專(zhuān)利名稱(chēng)：防止壅塞配置裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與電路布局有關(guān)，特別地，關(guān)于一種防止壅塞配置裝置及方法，用以將電路布局中的壅塞區(qū)域內(nèi)的電子元件向外擴(kuò)展分布至其附近電子元件密度較低的區(qū)域，藉以降低原本難以繞線(xiàn)的壅塞區(qū)域的電子元件密度，使其變?yōu)榭衫@線(xiàn)的區(qū)域。
背景技術(shù)：
隨著電子科技不斷地發(fā)展，各式各樣的電子產(chǎn)品的體積愈來(lái)愈輕薄短小，但其具備的功能亦愈來(lái)愈多。因此，在面積相當(dāng)小的芯片中必須設(shè)置有數(shù)目非常龐大的各種電子元件，才足以應(yīng)付電子產(chǎn)品的實(shí)際需求。然而，于某些電路布局中，由于某一區(qū)域內(nèi)的電子元件太多，亦即該區(qū)域的電子元件密度過(guò)大，使得該區(qū)域的某些電子元件間的繞線(xiàn)(routing)難以進(jìn)行，因而無(wú)法通過(guò)設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(design rule checking)，導(dǎo)致該電路布局無(wú)法正常運(yùn)作。請(qǐng)參照?qǐng)DIA及圖1B，圖IA及圖IB是繪示先前技術(shù)中當(dāng)電路布局的電子元件密度為75%時(shí)的示意圖。如圖IA及圖IB所示，很明顯地，由于電路布局1中的各電子元件10 并未完全緊密地排列在一起，亦即各電子元件10之間仍存在著許多可供繞線(xiàn)的空間，故電路布局1并未出現(xiàn)有任何難以繞線(xiàn)的壅塞區(qū)域。然而，當(dāng)電路布局1的電子元件密度變得更高時(shí)，情況顯然出現(xiàn)變化。請(qǐng)參照?qǐng)DIC 及圖1D，圖IC及圖ID是繪示先前技術(shù)中當(dāng)電路布局的電子元件密度升高至90%時(shí)的示意圖。如圖IC及圖ID所示，由于原本圖IA的電路布局1中的許多繞線(xiàn)空間均已被電子元件 10'填入，因而導(dǎo)致圖IC的電路布局1出現(xiàn)許多難以繞線(xiàn)的壅塞區(qū)域，如同圖ID所示的壅塞狀態(tài)指針Vl V3(箭號(hào)處)即代表電路布局1中的垂直方向的壅塞區(qū)域。由于電路布局所包含的電子元件的種類(lèi)及數(shù)目隨著科技的進(jìn)展及實(shí)際使用的需求而不斷增加，電路布局內(nèi)所產(chǎn)生的壅塞現(xiàn)象勢(shì)必更為嚴(yán)重。然而，傳統(tǒng)上針對(duì)上述問(wèn)題的解決方式很可能造成電路布局中的電子元件彼此間的相對(duì)位置關(guān)系產(chǎn)生改變，使得電路布局因而無(wú)法通過(guò)時(shí)間限制(time constraint)，或是需要犧牲電路布局中的部分空間，導(dǎo)致電路布局中額外的面積損失(area penalty) 0

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種防止壅塞配置裝置及防止壅塞配置方法，可避免電路布局中額外的面積損失。根據(jù)本發(fā)明一方面是提供一種防止壅塞配置裝置，該防止壅塞配置裝置應(yīng)用于一電路布局。該防止壅塞配置裝置包含一分析模塊、一定義模塊及一擴(kuò)展模塊。該分析模塊用以對(duì)該電路布局進(jìn)行一繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析以產(chǎn)生一分析結(jié)果。該定義模塊用以根據(jù)該分析結(jié)果于該電路布局定義出一壅塞區(qū)域及鄰近于該壅塞區(qū)域的一分享區(qū)域，其中該壅塞區(qū)域的電子元件密度高于該分享區(qū)域的電子元件密度。該擴(kuò)展模塊用以將該壅塞區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電子元件重新配置于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域。
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根據(jù)本發(fā)明另一方面是提供一種防止壅塞配置方法，該防止壅塞配置方法是應(yīng)用于一電路布局中。首先，該方法對(duì)該電路布局進(jìn)行一繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析以產(chǎn)生一分析結(jié)果； 接著，該方法根據(jù)該分析結(jié)果于該電路布局定義出一壅塞區(qū)域以及鄰近于該壅塞區(qū)域的一分享區(qū)域，其中該壅塞區(qū)域的電子元件密度高于該分享區(qū)域的電子元件密度。之后，該方法將該壅塞區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電子元件重新配置于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域。本發(fā)明相較于先前技術(shù)的有益技術(shù)效果是，本發(fā)明的防止壅塞配置裝置及方法是將原本僅配置于壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件加以向外擴(kuò)展分布至壅塞區(qū)域與其附近具有較低電子元件密度的分享區(qū)域，藉以降低壅塞區(qū)域原本較高的電子元件密度，使得該壅塞區(qū)域能夠由原本難以繞線(xiàn)的區(qū)域變成可繞線(xiàn)的區(qū)域，并且壅塞區(qū)域與分享區(qū)域的電子元件密度變得較為平均。更重要的是，在經(jīng)過(guò)本發(fā)明的防止壅塞配置裝置及方法處理后，該電路布局的所有電子元件彼此間的相對(duì)位置關(guān)系仍維持不變，使得該電路布局仍能通過(guò)時(shí)間限制，并且對(duì)于該電路布局而言，將不會(huì)為了消除壅塞區(qū)域而產(chǎn)生任何額外的面積損失。


關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的詳述得到進(jìn)一步的了解，其中圖IA及圖IB是繪示先前技術(shù)中電路布局的電子元件密度為75%時(shí)的示意圖。圖IC及圖ID是繪示先前技術(shù)中電路布局的電子元件密度為90%時(shí)的示意圖。圖2是繪示根據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例的防止壅塞配置裝置的功能方塊圖。圖3A是繪示定義模塊根據(jù)分析結(jié)果于電路布局定義壅塞區(qū)域及分享區(qū)域的示意圖。圖;3B及圖4A 圖4C是繪示電路布局中的電子元件由原本的位置0移至T的示意圖。圖5A 圖5C是繪示電子元件經(jīng)由擴(kuò)展模塊移動(dòng)后的位置剛好位于高電子元件密度區(qū)域時(shí)的處理方式。圖6A及圖6B是繪示擴(kuò)展模塊僅移動(dòng)電路布局中的組合元件而循序元件維持固定不動(dòng)的示意圖。圖7A及圖7B是繪示擴(kuò)展模塊僅移動(dòng)電路布局中的其中一種電子元件模塊的示意圖。圖8是繪示根據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例的防止壅塞配置方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例為一種防止壅塞配置裝置。于此實(shí)施例中，該防止壅塞配置裝置是應(yīng)用于一電路布局，并且該電路布局包含多個(gè)電子元件。至于這些電子元件的種類(lèi)與數(shù)目及各電子元件彼此間的耦接關(guān)系并無(wú)一定的限制，端視實(shí)際需求而定。請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2是繪示應(yīng)用于該電路布局的防止壅塞配置裝置的功能方塊圖。如圖2所示，防止壅塞配置裝置2包含分析模塊20、定義模塊22、擴(kuò)展模塊M及設(shè)定模塊26。 其中，分析模塊20耦接至定義模塊22 ；定義模塊22及設(shè)定模塊沈分別耦接至擴(kuò)展模塊M。 接下來(lái)，將分別就防止壅塞配置裝置2的各模塊及其功能進(jìn)行介紹。
于此實(shí)施例中，分析模塊20的主要功用在于對(duì)該電路布局進(jìn)行一繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析，并據(jù)以產(chǎn)生一分析結(jié)果。實(shí)際上，分析模塊20可針對(duì)該電路布局的各個(gè)區(qū)域內(nèi)的電子元件密度是否高于一默認(rèn)值進(jìn)行分析，藉以產(chǎn)生當(dāng)時(shí)關(guān)于該電路布局的各區(qū)域的繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)的分析結(jié)果，舉例而言，分析結(jié)果可類(lèi)似前述圖IA 圖ID所示，但不以此為限。接著，定義模塊22即可根據(jù)分析模塊20所得到的分析結(jié)果于該電路布局中定義出電子元件密度相對(duì)較高的壅塞區(qū)域以及鄰近于壅塞區(qū)域且電子元件密度相對(duì)較低的一分享區(qū)域。之后，擴(kuò)展模塊M即可重新配置原本位于壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件，使得這些電子元件能夠向外擴(kuò)展而分布于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域內(nèi)。舉例而言，如圖3A所示，假設(shè)分析模塊20所得到的分析結(jié)果為電路布局3中的區(qū)域30的電子元件密度過(guò)高，因此，定義模塊22即根據(jù)上述分析結(jié)果將電路布局3中的區(qū)域 30定義為壅塞區(qū)域，并且進(jìn)一步將電路布局3中位于壅塞區(qū)域30附近的區(qū)域31及32定義為第一分享區(qū)及第二分享區(qū)。其中，第一分享區(qū)31較靠近于壅塞區(qū)域30，而第二分享區(qū)32 則位于第一分享區(qū)31的外側(cè)。值得注意的是，此實(shí)施例中的壅塞區(qū)域30、第一分享區(qū)31及第二分享區(qū)32的形狀均為圓形，但在實(shí)際應(yīng)用中，電路布局的壅塞區(qū)域及分享區(qū)域是由一長(zhǎng)寬比因子決定，故使用者可通過(guò)設(shè)定不同的長(zhǎng)寬比因子來(lái)改變壅塞區(qū)域及分享區(qū)域的形狀，例如正方形、長(zhǎng)方形或橢圓形等形狀，并無(wú)一定的限制。此外，定義模塊22所定義的電路布局3的壅塞區(qū)域及分享區(qū)域的數(shù)目亦可視分析模塊20實(shí)際分析結(jié)果而定，并無(wú)一定的限制。如圖3A所示，電路布局3的壅塞區(qū)域30、第一分享區(qū)31及第二分享區(qū)32是以 C(cx,cy)為圓心由內(nèi)向外形成同心圓，其中壅塞區(qū)域30的半徑為cr，第一分享區(qū)31的半徑為psr，第二分享區(qū)32的半徑為ssr，并且ssr > psr > cr。假設(shè)電路布局3的一電子元件原本的位置為 0(ox，oy)，oc_diff 為 0(ox，oy)至 C(cx，cy)的距離，x_diff 為 oc_diff 的水平分量，y_diff為oc_diff的垂直分量。如圖;3B所示，若電子元件原本的位置0 (ox，oy)是位于壅塞區(qū)域30內(nèi)，而經(jīng)由擴(kuò)展模塊M移動(dòng)至T(tx，ty)。該電子元件移動(dòng)后的位置T(tx，ty)將會(huì)被限制于壅塞區(qū)域30及第一分享區(qū)31的范圍內(nèi)，并且移動(dòng)后的位置T的坐標(biāo)(tx，ty)可通過(guò)下列方程式1 3求得sca_fac = psr/cr(方程式 1)tx = cx+(x_diff*sca_fac)(方程式 2)ty = cy+ (y_diff*sca_fac)(方程式 3)其中，方程式1所述的擴(kuò)展比例SCa_faC為第一分享區(qū)31的半徑psr相對(duì)于壅塞區(qū)域30的半徑cr的比例，亦即擴(kuò)展比例SCa_faC為壅塞區(qū)域30的中心點(diǎn)C至壅塞區(qū)域30 的邊界的距離相對(duì)于壅塞區(qū)域30的中心點(diǎn)C至第一分享區(qū)31的邊界的距離的比例，但不以此為限。舉例而言，如圖4A及圖4B所示，假設(shè)cr = 10,psr = 20, ssr = 100，而壅塞區(qū)域 30、第一分享區(qū)31及第二分享區(qū)32的邊界(亦即圓周)分別為Bi、B2及B3，若移動(dòng)前的電子元件是分別位于壅塞區(qū)域30內(nèi)的位置((0，0)、0(5，0)及E (10，0)，則根據(jù)上述方程式 1及2即可求得移動(dòng)后的電子元件的位置分別為C' (0,0),D' (10，0)及E' 00，0)。也就是說(shuō)，擴(kuò)展模塊M將會(huì)依照一相關(guān)于一 psr/cr比例(即第一分享區(qū)31的半
6徑psr除以壅塞區(qū)域30的半徑cr)的一數(shù)值將壅塞區(qū)域30內(nèi)的各電子元件重新配置于壅塞區(qū)域30及第一分享區(qū)31的范圍內(nèi)，因而拉大各電子元件之間的距離，使得各電子元件的分布變得較為松散，故壅塞區(qū)域30的電子元件密度自然能夠隨的大幅降低。同理，若電子元件原本的位置0 (ox，oy)是位于第一分享區(qū)31或第二分享區(qū)32內(nèi)， 則該電子元件經(jīng)由擴(kuò)展模塊M移動(dòng)后的位置T(tx，ty)將會(huì)被限制于第二分享區(qū)32的范圍內(nèi)。T點(diǎn)的坐標(biāo)位置(tx，ty)可通過(guò)下列方程式4 6求得sca_fac = psr+ ((oc_diff-cr) * (ssr-psr) / (ssr~cr)) (方禾呈式 4)tx = cx+ (x_diff*sca_fac/oc_diff)(方程式 5)ty = cy+ (y_diff*sca_fac/oc_diff)(方程式 6)其中，方程式4所述的擴(kuò)展比例SCa_faC是相關(guān)于壅塞區(qū)域30的中心點(diǎn)C至第二分享區(qū)32的邊界B3的距離(亦即第二分享區(qū)32的半徑ssr)、壅塞區(qū)域30的中心點(diǎn)C至第一分享區(qū)31的邊界B2的距離(亦即第一分享區(qū)31的半徑psr)、壅塞區(qū)域30的中心點(diǎn) C至壅塞區(qū)域30的邊界Bl的距離(亦即壅塞區(qū)域30的半徑cr)及壅塞區(qū)域30的中心點(diǎn) C至電子元件原本的位置0的距離。更詳細(xì)地說(shuō)，方程式4所述的擴(kuò)展比例sca_fac是與第二分享區(qū)32相對(duì)于整個(gè)第一分享區(qū)31與第二分享區(qū)32的比例有關(guān)，但不以此為限。如圖4A及圖4C所示，若移動(dòng)前的電子元件是分別位于第一分享區(qū)31或第二分享區(qū)32內(nèi)的位置E (10，0)、F (15，0)、G (20，0)、H (50，0)及I (100，0)，則根據(jù)上述方程式4 6即可得到移動(dòng)后的電子元件的位置分別為E' (20,0), F' (24. 44,0),6' (28. 88,0), H' (55. 56，0)及I' (100，0)，均位于第二分享區(qū)32內(nèi)。也就是說(shuō)，原本位于第一分享區(qū)31或第二分享區(qū)32內(nèi)的各電子元件經(jīng)由擴(kuò)展模塊M移動(dòng)后，擴(kuò)展模塊M將會(huì)依照一相關(guān)于SCa_faC/0C_diff的比例的一數(shù)值拉大各電子元件之間的距離，使得原本位于第一分享區(qū)31的電子元件均移至范圍較大的第二分享區(qū)32，藉以避免從壅塞區(qū)域30移至第一分享區(qū)31的電子元件導(dǎo)致原本電子元件密度較低的第一分享區(qū)31的電子元件密度因而大幅升高。請(qǐng)參照?qǐng)D5A 圖5C，圖5A 圖5C是繪示電子元件經(jīng)由擴(kuò)展模塊移動(dòng)后的位置剛好位于高電子元件密度區(qū)域時(shí)的處理方式。如圖5A所示，假設(shè)中央的長(zhǎng)方形為壅塞區(qū)域 CR,其外側(cè)的長(zhǎng)方形為分享區(qū)域SR，0(0,0)為原點(diǎn)，電子元件原本的位置在P (1，1)，斜線(xiàn)區(qū)域則為位于分享區(qū)域SR內(nèi)的高電子元件密度區(qū)域HDR。如圖5B所示，由于經(jīng)過(guò)計(jì)算后所得到的移動(dòng)后的電子元件位置為Nl (3，2)剛好不幸地位于高電子元件密度區(qū)域HDR內(nèi)，若擴(kuò)展模塊M真的將電子元件移動(dòng)至m (3，2)，反而更增加HDR區(qū)域的電子元件密度，故此一移動(dòng)并不可行。有鑒于此，本發(fā)明提出一種解決之道，是通過(guò)曼哈頓距離(Manhattan distance)計(jì)算以找出其它數(shù)個(gè)替代的移動(dòng)點(diǎn)。依據(jù)曼哈頓距離的計(jì)算方式，兩點(diǎn)之間的距離為兩點(diǎn)在標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)是上的各絕對(duì)軸距的總和。如圖5C所示，由于原本求得的附(3，2)與原本位置P(l，l)的曼哈頓距離= (3-1) + (2-1) =3，故可根據(jù)？(1，1)與曼哈頓距離3求得異于Nl (3，2)的其它替代移動(dòng)點(diǎn) N2(1，4)、N3(2，3)及N40，1)。既然這些替代移動(dòng)點(diǎn)N2 (1，4)、N3 O，3)及賺，1)均未位于高電子元件密度區(qū)域HDR內(nèi)，故擴(kuò)展模塊M即可將電子元件移動(dòng)至N2 (1，4)、N3 (2，3)或 N4(4，1)，且不會(huì)造成HDR區(qū)域的電子元件密度升高的現(xiàn)象。于實(shí)際應(yīng)用中，使用者并不一定想要通過(guò)擴(kuò)展模塊M將所有位于壅塞區(qū)域CR內(nèi)
7的電子元件均向外移動(dòng)，亦即使用者有可能僅欲移動(dòng)其中部分的電子元件。此時(shí)，使用者即可通過(guò)設(shè)定模塊沈設(shè)定原本位于壅塞區(qū)域CR內(nèi)的所有電子元件中哪些電子元件需要被重新配置以及哪些電子元件維持固定不動(dòng)。舉例而言，如圖6A所示，假設(shè)有多個(gè)組合元件(combination cell)c(例如或門(mén)(ORgate)和與非門(mén)(NAND gate))及多個(gè)循序元件(sequential cell)s(例如觸發(fā)器(flip-flop)、鎖相器(latch)和時(shí)脈柵控器(clock gate))均位于電路布局的壅塞區(qū)域CR內(nèi)，為了能夠維持該電路布局的嵌入延遲(insertion delay)的時(shí)脈行為(clock behavior)，因此，使用者即可通過(guò)設(shè)定模塊沈設(shè)定僅有組合元件c會(huì)被移動(dòng)，擴(kuò)展模塊M 即會(huì)根據(jù)此一設(shè)定僅向外移動(dòng)組合元件c，至于所有循序元件s的位置則維持固定不動(dòng)。此外，如圖7A所示，假設(shè)電路布局中總共包含三種電子元件模塊，其中僅有電子元件模塊CM的分布情形處于難以繞線(xiàn)的壅塞狀態(tài)，其余兩種電子元件模塊AM及BM則均處于可繞線(xiàn)狀態(tài)。此時(shí)，使用者即可通過(guò)設(shè)定模塊沈設(shè)定僅移動(dòng)電子元件模塊CM，擴(kuò)展模塊 24即會(huì)根據(jù)此一設(shè)定僅向外移動(dòng)電子元件模塊CM，至于其它種類(lèi)的電子元件模塊AM及BM 的位置則會(huì)維持固定不動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例為一種防止壅塞配置方法。于此實(shí)施例中，該防止壅塞配置方法應(yīng)用于一電路布局中，并且該電路布局包含多個(gè)電子元件。請(qǐng)參照?qǐng)D8，圖8 是繪示該防止壅塞配置方法的流程圖。如圖8所示，首先，該方法執(zhí)行步驟S10，對(duì)該電路布局進(jìn)行繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析以產(chǎn)生一分析結(jié)果。接著，該方法執(zhí)行步驟S11，根據(jù)該分析結(jié)果于該電路布局定義出一壅塞區(qū)域以及鄰近于該壅塞區(qū)域的一分享區(qū)域。實(shí)際上，該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域的形狀是由一長(zhǎng)寬比因子決定，故其形狀可隨著該長(zhǎng)寬比因子的不同而為圓形、橢圓形、正方形、長(zhǎng)方形或其它形狀，并無(wú)一定的限制。于此實(shí)施例中，該分享區(qū)域包含一第一分享區(qū)及一第二分享區(qū)，以該壅塞區(qū)域?yàn)橹行模蓛?nèi)向外依序?yàn)樵撣杖麉^(qū)域、該第一分享區(qū)及該第二分享區(qū)，但不以此為限。然后，該方法執(zhí)行步驟S12，設(shè)定原本位于該壅塞區(qū)域內(nèi)需要被重新配置的電子元件。最后，該方法執(zhí)行步驟S13，重新配置這些電子元件，使得這些電子元件向外擴(kuò)展而分布于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域內(nèi)。值得注意的是，在經(jīng)過(guò)重新配置這些電子元件的步驟S13 后，該電路布局的所有電子元件彼此之間的相對(duì)位置關(guān)系仍維持不變。舉例而言，原本位于該壅塞區(qū)域內(nèi)的一第一位置的電子元件可依照相關(guān)于一第一擴(kuò)展比例的一數(shù)值向外移至該壅塞區(qū)域或該第一分享區(qū)內(nèi)的一第二位置，該第二位置可根據(jù)該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)、該第一位置及該相關(guān)于第一擴(kuò)展比例的數(shù)值計(jì)算而得。于實(shí)際應(yīng)用中，該相關(guān)于第一擴(kuò)展比例的數(shù)值是與該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該壅塞區(qū)域的邊界的距離以及該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第一分享區(qū)的邊界的距離有關(guān)，但不以此為限。至于該第二位置的計(jì)算方式可參照前述方程式1 3，于此不另行贅述。此外，于該分享區(qū)域中，原本位于該第一分享區(qū)內(nèi)的一第三位置的電子元件亦可依照相關(guān)于一第二擴(kuò)展比例的一數(shù)值進(jìn)行重新配置后，向外移至該第二分享區(qū)內(nèi)的一第四位置并限制于該第二分享區(qū)，其中該第四位置是根據(jù)該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)、該第三位置及該相關(guān)于第二擴(kuò)展比例的數(shù)值計(jì)算而得。實(shí)際上，該相關(guān)于第二擴(kuò)展比例的數(shù)值是與該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第二分享區(qū)的邊界的距離、該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第一分享區(qū)的邊界的距離、該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該壅塞區(qū)域的邊界的距離以及該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第三位置的距離有關(guān)，但不以此為限。至于該第四位置的計(jì)算方式可參照前述方程式4 6，于此不另行贅述。相較于先前技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的防止壅塞配置裝置及方法是將原本僅配置于壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件加以向外擴(kuò)展分布至壅塞區(qū)域及其附近具有較低電子元件密度的分享區(qū)域，藉以降低壅塞區(qū)域原本較高的電子元件密度，使得該壅塞區(qū)域能夠由原本難以繞線(xiàn)的區(qū)域變成可繞線(xiàn)的區(qū)域，并且壅塞區(qū)域與分享區(qū)域的電子元件密度變得較為平均。 更重要的是，在經(jīng)過(guò)本發(fā)明的防止壅塞配置裝置及方法處理后，該電路布局的所有電子元件彼此之間的相對(duì)位置關(guān)系仍維持不變，使得該電路布局仍能通過(guò)時(shí)間限制，并且對(duì)于該電路布局而言，將不會(huì)有任何額外的面積損失產(chǎn)生。通過(guò)以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神， 而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專(zhuān)利范圍的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種防止壅塞配置裝置，應(yīng)用于一電路布局，其特征在于，該防止壅塞配置裝置包含一分析模塊，耦接至該電路布局，用以對(duì)該電路布局進(jìn)行一繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析以產(chǎn)生一分析結(jié)果；一定義模塊，耦接至該分析模塊，用以根據(jù)該分析結(jié)果于該電路布局定義出一壅塞區(qū)域以及鄰近于該壅塞區(qū)域的一分享區(qū)域，其中該壅塞區(qū)域的電子元件密度高于該分享區(qū)域的電子元件密度；以及一擴(kuò)展模塊，耦接至該定義模塊及該電路布局，用以將該壅塞區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電子元件重新配置于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，進(jìn)一步包含一設(shè)定模塊，耦接至該擴(kuò)展模塊，用以設(shè)定原本位于該壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件中需要被重新配置的電子元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該擴(kuò)展模塊是將該壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件加以向外擴(kuò)展分布而重新配置至該壅塞區(qū)域及其附近具有較低電子元件密度的該分享區(qū)域，藉以降低該壅塞區(qū)域原本較高的電子元件密度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，當(dāng)該壅塞區(qū)域的電子元件密度降低至一默認(rèn)值時(shí)，該壅塞區(qū)域即能夠通過(guò)該分析模塊的該繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析進(jìn)而成為可繞線(xiàn)的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該分享區(qū)域包含一第一分享區(qū)及一第二分享區(qū)，以該壅塞區(qū)域?yàn)橹行?，由?nèi)向外依序?yàn)樵撣杖麉^(qū)域、該第一分享區(qū)及該第二分享區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該擴(kuò)展模塊依照一第一擴(kuò)展比例將該壅塞區(qū)域內(nèi)的一第一位置的電子元件向外移至該壅塞區(qū)域或該第一分享區(qū)內(nèi)的一第二位置，而該第二位置根據(jù)該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)、該第一位置及該第一擴(kuò)展比例計(jì)算而得。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該第一擴(kuò)展比例是相關(guān)于該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該壅塞區(qū)域的邊界的距離以及該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第一分享區(qū)的邊界的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該擴(kuò)展模塊另可依照一第二擴(kuò)展比例將該第一分享區(qū)內(nèi)的一第三位置的電子元件向外移至該第二分享區(qū)內(nèi)的一第四位置，而該第四位置是根據(jù)該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)、該第三位置及該第二擴(kuò)展比例計(jì)算而得。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，該第二擴(kuò)展比例是相關(guān)于該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第二分享區(qū)的邊界的距離、該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第一分享區(qū)的邊界的距離、該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該壅塞區(qū)域的邊界的距離以及該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第三位置的距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防止壅塞配置裝置，其特征在于，經(jīng)過(guò)該擴(kuò)展模塊的重新配置后的這些電子元件彼此間的相對(duì)位置關(guān)系維持不變。
11.一種用于一電路布局的防止壅塞配置方法，其特征在于，包含下列步驟對(duì)該電路布局進(jìn)行一繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析以產(chǎn)生一分析結(jié)果；根據(jù)該分析結(jié)果于該電路布局定義出一壅塞區(qū)域以及鄰近于該壅塞區(qū)域的一分享區(qū)域，其中該壅塞區(qū)域的電子元件密度高于該分享區(qū)域的電子元件密度；以及將該壅塞區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電子元件重新配置于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，進(jìn)一步包含下列步驟設(shè)定該壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件中需要被重新配置的電子元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，于重新配置這些電子元件的步驟中，原本位于該壅塞區(qū)域內(nèi)的這些電子元件是向外擴(kuò)展分布而重新配置至該壅塞區(qū)域及其附近具有較低電子元件密度的該分享區(qū)域，藉以降低該壅塞區(qū)域原本較高的電子元件密度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，當(dāng)該壅塞區(qū)域的電子元件密度降低至一默認(rèn)值時(shí)，該壅塞區(qū)域即能夠通過(guò)該分析模塊的該繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析進(jìn)而成為可繞線(xiàn)的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該分享區(qū)域包含一第一分享區(qū)及一第二分享區(qū)，以該壅塞區(qū)域?yàn)橹行模蓛?nèi)向外依序?yàn)樵撣杖麉^(qū)域、該第一分享區(qū)及該第二分享區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，于該壅塞區(qū)域內(nèi)的一第一位置的電子元件是依照一第一擴(kuò)展比例向外移至該壅塞區(qū)域或該第一分享區(qū)內(nèi)的一第二位置，而該第二位置是根據(jù)該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)、該第一位置及該第一擴(kuò)展比例計(jì)算而得。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該第一擴(kuò)展比例是相關(guān)于該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該壅塞區(qū)域的邊界的距離以及該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第一分享區(qū)的邊界的距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，于該第一分享區(qū)域內(nèi)的一第三位置的電子元件亦可依照一第二擴(kuò)展比例向外移至該第二分享區(qū)內(nèi)的一第四位置， 而該第四位置是根據(jù)該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)、該第三位置及該第二擴(kuò)展比例計(jì)算而得。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，該第二擴(kuò)展比例是相關(guān)于該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第二分享區(qū)的邊界的距離、該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第一分享區(qū)的邊界的距離、該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該壅塞區(qū)域的邊界的距離以及該壅塞區(qū)域的中心點(diǎn)至該第三位置的距離。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的防止壅塞配置方法，其特征在于，經(jīng)過(guò)重新配置后的這些電子元件彼此間的相對(duì)位置關(guān)系維持不變。
全文摘要
本發(fā)明是一種用于電路布局的防止壅塞配置裝置及方法，防止壅塞配置裝置包含分析模塊、定義模塊及擴(kuò)展模塊。分析模塊用以對(duì)電路布局進(jìn)行繞線(xiàn)壅塞狀態(tài)分析以產(chǎn)生分析結(jié)果。定義模塊用以根據(jù)該分析結(jié)果于該電路布局定義出壅塞區(qū)域及鄰近于壅塞區(qū)域的一分享區(qū)域。該壅塞區(qū)域的電子元件密度是高于該分享區(qū)域的電子元件密度。擴(kuò)展模塊用以將該壅塞區(qū)域內(nèi)的多個(gè)電子元件重新配置于該壅塞區(qū)域及該分享區(qū)域。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102194023SQ20101014745
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月17日
發(fā)明者盧建邦, 羅振興 申請(qǐng)人:晨星半導(dǎo)體股份有限公司, 晨星軟件研發(fā)(深圳)有限公司