專利名稱：一種浸蝕硅片方法
技術領域：
本發(fā)明涉及硅片加工方法，特別涉及浸蝕硅片方法。
二背景技術：
自1970年Kern和Puotein發(fā)明RCA標準清洗工藝以來，該工藝逐漸成為了集成電路用硅片制造過程中的主要清洗工藝，它包括兩步清洗SC21 ( —號清洗NH40H/H202/H20)和SC22 ( 二號清洗液HC1/H202/H20)。在堿性N H40H溶液中，硅片表面和顆粒的表面勢同為負，非常有利于顆粒的去除。但是堿性NH40H溶液對硅單晶進行強烈的各向異性腐蝕，使硅片表面微粗糙度增加.隨著柵氧化層不斷地減薄，表面微粗糙度會導致氧化層厚度不均勻，從而會影響柵氧化層的完整性。為了降低堿性清洗液對表面微粗糙度的影響，近年來許多研究人員采用降低SC21清洗過程中M^0H濃度的方法，將濃度由15%降到0105%甚至更低.稀釋后的清洗液對表面的腐蝕速度大大降低，從而可以減小表面粗糙化程度MV)H濃度降到很低的水平時能減少硅片表面的腐蝕速度，但是堿性溶液還是對表面進行了不同程度的各向異性腐蝕，不能完全避免硅片表面的粗糙化。 本發(fā)明采用化學腐蝕降低片表面粗糙度，提高硅片活力，有效的避免硅片表面粗糙化。
三
發(fā)明內(nèi)容
技術目的 本發(fā)明采用化學腐蝕降低硅片表面粗糙度，提高硅片活力，有效的避免硅片表面粗糙化。 技術方案 本發(fā)明有如下技術方案完成，其特征在于
a.腐蝕液的配制氟化氫銨水溶液15-18mol/ml。 b.腐蝕液浸沒硅片，腐蝕硅片300-600秒，取出硅片依次放入70-80°C， 55-65°C，45-55t:純凈水中清洗，每次3-5分鐘。 c.將洗凈的硅片放在硫酸和重鉻酸鉀溶液中煮沸。 d.熱水流洗2-3分鐘。 e.然后放在純凈水中煮沸2分鐘。 f.把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩3-7分鐘。 g.烘箱烘烤，直至烤干、成品。 作為一種優(yōu)化方式，所述的氟化氫銨水溶液最佳濃度為16mol/ml ;所述的把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩5分鐘。為保證產(chǎn)品的質(zhì)量，可以將本發(fā)明工藝由a到f反復幾次，這樣浸蝕效果較好。
有益效果 1.本發(fā)明采用氟化氫銨水溶液代替兩步清洗NH40H/H202/H20和清洗液HC1/H202/叫，節(jié)省了步驟，同時降低了成本。 2.本發(fā)明采用氟化氫銨水溶液，有效的避免硅片表面粗糙化，提高硅片活力。
四具體實施方式

實施例1 —種硅片浸蝕方法，由如下步驟完成 a.腐蝕液的配制氟化氫銨水溶液15mol/ml。 b.腐蝕液浸沒硅片，腐蝕硅片600秒，取出硅片依次放入70-8(TC，55-65t:， 45-55 t:純凈水中清洗，每次3分鐘。 c.將洗凈的硅片放在硫酸和重鉻酸鉀溶液中煮沸。 d.熱水流洗2-3分鐘。 e.然后放在純凈水中煮沸2分鐘。 f.把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩3分鐘。 g.烘箱烘烤，直至烤干、成品。 實施例2 —種硅片浸蝕方法，由如下步驟完成 a.腐蝕液的配制氟化氫銨水溶液16mol/ml。 b.腐蝕液浸沒硅片，腐蝕硅片500秒取出硅片依次放入70-8(TC，55-65 t:， 45-55 t:純凈水中清洗，每次5分鐘。 c.將洗凈的硅片放在硫酸和重鉻酸鉀溶液中煮沸。 d.熱水流洗2-3分鐘。 e.然后放在純凈水中煮沸2分鐘。 f.把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩5分鐘。 g.烘箱烘烤，直至烤干、成品。 實施例3 —種硅片浸蝕方法，由如下步驟完成 a.腐蝕液的配制氟化氫銨水溶液18mol/ml。 b.腐蝕液浸沒硅片，腐蝕硅片600秒，取出硅片依次放入70-8(TC，55-65t:， 45-55 t:純凈水中清洗，每次5分鐘。 c.將洗凈的硅片放在硫酸和重鉻酸鉀溶液中煮沸。 d.熱水流洗2-3分鐘。 e.然后放在純凈水中煮沸2分鐘。 f.把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩5分鐘。 g.烘箱烘烤，直至烤干、成品。
權利要求
一種浸蝕硅片的方法，其特征在于如下步驟a.腐蝕液的配制氟化氫銨水溶液15-18mol/ml；b.腐蝕液浸沒硅片，腐蝕硅片300-600秒，取出硅片依次放入70-80℃，55-65℃，45-55℃純凈水中清洗，每次3-5分鐘；c.將洗凈的硅片放在硫酸和重鉻酸鉀溶液中煮沸；d.熱水流洗2-3分鐘；e.然后放在純凈水中煮沸2分鐘；f.把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩3-7分鐘；g.烘箱烘烤，直至烤干、成品。
2. 根據(jù)權利要求l所述的浸蝕硅片的方法，其特征在于所述的氟化氫銨水溶液16mol/ml。
3. 根據(jù)權利要求1所述的浸蝕硅片的方法其特征在于所述硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩5分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及硅片加工方法，特別涉及浸蝕硅片方法；一種浸蝕硅片的方法，如下步驟配制腐蝕液氟化氫銨水溶液15-18mol/ml，腐蝕液浸沒硅片，腐蝕硅片300-600秒，取出硅片依次放入70-80℃，55-65℃，45-55℃純凈水中清洗，每次3-5分鐘；將洗凈的硅片放在硫酸和重鉻酸鉀溶液中煮沸；熱水流洗2-3分鐘；然后放在純凈水中煮沸2分鐘；把硅片浸在無水乙醇中用超聲波震蕩3-7分鐘；烘箱烘烤，直至烤干、成品；本發(fā)明采用氟化氫銨水溶液代替兩步清洗NH4OH/H2O2/H2O和清洗液HCl/H2O2/H2O，采用氟化氫銨水溶液，有效的避免硅片表面粗糙化，提高硅片活力。
文檔編號B08B3/10GK101699615SQ20091003526
公開日2010年4月28日 申請日期2009年9月23日 優(yōu)先權日2009年9月23日
發(fā)明者聶金根 申請人:鎮(zhèn)江市港南電子有限公司