàn)在該熱阻管上的指示器,用以與該第一指數(shù)配合以指示該第一電極的該第一轉(zhuǎn)動的量。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子處理系統(tǒng),進(jìn)一步包括與該提升板連接的熱阻墊 圈,構(gòu)造為接觸該熱阻管的一端、構(gòu)造為接收該熱阻螺釘并構(gòu)造為在該提升板和該支撐板 之間形成間隙。
全文摘要
公開一種具有改進(jìn)的部件溫度控制的等離子處理系統(tǒng)。該系統(tǒng)可包括具有室壁的等離子處理室。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部的電極。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該等離子處理室內(nèi)部的支撐構(gòu)件,用以支撐該電極。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該室壁外面的支撐板。該系統(tǒng)還可包括設(shè)為穿過該室壁的懸臂,用以將該支撐構(gòu)件與該支撐板連接。該系統(tǒng)還可包括設(shè)在該室壁和該支撐板之間的提升板。該系統(tǒng)還可包括熱阻連接機(jī)構(gòu),用以將該提升板與該支撐板機(jī)械連接。
文檔編號H01L21/3065GK102057472SQ200980122417
公開日2011年5月11日 申請日期2009年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月10日
發(fā)明者詹姆斯·E·塔潘 申請人:朗姆研究公司
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